关于BJT三级管饱和区的分析

看了好多篇关于三极管饱和区博客，感觉解释要不是有些牵强，要不就是有问题，在这里总结一下我的理解。
首先需要知道的是在一个合适Vbe下BJT的Ic随Vce的变化曲线，这里的合适指的是保证三极管的发射极是正偏的，即Vbe大于0.7v，三极管处于线性工作区。

上面这张图可以看到，Ib等于0即是截至区的边界，其实这里Ib应该是接近于零，这时三极管刚好无法导通，此时Vbe在理想情况下是小于0.7v的。图中截至区内的曲线描述了三极管的基极-发射极结在反向偏置情况下的图像，这种情况下，由于少数载流子的热激发，仍然会有很小的电流从集电极流向基极，这个电流就是Icbo，反向饱和电流。Ie=Ic+Ib，Ie=0，Ic=-Ib，这部分Ic的曲线就近似单个pn结在u<0.7v时的图像（最后的击穿电流就不在这里讨论了）：

下面我们接着讨论一下在截至区外的曲线，我们确定Vbe>0.7v，Ib>0，发射极正偏。首先固定一个Vbe值，单独看一条曲线。
Vbe固定后，基极-集电极的电压Vbc就可以表示为：Vbc=Vbe-Vce。假设我们固定的Vbe值是0.7v，Vbc=0.7-Vce。当Vce<0.7v时，基极-集电极结处于正向偏置，这个时候随着Vce的增加，集电极吸引发射区电子的能力逐渐增加，电流的变化曲线形成了最上方图片最开始的那一段。接着，Vce>0.7v，集电极反偏，电子从发射极注入，在基极扩散，最后被集电极吸收，形成稳定的Ic电流，Ib被放大为了Ic。至于为什么实际上Ic还在随着Vce递增，这是因为基区宽度调制现象，即厄利效应，在这里不详细解释。

在了解完上述部分后，我们可以深入饱和区的概念。这里饱和区的意思是针对Ib与Ic的关系来说的。我们平常说三极管的放大，放大的就是输入电流Ib。但是最上面的Ic-Vce曲线中，Ib与Ic的关系并不明显，所以我们单独绘出Ib Ic关系曲线：

下面我们先了解一下右边这个Ic-Ib图像是怎么来的：

这是一个基本的BJT放大电路，根据电流电压关系，我们可以很轻易得出：

假设Rc为80Ω，该关系式就可以在上面的图中用绿线表示出来。绿线与多条Ib的曲线产生了交点，这些交点就表示在这个Rc与Vcc条件下，对于不同Ib情况下，该三极管的工作点。我们将这些交点的Ib和Ic值映射到一张单独的图上，就可以产生右边的Ic-Ib图像。

可以发现，这个图有三个颜色区域，分别为绿色，蓝色与红色。绿色为正比关系，就是我们常描述的三极管的线性放大区，其斜率也就是我们常说的电流放大系数β，随后该曲线逐渐缓和，进入饱和区，即Ic不再随着Ib的增加而线性增加。那么到底什么时候才算饱和呢？在实际工作中，我们常用Ib*β=Vcc/Rc来判断饱和的临界条件，我们通过这个式子计算出Ib，找到左图对应的Ib曲线与绿色线的交点，该工作点即被认定为饱和临界点，对于这个交点上方的所有其他交点，我们认为它们都处于饱和区中。由此取不同Vcc与Rc值的情况下，我们可以得到若干这样的饱和临界点，将这些临界点相连，就可以得到下图中的饱和临界曲线：

该曲线前的所有部分都被认为处于饱和区当中。事实上，我们会发现，Ib等于Vcc/(Rc*β)时，三极管已经在饱和状态中了，只不过这时Ic-Ib曲线还较为平滑，我们仍认定其为临界点。

所以实际上，Ib的饱和临界点应该落在基极-集电极正向偏置（Vce<0.7v）的某个点内，具体还需要依靠电流放大系数与实际的放大电路决定。饱和临界点不是Vce=0.7v的点。

最后再从理论层面简单说明一下饱和：在放大区域Vce满足：Vce=Vcc-Ib*β*Rc，Ib增大时，会造成Vce减小，当Vce<Vbe时，集电极正偏，其吸引发射区电子的能力下降。在某个临界点，我们认定集电极电流不再随基极电流增大而线性增大，这个在正偏中的某个点就是饱和临界点。

更复杂来说，β其实在饱和点临界点时不等于其原先的电流放大倍数，但是在这篇文章中就不深入研究了。

一部分内容参考：三极管饱和区的详细解释-CSDN博客