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RSS订阅原创 Simulink之单管非隔离直流斩波器
降压式直流斩波电路（Buck变换器）在开关导通期间，二极管反向截止，电源通过电感向负载电阻供电，电容也开始充电。此间IL = Is线性增加，电感L的储能也增加，导致在电感两端有一个正向电压UL = Us - U0，左正右负。在开关关断期间，电感产生感应电动势，左负有正，使续流二极管导通，故IL通过二极管续流。由于输出端大电容的作用，电感两端电压恒定，电感电流IL线性下降，电感上的能量逐步消耗在负载上。负载两端电压U0仍然上正下负。当IL<I0时，电容处在放电状态，以维持I0和U0不变。由于二极
2021-02-27 19:20:49
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原创 Simulink之交流调压电路
晶闸管单相交流调压电路用两个反向并联的晶闸管与负载电路组成。正负半周分别有一个晶闸管导通，并通过触发角改变输出平均电压，实现调压功能。
2021-02-25 15:28:53
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原创 Simulink之PWM整流器
先看一下电压型单相PWM整流器的结构。假设直流侧电压已经稳定，我们采用直流电压源代替。先从左向右看，假设直流侧在提供能量。将正弦波平均分成n等份，然后用与之面积相等的矩形脉冲来代替。将每等份面积等式表达出来δ * (Ud / 2) = (Um * sinθi)* (π / n)，即。第i个脉冲的宽度与该处正弦波值近似正比。SPWM是以正弦波作为基准的调制波，等腰三角波作为载波。调制波高于载波电压的部分可以看做为与载波相似的等腰三角形，底和高成正比。该三角形的底约等于...
2021-02-24 17:42:03
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原创 Simulink之脉宽调制（PWM）逆变技术
单相单极性电压SPWM逆变电路将正弦波平均分成n等份，然后用与之面积相等的矩形脉冲来代替。将每等份面积等式表达出来δ * (Ud / 2) = (Um * sinθi)* (π / n)，即。第i个脉冲的宽度与该处正弦波值近似正比。SPWM是以正弦波作为基准的调制波，等腰三角波作为载波。调制波高于载波电压的部分可以看做为与载波相似的等腰三角形，底和高成正比。该三角形的底约等于脉宽，三角形的高约等于正弦波值。改变调制波的频率时，输出电压基波的频率也随之改变；降低调制波的幅值时，各段脉宽都.
2021-02-24 14:31:35
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原创 Simulink之多重逆变电路
串联二重单相电压型逆变电路把两个单相逆变电路导通的相位错开60°，两者中所含3次谐波互相抵消，所得到的总输出电压中就不含3次谐波。
2021-02-23 21:42:44
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原创 Simulink之负载换流式无源逆变电路
并联谐振式电流型逆变电路首先，因为电容的存在，晶闸管能够不断换流。在直流侧串联大电感，时直流侧电流恒定。此时，输出侧电流为矩形波。将负载换成RLC并联电路，从幅频特性可以看出频率接近f0时阻抗最大。当电流通过负载时，远离f0频率的谐波分量被抑制（假设为0），只剩下靠近f0频率的谐波分量。因此电压波形接近频率为f0的正弦波。电压波形接近频率为f0的正弦波。此时，如果负载纯阻性，晶闸管换向触发的瞬间，电压刚好过零点，晶闸管不会导通换向。因此，想要晶闸管在换向触发时导通，需要保证电流的
2021-02-23 16:16:53
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原创 Simulink之电网电压换流式有源逆变电路
单相半双波有源逆变电路当α在90＜α≤180范围内变动时，输出电压负面积总是大于正面积，故平均值为负值。此时，电流从直流侧下端流出，因此直流侧在释放能量并将其转变成交流电能反馈回电网。...
2021-02-22 10:33:22
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原创 Simulink之相控整流电路的组合
带平衡电抗器的双反星形大功率相控整流电路对比不带电抗器的双反星形相控整流电路和带电抗器的双反星形相控整流电路带电抗器的双反星形相控整流电路，同时有两个晶闸管导通，提高了整流元件承受负载的能力。...
2021-02-21 09:55:48
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原创 Simulink之变压器漏抗对整流电路的影响
由于变压器存在漏抗，对电流的变化起阻碍作用，电感电流不能突变，因此晶闸管器件的换相过程是不可能瞬时完成的。由波形可以看出：1.存在电流重叠角。2.存在换相压降。
2021-02-20 20:28:19
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原创 Simulink之三相桥式半控整流电路
将三相桥式半控整流电路，封装成子系统。将同步触发电路，封装成子系统。对比三相桥式全控整流电路和三相桥式半控整流电路的波形。三相桥式全控整流电路，触发角为0~120；三相桥式半控整流电路，触发角为0~180。...
2021-02-17 21:57:39
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原创 Simulink之三相桥式全控整流电路
将同步触发电路，封装成子系统对比三相半波可控整流电路和三相桥式全控整流电路的波形。三相桥式全控整流电路，输出电压一个周期脉动六次，平均电压波形比三相半波可控整流电路，更加平缓。当α=0时，输出整流电压最大；增大α时，波形的面积减小，即整流电压减小；当α=120时，整流电压为0。所以电阻性负载控制角α的移相范围为0~120。当α≤60时，负载电流连续；当α＞30时，负载电流断续。同样，当负载为负载呈阻-感性时，负载两端电压出现负值。为了应对这种情...
2021-02-17 18:20:44
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原创 Simulink之三相半波可控整流电路
将三相半波可控整流电路，封装成子系统。将同步触发电路，封装成子系统对比单相半波可控整流电路和三相半波整流电路的波形。三相半波可控整流电路，输出电压一个周期脉动三次，平均电压波形比单相可控整流电路，更加平缓。当α=0时，输出整流电压最大；增大α时，波形的面积减小，即整流电压减小；当α=150时，整流电压为0。所以电阻性负载控制角α的移相范围为0~150。当α≤30时，负载电流连续，每个晶闸管在一个周期中持续导通120；当α＞30时，负载电流断续，晶闸管的导通角...
2021-02-15 21:38:49
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原创 Simulink之单相可控整流电路
单相半波可控整流电路通过改变触发脉冲控制角α的大小，控制晶闸管的导通相位，使直流输出电压的波形发生变化，即负载上输出电压的平均值发生变化，这种整流方式称为可控整流。由于晶闸管只在电源电压正半波区间导通，输出电压为极性不变但瞬时值变化的脉动直流，故称为“半波”整流。当负载为纯阻性时，电压和电流成正比，波形同相位，电流可以突变。下面采用matlab求解半波整流电路中的关键参数...
2021-02-10 17:02:13
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原创 Simulink之不可控整流电路
不可控整流电路采用整流二极管，故也称这类电路为二极管整流电路。目前常用的是单向桥式和三相桥式两种接法。带滤波电路的单相桥式不可控整流电路从稳定状态开始分析（0.02S之后）：1.电源电压正半周，电源电压小于电容电压时，二极管不导通。直流侧为一阶电路零输入响应模型，电容向电阻放电，提供负载电流。电容电压开始下降，时间常数τ=RC。2.电源电压正半周，电源电压大于电容电压时，VD1和VD4导通。电源立即提供正向电流，开始向电容充电，同时向电阻供电。电容电压随电源电压变化。3.电源..
2021-02-09 19:20:59
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原创 Simulink之理想开关
仿真模型路径电路模型输入输出1/2：双向端 g：门极 m：测量电流和电压[Iak， Vak]参数Ron：内电阻。Ic：初始电流。设为非零时，表示从导通开始。Rs：缓冲电阻（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Rs为0，纯电容。Cs：缓冲电容（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Cs为inf，纯电阻。Rs为inf，Cs为0，消除缓冲。...
2021-02-09 16:14:11
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原创 Simulink之绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
IGBT由P-MOSFET和GTR混合组成的电压控制型自关断器件。它将P-MOSFET和GTR的优点集于一身，既具有P-MOSFET输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、热稳定性好、驱动电路简单的长处，又有GTR通态电压降低、耐高压和承受电流大的优点。电气符号外形原理当Uce<0时，IGBT呈反向阻断状态。当Uce>0时，若Uge<Ut（开启电压），IGBT成正向阻断状态；若Uge>Ut（开启电压），IGBT导通。特性I区：可...
2021-02-09 16:13:38
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原创 Simulink之功率场效应晶体管（P-MOSFET）
功率场效应管（P-MOSFET）属于电压全控型器件，门极静态电阻极高、驱动功率小、工作频率高、热稳定性好；但是电流容量小、耐压低、功率不易做大，常用于中小功率开关电路。电气符号外形特性输出特性和转移特性（和MOSFET类似）：作为电力开关使用时，导通时必须工作在线性导电区I，否则通态压降太大，功耗也大。主要参数通态电阻Ron：在确定Ugs下，由线性导电区进入饱和恒流区时的直流电阻，它是影响最大输出功率的重要参数。开启电压Ut：沟道形成所需的最低...
2021-02-09 16:13:05
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原创 Simulink之大功率晶体管（GTR）
GTR和BJT一样是三极管的一种，属于电流控制型自关断器件。电气符号外形特性输出特性（和BJT类似）：作为电力开关使用时，其断态工作点必须在截止区，通态工作点必须在饱和区。主要参数电压参数：发射极开路时，集电极-基极反向击穿电压BUcbo；基极开路时，集电极-发射极击穿电压BUceo；发射极和基极用电阻连接时，集电极-发射极击穿电压BUcer；发射极和基极短路时，集电极-发射极击穿电压BUces；发射结反偏时，集电极-发射极击穿电压BUcex。BU...
2021-02-09 16:12:26
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原创 Simulink之门极关断晶闸管（GTO）
晶闸管的派生器件，属于全控型器件。电气符号特性阳极加正向电压，门极加正脉冲信号，GTO由断态转为通态，开通时间ton=td+tr。GTO导通后，门极加负负脉冲信号，GTO关断，关断时间toff=ts+tf。主要参数大多数和普通晶闸管相同。最大可关断阳极电流Iato：用门极电流可以重复关断的阳极峰值电流阳极尖峰电压Up：下降时间的尾部出现的尖峰电压。关断增益βoff：最大关断阳极电流Iato与门极负电流最大值之比。维持电流Ih：阳极电流减小到开...
2021-02-09 16:11:52
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原创 Simulink之晶闸管（可控硅SCR）
晶闸管又称可控硅，属于半控型器件。电器符号外形原理导通：阳极-阴极加正向电压，门极-阴极加合适的正向电压。关断：阳极电流减小到一定数值以下。（晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用）特性在门极电流Ig1=0的情况下，逐渐加大正向阳极电压，晶闸管处于断态，只有很小的正向漏电流；增加正向阳极电压，当达到转折电压Ubo时，漏电流突然剧增，自身压降很小，晶闸管正向导通（门极电流越大，阳极电压转折点越低；正常情况下不允许把阳极电压加到Ubo来使晶闸管导通）。正常...
2021-02-09 16:11:21
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原创 Simulink之功率二极管（整流二极管）
功率二极管又称整流二极管，属于不可控器件电气符号A端为阳极，K端为阴极 外形伏安特性正向特性：电压小于门坎电压时，二极管只流过很小的电流；电压大于门坎电压时，电流急剧增加，呈现低阻态，管压降约0.6V。反向特性：开始只有很小的漏电流，电压增大，电流增大，呈现高阻态；电压增加到超过Uro，漏电流击穿管子，呈现短路或开路状态。主要参数正向平均电流Ivd（额定电流）：长期允许通过的最大工频半波电流的平均值。正向压降Uvd（管压降）：管子流...
2021-02-09 16:10:18
14382
1
C语言ntp协议获取网络时间
2017-04-12
经纬度计算日出日落时间(C语言)
2017-04-12
空空如也
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