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敢问路在何方
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存储器电路性能仿真平台CACTI和NVSIM使用心得
目录NVSIM简介使用存储单元配置结果CACTI简介使用存储单元配置结果NVSIM简介NVSIM平台发表于2014年,至今已有500+引用,用于仿真新型存储器(RRAM,STT-MRAM,PCM,FBRAM,SRAM,3D-NAND)这些的timing,power,area。NVSIM paperNVSIM github 工程可设置的内容会具体到各个子电路模块,比如你可以改换SA的类型。使用本来直接命令行输入make编译就可以了,但是报错要在linux里装c++的编译器,叫g++原创 2022-05-12 00:34:22 · 2826 阅读 · 2 评论 -
存储器电路设计学习记录之 版图验证DRC LVS LPE 及后仿扫盲
目录版图设计步骤版图设计方法分类版图设计完成后的验证工作1.设计规则检查 (DRC)2.版图与电路图一致性检查 (LVS)3.电学规则检查(ERC)4.版图寄生参数提取 (LPE)功能仿真(后仿)1. 连写连读2. 连续读写3. 交叉读写4. march C+ 算法本文主要参考自2007届 西电 杨清宝 的**《嵌入式 SRAM 的高速、低功耗设计及优化》**硕士论文,知网下载。版图设计步骤整个版图的设计工作可以分为划分(partition)、布图规划 (floorplanning),布局(place原创 2022-03-23 23:04:20 · 12772 阅读 · 0 评论 -
存算一体文献阅读笔记二:XNOR-RRAM architecture for BNN from Shimeng Yu in ASU 2017
目录参考文献Background:BNN与XNOR operation前向传播反向传播XNOR小结RRAMCircuit designPeripheral circuitSAmux & decoder参考文献[Sun, X., Yin, S., Peng, X., Liu, R., Seo, J. S., & Yu, S. (2018). XNOR-RRAM: A scalable and parallel resistive synaptic architecture for bin原创 2022-03-15 16:40:11 · 1958 阅读 · 2 评论 -
存算一体文献阅读笔记一:UCSB-谢源-PRIME-RRAM NN Architecture
PRIME: A Novel Processing-in-Memory Architecture for Neural Network Computation in ReRAM-Based Main Memory. Proceedings .Chi, P., Li, S., Xu, C., Zhang, T., Zhao, J., Liu, Y., Wang, Y., & Xie, Y. (2016).原创 2022-02-24 16:56:09 · 2498 阅读 · 4 评论 -
MRAM学习笔记——4.SOT-hall器件的测试
目录前言测试方案器件情况Paper1:Cao(2019,Advanced Functional Materials)测试1测试2测试3测试4测试5测试环境Paper2:Zhang(2019,Advanced Electronic Materials)测试1测试2测试3测试4测试5测试环境最后前言最近因为摸鱼摸得不像话,以及测试hall器件的方案理得不清楚,被小导师连着骂了好几顿。痛定思痛,多刷几篇SOT-hall器件的测试的文章看看。下面这两篇挺典型的,对器件测得非常细致。[Cao, Y., Ru原创 2021-07-20 11:08:50 · 1651 阅读 · 1 评论 -
MRAM学习笔记——3.SOT-MTJ SPICE model解析
LLG方程[Wang, M., Cai, W., Zhu, D., Wang, Z., Kan, J., Zhao, Z., Cao, K., Wang, Z., Zhang, Y., Zhang, T., Park, C., Wang, J. P., Fert, A., & Zhao, W. (2018). Field-free switching of a perpendicular magnetic tunnel junction through the interplay of spi.原创 2021-07-16 23:13:06 · 2689 阅读 · 2 评论 -
MRAM学习笔记——2.VGSOT
[Wu, Y. C., Garello, K., Kim, W., Gupta, M., Perumkunnil, M., Kateel, V., Couet, S., Rao, S., Beek, S. Van, Sethu, K. K. V., Yasin, F., Crotti, D., & Kar, G. S. (n.d.). Voltage-Gate Assisted Spin-Orbit Torque Magnetic Random Access Memory for High-Dens原创 2021-07-16 10:44:35 · 2387 阅读 · 8 评论 -
MRAM学习笔记——1.VCMA介绍
留下些自己总结的文字笔记,文献看完之后再咀嚼咀嚼,以后写大论文也好找素材。目录背景:STT-MRAM,SOT-MRAM的不足VCMA的工作原理VCMA效应公式VCMA SPICE modelVCMA仿真性能总结背景:STT-MRAM,SOT-MRAM的不足STT-MRAM 由于其读写路径不分离,而写电流通常为几十甚至几百uA量级,故而绝缘层的焦耳热积累比较严重,使得endurance不够出色,功耗也较大;SOT-MRAM实现了读写分离;当对底层重金属注入电荷流,基于自旋霍尔效应(SHE)会产生一个自原创 2021-07-15 16:44:48 · 3382 阅读 · 7 评论