基于MOS管的防反接电路设计仿真

        本篇文章介绍基于MOS管的防反接电路设计，前面发过基于MOS的过压保护，其核心原理就是控制MOS的导通与关断。在防反接方面，也可以基于这一原理进行电路设计。

1.NMOS防反接电路

（1）正常接入电源时

        电路正常接入时，因为稳压二极管的稳压作用，NMOS管的Vgs>Vgs(th)，此时NMOS工作在导通状态。

 （2）电源反接时

         电源反接后，NMOS将不满足导通条件（Vgs=0V），因而关断。

2.PMOS防反接电路

         PMOS和NMOS电路相似，也是由3个器件构成，原理和NMOS一样，在此不再赘述了。

3.补充

        对于以上防反接电路，我看别人的电路好像都是只用一个电阻和一个MOS管，没有用稳压二极管。我想了一下，其实用不用稳压二极管，都可以防反接，但是正常工作时（电源正接）的电压最大值不一样，如果不用稳压二极管，那么电路正常工作时，Vgs将会等于输入电压，MOS管的Vgs肯定有最大值，所以对于不同的MOS，应用在防反接电路时，这个最大值就决定了这个电路的最大工作电压。

        那么对于有稳压二极管的电路呢?有稳压二极管的电路，MOS的Vgs在正常工作时始终被钳位在稳压值，所以不用担心因为Vgs过大管子会击穿。

        Vgs标称耐压一般在20~30v左右，对于防反接电路设计，我的建议是，先选型好MOS，再根据其Vgs耐压和实际应用电路的电压，决定要不要加稳压二极管，当然，有条件多加个更好。

        对于以上仿真电路，我已经在实际电路中应用，是完全没问题的，分享出来供大家参考学习，如果哪里有错，还请指正！