MOS管与三极管学习记录

一，MOS管

分类：

 

                     N沟道   

                     P沟道                                                                                  

工作条件：对于N沟道，G极电压 > S极电压，从S极到D极如图方向导通；

                  对于P沟道，G极电压 < S极电压，从D极到S极如图方向导通

重要参数：（见MOS管数据手册，可在嘉立创下载）

0.漏极(Drain),简称D ； 门极(Gate),简称G ； 源极(Source),简称S

1.Drain-Source Breakdown Voltage : 漏源击穿电压，漏极与源极之间的最大电压，超过此电压可能会导致器件损坏

2.Gate-Source Threshold Voltage : 门源阈值电压，表示在何种门源电压下，MOS管会达到开启状态

3.Continuous Drain Current : 连续漏极电流，在特定删源电压和结温下，MOS管漏极能够持续承受的最大电流

选择哪一个：

本人一般用NMOS（关键词：高端驱动与低端驱动）

二，三极管

分类：

             

                         NPN         

  

                      PNP                                                                      

工作条件：

对于NPN，基极有电流流出（基级从左到右的电流），整个三极管会出现如红色箭头所示的电流

对于PNP，基极有电流流入（基极从右到左的电流，由集电极提供），整个三极管会出现如红色箭头所示的电流

重要参数：（见三级管数据手册，可在嘉立创下载）

0.基极（Base）简写为 "B" ； 集电极（Collector）简写为 "C" ； 发射极（Emitter）简写为 "E"

1.类似上文MOS管参数：

选择哪一个：

NPN输出低电平（从基极到发射极） ； PNP输出高电平（发射极到集电极）

三，MOS管和三极管（B站指路：BV1Nk4y1w7Mk）

MOS管：“电压控制元件”

三极管：“电流控制元件”

如有错误，欢迎指正

祝大家龙年大吉