buck效率，损耗来源、米勒效应

一、buck损耗来源

电感损耗、开关损耗、续流二极管损耗

电感损耗是什么

铁损、铜损

开关损耗是什么

开关损耗包括导通损耗和截止损耗。导通损耗指功率管从截止到导通时,所产生的功率损耗。截止损耗指功率管从导通到截止时,所产生的功率损耗。

造成导通损耗的原因（米勒电容？）

非理想的开关管在开通时，开关管的电压不是立即下降到零，而是有一个下降时间，同时它的电流也不是立即上升到负载电流，也有一个上升时间。在这段时间内，开关管的电流和电压有一个交叠区，会产生损耗，这个损耗即为开通损耗。

二、什么是米勒效应（B站《一个公式都没有 MOS米勒电容的通俗讲解》）

米勒效应过程：在MOS管G和D之间存在一个等效电容Cgd（米勒电容），当驱动芯片给G极充电时，会先给Cgs和Cgd充电，当G端电压抬升到开启电压时，DS导通，Cgd上端近似于被短接到S极，相当于Cgd并联在G极和S极之间，之后Cgd开始吸收大量正电荷，导致Vgs的电压上升变慢，使MOS管工作在可变电阻区，增大了MOS的导通损耗，要减小MOS导通损耗，可以（见B站Mr王司涂的“米勒效应”“MOS驱动设计”视频）

米勒平台的危害

使MOS管开关速度变慢，发热量变多
解决方法：
①增大驱动芯片的驱动能力
②提高驱动电压，避免电压临界于米勒平台电压
③选择Cgd（Crss）小的mos管
ZVS零电压控制（不懂），

密勒补偿（华成英《模电：负反馈放大电路稳定性分析》《密勒（米勒）原理》）

类比mos管，g极为输入端，d极为输出端。因为米勒效应，等效于在GS之间跨接了个A*Cgd的大电容。与米勒平台的理论相符。