现在有一款产品需要1.005V高电压启动,0.903V低电压运行,这也是从低功耗的角度设计。
下面电路就是利用一颗N沟道MOS管来实现上电瞬间输出高电压,核心板启动之后,输出低电压:
SAR_GPIO1引脚接的MCU 的GPIO口,先上datasheet:
电路上电瞬间,MCU还未启动,SAR_GPIO1处于悬空状态,MOS管Q2由R13上拉到3.3V,此时MOS管处于导通状态,R11和R12并联,并联阻值为R11*R12/(R11+R12) = 75kΩ,即上图的计算公式的R2阻值为75kΩ,根据上图计算可知Vout = 1.05V。
MCU启动之后,使SAR_GPIO1引脚输出低电平,此时MOS管处于截止状态,R12悬空,计算公式的R2的阻值为R11的阻值,100kΩ,Vout=0.6*(1+R1/R2) = 0.6*(1+50k/100k) = 0.9V。
这样就实现了高电压启动,低电压运行的目的。