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电路设计
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敢问路在何方
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存储器电路性能仿真平台CACTI和NVSIM使用心得
目录NVSIM简介使用存储单元配置结果CACTI简介使用存储单元配置结果NVSIM简介NVSIM平台发表于2014年,至今已有500+引用,用于仿真新型存储器(RRAM,STT-MRAM,PCM,FBRAM,SRAM,3D-NAND)这些的timing,power,area。NVSIM paperNVSIM github 工程可设置的内容会具体到各个子电路模块,比如你可以改换SA的类型。使用本来直接命令行输入make编译就可以了,但是报错要在linux里装c++的编译器,叫g++原创 2022-05-12 00:34:22 · 2826 阅读 · 2 评论 -
存储器电路设计学习记录之 同步SRAM存储器电路设计ch1:总体架构&工作状态转换&读写时序
这堆文章就着一堆SRAM的研究生论文和一本书《CMOS SRAM Circuit Design and Parametric Testin Nano-Scaled Technologies》来完成这个小项目,不深究SRAM,只掌握存储器外围电路的设计技能,在cadence上基于28nm FDSOI工艺进行仿真设计,会尝试一点版图和后仿,先学会前仿再说。参考以下SRAM硕士文章进行复现:文章目录总体结构状态描述工作时序总体结构静态随机存储器有同步(Synchronous)与异步(Asynchrono原创 2022-04-01 22:56:12 · 2638 阅读 · 0 评论 -
存储器电路设计学习记录之 buffer提高驱动能力/带负载能力
这里只讨论数字电路里的双反相器式buffer,模拟运放型的Buffer不懂。以前学的只记得buffer链用来插在长wire中以减小delay,还有放在大扇出逻辑中形成buffer tree来减小扇出,保证摆幅,减小延迟,也就是保证驱动能力了。自己有个理解,但是讲起来还是绕,下面是各家的解释:目录1.数字电路的输入输出端加buffer的作用是什么?2.他和反相器的区别在哪啊?3.增强驱动能力/减少连线负载/降低delay都是如何体现的?4. 确保信号时序正确5. 增强驱动能力什么是带负载能力提高驱动能力原创 2022-03-24 20:13:40 · 7610 阅读 · 1 评论 -
存储器电路设计学习记录之 版图验证DRC LVS LPE 及后仿扫盲
目录版图设计步骤版图设计方法分类版图设计完成后的验证工作1.设计规则检查 (DRC)2.版图与电路图一致性检查 (LVS)3.电学规则检查(ERC)4.版图寄生参数提取 (LPE)功能仿真(后仿)1. 连写连读2. 连续读写3. 交叉读写4. march C+ 算法本文主要参考自2007届 西电 杨清宝 的**《嵌入式 SRAM 的高速、低功耗设计及优化》**硕士论文,知网下载。版图设计步骤整个版图的设计工作可以分为划分(partition)、布图规划 (floorplanning),布局(place原创 2022-03-23 23:04:20 · 12772 阅读 · 0 评论 -
电路设计学习一:DAC/ADC原理
文章目录参考文献DAC基本原理DAC分类倒T型电阻网络权电流转换器DAC的性能指标分辨率转换速度ADC基本原理ADC分类ADC的性能指标ADC的位数分辨率基准源转换速率量化误差参考文献DAC数模转换/ADC模数转换单片机 AD/DA数模转换模数转换(A/D)与数模转换(D/A)DAC基本原理DAC将输入的数字量按权的大小,通过电阻网络转化为模拟量,再通过加法电路,转换为与数字量成比例的模拟量。实际上就是二进制转换为十进制的过程。基本组成包括锁存器、电子开关、基准源、权电阻网络和求和电路。锁原创 2022-02-27 17:49:11 · 27353 阅读 · 2 评论