gmid方法设计五管OTA二级运放

首先给出第一级是OTA，第二级是CS的二级运放电路图：

gmid的设计方法可以根据GBW、Av、CL来进行电路设计，因此在设计电路之前需要以上的参数要求。

1、为了满足电路的相位裕度至少60°，需要对GBW、主极点、零点进行分析。
首先给出其表达式：

GBW=gmin/Cc
p1=-gm1/CL
z=gm7/Cc

p1为主极点，实际位置在第一级输出点；
p2为次极点，实际位置在第二级输出；
z为零点，实际位置在密勒补偿支路上，零点的产生是由于有两条前馈通路。

按我们理想的设计方法进行增益、相位设计时，在单位增益带宽内应该只有一个极点，因此可以近似为单极点系统。因此考虑如下的相位图：

主极点贡献90°相位是我们不能控制的，只能尽量将第二极点、零点频率尽量增大来提高相位裕度。

以相位裕度PM60°为指标，可以设计为：
第二极点频率=3GBW；
零点频率=6GBW；
这样大约有62°相位裕度。
根据 零点频率是第二极点频率二倍，我们可以计算出第一级输入管跨导gm1是第二级输入管跨导gm2的6倍；

gm1=6*gm2

也能够计算出

CL=2Cc

再根据主极点频率公式可以计算出gm1的数值，便可以计算出gm2的数值。

2、下面选定管子长度：

输入管的gmid可以选取10~12，我选择10，这个取值和FOM有关，后续学习后会补充。

确定gmid=10后，也可以计算出两级运放每一级运放的工作电流Id1和Id2。

根据电路图计算二级运放的增益计算公式为：

Av=gm1,2*（ro1,2//,ro3,4)*gm7 *（ro7//ro6）

这里假设并联的电阻阻值近似相等，可以算出

Av=（self_gain（第一级）self_gain（第二级））/4

此时根据NMOS和PMOS的gmid_selfgain曲线进行L的选择，这里给出gmid=10时的曲线。（w对于selfgain影响较小，忽略w的影响）

（gmid的取值是一个经验量，一般输入管的gmid取10-12，电流镜取8-10）
且第二级的NMOS和第一级的NMOS要采取相同的gmid，才能使得两者的Vgs匹配

NMOS↓
PMOS↓
对NMOS和PMOS分别选择合适的L，使其self_gain的乘积满足上边提到的等式，比要求高一些稳妥。

确定L后根据L进行W的确定，选择扫描gmid_id曲线，w设定为1u，这样方便后续对w的确定。也可以扫描gmid_id/w曲线，根据电流去计算W。将W设定为1u其实就是将分母消除掉了。
下面给出w=1u时的gmid与id曲线：

NMOS↓
PMOS↓
根据电流选择w，因为id正相关与w，1u的w流过的电流为扫描图中的数据，则多少u才能流过你想要的电流进行简单计算就可以。这样输入管的W、L就都确定下来了。

下面进行电流镜管子尺寸的设置：
电流镜在电路图中为M5，M6，实际中还需要多一个管子以构成电流镜。这几个管子的gmid都选择8，这样噪声比较小一些。
L尽量选大一些以避免沟长调制效应。W的选取与刚刚讲过的输入管w选定方法一致。
下面给出w=2u的gmid与id曲线。

PMOS↓

NMOS↓

这样电流镜的W和L也就确定下来。

下面确定第一级OTA的电流源负载管的W和L，由于其与第二级CS的Vgs一致，因此需要保证和M7的gmid和L一致才能保证两级都正常运作在饱和状态，因此仅需要复制M7的L，并根据gmid和id的曲线选定W即可。

这样所有的MOS管尺寸就都确定了。

3、最后补充一个零点消除电阻
补偿电阻的阻值计算公式：

最终在cadence中的电路图为：

进行ac仿真
expression分别是：
dB20((VF(“/OUT”) / VF(“/IN+”)))

phaseDegUnwrapped((VF(“/OUT”) / VF(“/IN+”)))

最终我设计了一个增益90dB,GBW=5.8MHz，相位裕度接近80°

补充：
很长时间不用gmid方法又忘记了，这次把gmid扫描参数的方法也记录一下

首先是绘制一个下面这样的电路图：
将D与G连接在一起是忽略Vds的做法

将输入信号设置为参数vin，mos参数设置为L和W

为了后面仿真的所有参数都能够保存下来需要先提前在路径文件夹里存放一个文件，名字就是savedc.scs 这个文件可以是从windows用记事本编辑内容再复制进share文件夹进入虚拟机，文件的具体内容是：
save M0:all
save和器件之间有个空格，M0是要保存的器件名


随后需要在model library中添加这个文件

后面进行蒙特卡罗仿真。
选择launch ade explorer,创建一个新的仿真

然后填写默认参数

开始一个仿真

之后点击这个按钮进行仿真

之后再tools-result browsers就能看到所有保存的dc参数

双击dc就能查看到随着vin扫描的dc所有参数

选择查看gmoverid曲线，右键曲线选择send to calculator

calculator中选择send buffer expression to output

同样的步骤将id和selfgain发送到output

随后有一项截止频率不是在dc项中可以直接查到的，所以需要根据ft的公式进行计算，根据公式可以得知ft计算需要gm和cgs两项，将其送送进calculator然后进行计算，将计算公式整体send buffer expression to output

之后在name一栏中写入各个参数的名称

为了使Vov作为横轴，需要再单独添加一个表达式，方法是Output→Add→expression

点击Details栏的位置
出现表达式输入框
?x后是x轴参数，?y后是y轴参数，注意?x ?y和参数后面都有一个空格
输入参量开头的几个字母之后会有选项，直接选择不用手动输入空格。

后面再添加一个FOM的表达式
FOM=ft*gm/id

最后所有的参数如下图

仿照NMOS的仿真方式对PMOS进行仿真
电路图：

仿真参数