1.三极管的应用和考虑参数
三极管选型主要看工作电压,工作电流,工作频率,放大倍数等参数。
1、Icm是集电极最大允许电流,三极管工作时,当它的集电极电流超过一定数值时,他的电流放大系数β将下降。为此规定三级电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为Icm。所以在使用中当集电极电流Ic超过Icm时不至于损坏三级管,但会使β值减小,影响电路的工作性能;
2、BVCEO是三级管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加载集电极与发射极之间的电压超过这个数值时,将可能使三极管产生很大的集电电流,这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降;
3、Pcm是集电极最大允许耗散功率。三极管在工作是,集电极电流集电在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大,三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于Pcm下长时间工作,将会损坏三极管。需要注意的是大功率的三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。使用中一定要注意这一点。
4、特征频率fT。随着工作频率的升高,三极管的放大能力将会下降,对应β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率
小功率三极管在电子电路的应用最多。主要用作小信号的放大、控制或振荡器。选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作频率大概是多少。如中波收音机的振荡器的最高频率是2MHz左右;而调频收音机的最高震荡频率为120MHz左右;电视机中 VHF频段的最高振荡率为250MHz左右:UHF频段的最高振荡率接近1000MHz,因此工程设计中一般要求三极管的fT大于3倍的实际工作频率。所以可按照此要求来选择三极管的特征频率fT。由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50Hz,所以在音频电子电路中使用这类管子可不考虑fT这个参数。
小功率三极管BVCEO的选择可以根据电路的电源电压来决定,一般情况下只要三极管的BVCEO大于电路中电源的最高电压即可。当三极管的负载是感性负载是,如变压器、线圈等时BVCEO数值的选择要慎重,感性负载上的感应电压可能达到电源电压的2~3倍(如节能灯中的升压三极管)。一般小功率三极管的BVCEO都不低于15V,所以在无电感元件的低电压电路中也不用考虑这个参数。
一般小功率三极管的Icm在30-50mA之间,对于小信号电路一般可以不予以考虑。但对于驱动继电器及推动大功率音箱的管子要认真计算一下。当然首先要了解继电器的吸合电流是多少毫安,一次来确定三极管的Icm,当我们估算了电路中三极管的工作电流(即集电极电流),有知道了三极管电集到发射极之后的电压后,就可以根据P=U*I来计算三极管的集电极最大允许耗散功率Pcm。
三极管有三个工作区,分别是饱和区、放大区和截至区。
- 饱和区的特点是,三级管的电流与IB和VCE有关,但是与VCE相关程度更大,因为可以看到当VCE固定时,不同的IB变化引起的IC变化不大;但是反过来,IB固定,VCE变化一点点就会引起IC剧烈变化,换句话说三极管已经饱和了,已经不受控于IB而受控于VCE了。饱和的意思就是满了,我们可以用向水杯子倒水的模型来理解这个过程,IB就是倒水的水流,IC就是水面的高度,VCE就是指水面的高度。饱和就是指水满了,如下图饱和时状态所示,此时水面高度IC已经满了(已经饱和)不受控于IB了,而受控于水杯的高度VCE,如果想要进一步增加IC,就需要增加水杯高度VCE,这样理解饱和这个概念就更形象易懂了。
- 放大区的特点是,随着IB的增加,IC也增加,IC主要受控于IB,与VCE关系不大,上图清晰地描述了这个现象。
通俗点说就是用IB来控制IC,所有三极管是电流控制型器件。
还是以水杯模型来加深记忆,下图中放大状态的水杯中,不管水杯高度VCE是多高,IC的高度只受控于IB。 - 截至区的特点是,不管VCE怎么变化,只要IB等于0或接近于0,IC也就约等于0,我们还是以水杯为模型来加深理解,下图中注入杯中的水龙头IB水流非常小,接近于0,所有不管水杯VCE多高,水杯中的水IC始终接近于0。
在电流IC不大时,三极管常用来做放大器或者是开关使用,当需要大电流时往往用MOS来做开关使用,以上就是三极管的相关特性介绍。
三极管应用电路
三极管起放大饱和截止作用。
mos管应用电路
1.对于三极管和mos管的差异?
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控制方式:三极管是电流型控制器件,mos管是电压型控制器件。
图1
2. 损耗:先说结论再解释,mos的损耗要小于三极管
解释一下原因:我们都知道三极管是有两个PN结(bc和be之间),当导通的时候ce之间可等效为一个二极管,大约0.4V的压降,而DS之间可以等效为一个电阻,这个电阻大约是mΩ级别,这里假设是20mΩ。
这样的话,通过100ma的时候,三极管的功率P=UI=0.4*0.1=0.04W=40mW,mos管的功率P=I2R=0.1*0.1*0.02=0.002W=2mW,所以可以看出mos的功耗相对较小
3. 成本:成本上三极管就比较占优势,mos管相对价格较高
补充:现在mos的广泛应用替代了三极管,但三极管在其价格优势方面一般是有两种比较常见的应用
1.第一种就是小功率的场合,比如说导通电流小于100ma的时候,通过上面的计算可以看出功率大约0.04W,还是相对较低的,性价比较高
2. 第二个就是电平转换电路,比如说把3.3V转换成5V,可以采用图2所用的电路(假设0左边的MCU产生3.3V)
图2