一,MOS管
分类:
N沟道
P沟道
工作条件:对于N沟道,G极电压 > S极电压,从S极到D极如图方向导通;
对于P沟道,G极电压 < S极电压,从D极到S极如图方向导通
重要参数:(见MOS管数据手册,可在嘉立创下载)
0.漏极(Drain),简称D ; 门极(Gate),简称G ; 源极(Source),简称S
1.Drain-Source Breakdown Voltage : 漏源击穿电压,漏极与源极之间的最大电压,超过此电压可能会导致器件损坏
2.Gate-Source Threshold Voltage : 门源阈值电压,表示在何种门源电压下,MOS管会达到开启状态
3.Continuous Drain Current : 连续漏极电流,在特定删源电压和结温下,MOS管漏极能够持续承受的最大电流
选择哪一个:
本人一般用NMOS(关键词:高端驱动与低端驱动)
二,三极管
分类:
NPN
PNP
工作条件:
对于NPN,基极有电流流出(基级从左到右的电流),整个三极管会出现如红色箭头所示的电流
对于PNP,基极有电流流入(基极从右到左的电流,由集电极提供),整个三极管会出现如红色箭头所示的电流
重要参数:(见三级管数据手册,可在嘉立创下载)
0.基极(Base)简写为 "B" ; 集电极(Collector)简写为 "C" ; 发射极(Emitter)简写为 "E"
1.类似上文MOS管参数:
选择哪一个:
NPN输出低电平(从基极到发射极) ; PNP输出高电平(发射极到集电极)
三,MOS管和三极管(B站指路:BV1Nk4y1w7Mk)
MOS管:“电压控制元件”
三极管:“电流控制元件”
如有错误,欢迎指正
祝大家龙年大吉