电介质材料（一）——电介质的基本性能

本篇为西安交通大学本科课程《电气材料基础》的笔记。

本篇为这一单元的第一篇笔记，下一篇传送门。

电介质是指在电场的作用下能够被极化的物质，它可以被电力线穿透，内部存在电场强度。而金属不能被电力线穿透，因为金属有静电屏蔽效应。

一般认为电阻率超过$10^8\mathrm{\Omega }\cdot \mathrm{m}$的物质是绝缘电介质，即在电场作用下具有店计划现象并存在较强电场的物质。

电介质的主要特性是以极化方式而不是传导方式传递点的作用和影响。

电介质的基本性能

有良好的电气强度，可以制成绝缘材料。也能够高度电极化，可以储存电能，制成电容器的材料。

电介质分类和应用

按照正负电荷的分布可以分为，非极性电介质、极性电介质和离子型电介质。

非极性电介质

没有外施加电场，分子的正电荷和负电荷中心重合，成为非极性的分子，非极性分子构成的电介质就是非极性电介质。一般有对称的分子结构，呈现各向同性，例如单原子分子（稀有气体）、相同的原子组成的双原子分子（H₂、N₂等），以及结构对称的多原子分子（CO₂等）。

极性电介质

没有外施加电场，分子的正电荷和负电荷中心不重合，即分子具有偶极矩，称之为分子的固有偶极矩，这种分子就是极性分子或偶极分子。由极性分子构成的电介质就是极性电介质，例如水分子H₂O。

组成分子的两种分子电负性差异越大，两原子电子云不对称性越大，分子的固有偶极矩就越大。
偶极矩小于0.5D（Debye，电偶极矩单位，符号为D）的分子就是弱极性分子，偶极矩大于1.5D的分子被称为强极性分子，介于之间的就是中极性分子。

离子型电介质

通常由正负离子组成。没有个别分子，基本单元是离子。例如有离子型晶体电介质、玻璃陶瓷和一些其他的无机电介质。他们介电常数高，具有好的机械强度。

电介质的电学性能

电介质的极化

指的是在外施加的电场作用下，电介质内部沿电场方向产生感应电偶极矩，电介质表面出现束缚电荷的现象。束缚电荷就是不能自由移动，不能离开电介质到其他带电体中，也不能像导体的自由电荷一样传导方式运动。电介质极化有以下的形式：

1. 电子位移极化：外加电场下，正电荷会朝着外电场方向位移，而负电荷会朝着反方向位移，正负电荷的相对位移会产生电偶极矩。
2. 离子位移极化：外加电场下，正离子会朝着外电场方向位移，而负离子会朝着反方向位移，正负离子的相对位移产生了电偶极矩。
3. 偶极转向极化：也叫取向极化，只存在于极性分子中，是固有的电偶极子的方向发生改变导致的，会沿着外电场方向定向。
4. 空间电荷极化：也叫界面极化，在非均匀介质中或复合介质中，电介质的导电载流子移动时可能别电介质的缺陷或不同电介质的分界面所捕获，导致电荷分布不均匀而产生电偶极矩。

电介质极化是介质内部的束缚电荷在外电场作用下迁移位置的变化过程，这需要时间，极化机制密切依赖于外电场的频率，会出现介质损耗的现象。

电介质的损耗

在直流的恒定电场下，电介质中没有周期性的极化过程，介质的损耗仅仅是电导产生，所以损耗只和电导率有关。而在交变电场下，除了电导损耗外，还有与外电场交变频率有关的极化过程，也会引起能量损耗。

假设交变电场是时间的正弦函数，可以写成：
$$E=E_m{e}^{j\omega t}$$

存在随时间缓慢建立的松弛极化，电位移量也和时间有关，且相位上滞后于电场角度为$\delta$，即：
$$D=D_m{e}^{j(\omega t-\delta )}$$

因为$D={\epsilon }_0{\epsilon }_{r}E$，

所以${\epsilon }_0{\epsilon }_r=\frac{D}{E}=\frac{D_m}{E_m}{e}^{-j\delta }=\frac{D_m}{E_m}\cos \delta -j\frac{D_m}{E_m}\sin \delta$，

解出${\epsilon }_r$，是相对介电常数，通常是用复数形式表示：
$${\epsilon }_r={\epsilon }_r^{\prime }-j{\epsilon }_r^{\prime \prime }$$

其中，${\epsilon }_r^{\prime }=\frac{1}{{\epsilon }_0}\frac{D_m}{E_m}\cos \delta$,${\epsilon }_r^{\prime \prime }=\frac{1}{{\epsilon }_0}\frac{D_m}{E_m}\sin \delta$

可以求出正切值:$\tan \delta =\frac{{\epsilon }_r^{\prime \prime }}{{\epsilon }_r^{\prime }}$，这就是介质损耗正切，而${\epsilon }_r^{\prime \prime }$是介质损耗因子，${\epsilon }_r^{\prime }$是介质相对介电常数。

又因为$J=\frac{\mathrm{d}D}{\mathrm{d}t}$，

所以$J=j\omega D=j\omega {\epsilon }_0{\epsilon }_{r}E=j\omega {\epsilon }_0{\epsilon }_r^{\prime }E+\omega {\epsilon }_0{\epsilon }_r^{\prime \prime }E$，而前者为无功电流，后者为有功电流。

在电场变化一个周期内，单位体积电介质所消耗的能量为：
$$W=\oint E\mathrm{d}D=\pi E_m{D}_m\sin \delta =\pi {\epsilon }_0{E}_m^2{\epsilon }_r^{\prime }\tan \delta$$

带入$\tan \delta$的表达式，得：
$$W=\pi {\epsilon }_0{E}_m^2{\epsilon }_r^{\prime \prime }$$
可见，电场强度和相对节点常数一定的时候，$\tan \delta$或是${\epsilon }_r^{\prime \prime }$与电介质变化一周期内所消耗的能量成正比。

对于电介质绝缘材料，介质损耗角正切的大小和变化是分析材料绝缘状态烟花的重要参数。

电介质的电导

任何绝缘介质都不是理想的，电场下必然有一定的电流通过，这就是电介质的电导。但这种电流很小，所以也叫漏导电流。

实际电介质中，电阻率约为$10^8\sim 10^{16}\mathrm{\Omega }\cdot \mathrm{m}$。

电介质中的正负载流子的浓度分别为n₊和n_-，而且有n₊=n_-=n，每个载流子所带电量为q，可以算出电流：
$$I=q(n_{+}{v}_{+}+n_{-}{v}_{-})A=qn(v_{+}+v_{-})A$$

如果截面垂直于电场，则电流密度为：
$$J=\frac{I}{A}=qn({\mu }_{+}+{\mu }_{-})E$$

可以写出电导率$\gamma =qn({\mu }_{+}+{\mu }_{-})$，上式就可以表达为：$J=\gamma E$。

在电场强度不高的情况下，正负载流子浓度以及其迁移率是与电场无关的常数。所以此时电导率也是月电场无关的。即电场强度不高的情况下，电介质电导服从欧姆定律。

根据载流子的不同，可以分为：

• 电子电导、空穴电导：载流子是带浮点荷的电子或带正电荷的空穴。
• 离子电导：载流子是解离了的原子或原子团（离子）。
• 胶粒电导：载流子是带电的分子团即胶粒。

电介质的击穿

这指的是在外施加的电场下，电介质由绝缘状态转向导电状态的现象。场强很大的时候，电导率不再是常数，而和电场强度有关。当场强达到一个临界值，介质中电导会急剧增加，电流猛然上升，其绝缘性能被破坏，电介质被击穿，几乎变成导体。

下图为电介质击穿的伏安特性曲线。常以电介质伏安特性的斜率趋于无限大为击穿发生的标志，即$\frac{\mathrm{d}I}{\mathrm{d}U}=\infty$。发生介质击穿时候的临界电压为电介质的击穿电压$U_b$，相应的临界电场强度为电介质的击穿强度或电气强度$E_b$。

击穿还分为电击穿、热击穿和化学击穿。

局部击穿现象

当介质的一部分场强达到了这一部分介质的击穿场强，就会产生局部放电击穿，但并没有贯穿整个介质。这种局部放电往往发生于电场不均匀的情况，例如电力设备制造中会残留气泡，或运行中因为热胀冷缩而产生气隙，或因为材料的老化而分解出气体，都会使得绝缘体系中有气泡。

如下图左图所示，其中的c为空气间隙介质1，a表示与c并联的介质2，b表示与c串联的介质2。空气c介质的介电常数为1，而绝缘介质a与b的介电常数往往比空气大一倍以上，在这里取他的介电常数为2.3，然而绝缘介质的击穿场强为空气的几倍至十几倍，具体而言，空气击穿场强$E_{b1}$约为3kV/mm，而这里绝缘介质的击穿场强$E_{b2}$为28kV/mm。

下图右图为局部放电模型的等效电路。

交流电压的作用下，b与c部分构成的串联不均匀介质界面满足电荷面密度相等，也就是：
$$D_1-D_2={\epsilon }_{r1}{E}_1-{\epsilon }_{r2}{E}_2=0$$
得到电场关系$E_1=2.3E_2$，假设这里的绝缘介质厚度为$d_2=10\mathrm{m}\mathrm{m}$，有一个尺寸为$d_1=0.1\mathrm{m}\mathrm{m}$的微小气泡，对绝缘体系施加$U=20\mathrm{k}\mathrm{V}$电压，那么这个时候绝缘介质的场强为$E_2\approx 2\mathrm{k}\mathrm{V}/\mathrm{m}\mathrm{m}$，远低于其击穿场强$E_{b2}$，那么绝缘体系就不会击穿。但是在气泡的局部范围，电场强度高达$E_1=4.6\mathrm{k}\mathrm{V}/\mathrm{m}\mathrm{m}$，是高于空气的击穿场强$E_{b1}$，所以会发生局部击穿，产生局部放电。

虽然局部放电不是绝缘体系的击穿，但是他会引起一系列反应损坏绝缘材料，使得放电区域不断扩大，直到整个绝缘体系被击穿。

电介质的热学性能

电介质材料的导热相关热学性质，其物理本质和晶格分子有关，晶体点阵中质点总是围绕平衡位置做微小的振动，称之为晶体的热振动。热振动的强烈程度和温度有关。

熔点、软化点和闪点

1. 熔点：在一定压力下，固体的物态由固态转变为液态的温度，即熔化的温度。
2. 软化点：无定型聚合物开始软化时的温度，它不仅与高聚物的结构有关，而且还和其分子量的大学有关。
3. 闪点：液体介质与外界空气形成的混合气与火焰接触时发生瞬间闪火的最低温度。

黏度、耐寒性和热冲击稳定性

1. 黏度：流体对流动所表现的阻力，表示液态物质分子间作用力大小。
2. 耐寒性：材料处于低温环境下，其主要的基本性能不发生劣化的能力，例如黏度、柔软性、力学性能等。
3. 热冲击稳定性：材料抵抗急速加热或急速冷却作用的能力。

最高允许工作温度

电介质的最高允许温度指的是在这个温度下，材料的电学、力学。、化学等性能能保持长期正常运行，当超过这一温度时，电介质的性能将显著下降。

国际上根据绝缘材料的耐热程度，划分了绝缘材料的耐热等级，如下表所示：

耐热等级	Y	A	E	B	F	H	200	220	250
工作温度（C°）	90	105	120	130	155	180	200	220	250

注：温度超过250C°后，每增加25C°为一级。

电介质的力学性能

电介质的力学性能指的是材料抵抗变形和断裂的能力，例如材料的软硬程度、材料的脆性、材料抵抗外力的能力、材料可逆形变的能力、含缺陷材料抗断裂能力、材料抵抗多次外力能力和特殊力学条件下材料性能等等。

可以根据材料的应力-应变曲线把电介质分为以下五大类：

1. 软而弱：稍加应力就有很大应变，强度低，伸长率一般。
2. 软而韧：弹性模量低、屈服强度低、拉伸强度一般，可逆应变大。
3. 硬而韧：弹性模量高、屈服强度高、拉伸强度高，应变大。
4. 硬而强：弹性模量高、机械强度高、应变不大。
5. 硬而脆：弹性模量高、机械强度中、应变小。

电介质材料的老化

材料的老化

电介质的老化指的是材料在储存使用过程中，受到电、热、力、光、氧、潮气、化学药品、高能辐射线以及微生物等因素长时间作用，其性能发生不可逆劣化的现象。

材料在使用中所能维持基本功能的时间称为材料的寿命。在各个因素的作用之下，材料能长时间耐受老化作用的能力称为材料的耐久性。

老化的类型

绝缘材料的老化通常是由表及里。但也有例外，例如电树枝化，由材料发热引起的热老化，几乎都是从内开始的。

材料性能的老化有的和分子变大有关，有的和分子变小有关，取决于不同老化形式引起的材料结构发生交联或降解反应有关。

• 交联反应使得分子量加大，而且逐渐形成网状结构。
• 降解反应使得分子量减小，聚合度下降，甚至产生低分子挥发性物质。

老化可以分为：

1. 电老化：因为高电压以及高场强及其产生的放电、电流、电化学等因素的长期作用，这是绝缘材料独有的老化形式。电老化可分为无放电老化和放电老化，具体表现为电晕放电、电弧放电、火花放电、电树枝化、电化学树枝化、电化学腐蚀等。
   • 无放电老化：主要是强电场、电热、电化学效应。
   • 放电老化：主要是放电作用。放电过程汇总会产生过热、局部烧蚀、紫外线辐射、活性粒子等加速老化。
   • 放电老化是电老化的主要形式。电晕放电强度较低，电弧放电强度最高，火花放电强度介于两者之间。
2. 热老化：因长期的热的作用。温度越高，老化越快。介质主要是发生热降解反应。
   • 热氧化老化：最主要、普遍的形式，因为热和空气中氧的联合长期作用所致。
3. 疲劳：因为机械外力长期反复所导致，它和应力作用之下发生高分子降解产生活性中心，再和氧反应进一步氧化有关。
4. 光老化或光氧化老化：为户外绝缘材料的主要老化形式，因为材料受光和氧长期作用所导致。氧分子被光子激发后有很强的化学反应能力，会明显有老化作用。
5. 高能辐射老化：包括X射线等，能量高达10²~10⁸eV。材料受到辐射，原子会离子化，还会进一步产生自由基，而自由基会发生各种反应。
6. 化学老化：因为水、溶剂、酸、碱、氮和硫的氧化物、气体等化学物质的长期作用所导致。例如有臭氧老化，吸水老化。
7. 生物老化：因为生物例如老鼠、白蚁，或者是微生物例如霉菌等长期损害所导致。

老化的原因

• 内在原因：绝缘材料分子结构有弱点、材料中存在外来或本身产生的杂质，还有绝缘体系中不同材料之间的兼容性较差。
• 绝缘材料的分子结构中最弱的化学键常常是老化的开始之处。
• 聚集态和相态影响活性杂质对于材料的渗透，还有材料中老化产物的迁移。

老化的防止

首先要消除结构上的弱点和杂质。材料制备和工艺上有以下的措施：

1. 提高原材料的纯度。
2. 改进聚合方法。
3. 改进加工工艺。
4. 添加不同的防老化剂。