VASP吸附

最新推荐文章于 2024-12-19 11:23:19 发布

PenicillinWell

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分类专栏： VASP 文章标签：材料工程

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VASP吸附笔记

表面模型的构建
吸附位点的寻找
影响吸附能的因素

化学吸附：电荷转移→化学成键
物理吸附：弱相互作用→范德华力
区分：①是否存在共用电子对 ②吸附能大于0.4eV一般为化学吸附

吸附能：E_吸附=E_吸附终态-E_初始态=E_总吸附态-E_表面-E_分子

表面模型的构建

VASP吸附能的计算需要构建三个状态模型，分别是物质表面、气体分子及气体分子在表面的吸附态，再将三者能量做差，获得吸附能值。

原胞优化、切面
分子优化
构建吸附态

①吸附态和表面的K点：5 5 1
②分子K点：1 1 1
③ INCAR 中设置 ISIF=2，其他参数（包括赝势）保持一致，作差才有意义

吸附位点的寻找

按照对称性尝试不同非等价吸附位点
计算各点吸附能
吸附能最大的位点为最佳

影响吸附能的因素

K点：7 7 1；5 5 1；3 3 1… K点越大，计算越精确
表面层数
固定的表面层数
超胞大小

Tips：

分步优化效率更高：原胞优化时先使用低精度K点，将CONTCAR cp 为 POSCAR，再使用高精度K点优化。

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如何以dat文件为数据源使用python编写knn算法_使用脚本绘制吸附势能面

weixin_39625747的博客

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算吸附能时一般只需要算分子在高对称点的吸附能，比如算Li在铜表面的吸附能，我们只需算Li在Cu(111)面的Top，HCP，FCC和Bridge位的吸附能即可。但是这些离散的点没法帮你构建一个“势能面”，也就是无法得到吸附能在表面究竟是怎么分布的. 下面的文献里DOI：10.1063/1.4901055有一张图非常生动，讲的分别是Li在Li(001)以及Mg在Mg(0001)表面的吸附势能分布，我...

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通过基态电子因素和吸附物的特性来解释这一点，即d-填充分数（fd）、d-带中心、dstates的宽度、反键合状态的填充以及重新规范化的吸附物状态的位置。在所有情况下，这种近似导致的模型只依赖于与金属表面严格相关的参数，即状态的d带密度、d带中心、表面加权配位数和位置稳定性，并且都与等式(1)相关。因此，吸附位点是固定的，吸附相对于参考状态的所有变化都可以完全归因于围绕物相对于参考状态引起的电子结构的微小扰动。以及随着d带中心的下降，氧的结合能变得更强，证明了模型推导的正确性，明确考虑了反键态的填充。

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【VASP论文解读】Int. J. Hydrogen Energy：铂单原子@蓝磷催化剂基本性质及其析氢反应活性的影响

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由此产生的接近费米能级的电子态源于BP和H在s态和p态的轨道杂化。有趣的是，H2与BP-Pt的某些位点，如hcp (1)和fcc (2)相互作用，可能导致氢的解离，导致两个氢原子吸附在BP 平面的相对两侧。在4个不同的吸附位点上，分析了一个铂原子在BP 单分子层上的吸附情况，虽然hcp和顶部位点可以吸附，但fcc位置是最稳定的。重要的是，从能带结构和DOS(图6)可以看出，BP与H2分子的相互作用不会引起BP的电子结构的变化，含H2的BP中的Pt原子在费米能级附近产生额外的导带，并降低了最小导带。

vasp 吸附能最佳吸附位置

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VASP 可以通过计算吸附能来研究分子在材料表面的吸附行为。吸附能是指分子在材料表面上的能量变化，可以通过计算吸附前后的材料总能量来得到。在计算吸附能时，需要考虑分子在表面上的不同吸附位置，以找到最稳定的吸附位置。以下是一些找到最佳吸附位置的方法： 1. 手动搜索：可以通过手动移动分子在表面上的位置，然后计算吸附能来找到最稳定的吸附位置。 2. 网格搜索：将表面划分成网格，然后在每个网格点上计算吸附能，以找到最稳定的吸附位置。 3. 遗传算法：利用遗传算法对吸附位置进行搜索，以找到最稳定的吸附位置。无论使用哪种方法，都需要进行多次计算来确定最稳定的吸附位置。在找到最佳吸附位置后，可以通过计算吸附能以及分子在该位置的几何结构来研究分子在表面上的吸附行为。