3.三极管和MOS管

基础知识

三极管是电流控制型器件

三极管的导通,需要在其b极提供电流,才能使ce导通,流过ce之间的电流与b极电流的关系是Ib*β=Ice,这个β称为三极管的放大倍数,从规格书获取,典型值是100,同一个芯片不同Ib的β也是不同的。

MOS管是电压控制型器件

MOS管的导通,以NMOS为例,需要提供一定的Vgs电压,这个参数在规格书中称为Vgs(th),也就是导通所需要的电压。

分类及引脚定义

从半导体结构上分
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按沟道分
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电流导通方向

三极管导通方向,NPN:c→e,PNP:e→c
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MOS管导通方向
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基础应用

NPN三极管和NMOS管
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PNP三极管和PMOS管
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常用MOS管电平转换电路

电平及电源转换电路是硬件设计中的常见电路,用于将一个电平/电源转换为另一个不同电平/电源,确保外设之间可以正常通信和工作。

基于MOS管的电平转换电路基本模型:
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工作原理:

  • 从A到B
    A为高电平时,B作为输入,此时为高阻态,MOS管关断,B端通过上拉,输出高电平;A为低电平时,MOS管内的体二极管导通,使MOS管的S极被拉低,考虑体二极管的压降一般为0.7V,Vgs=3.3V-0.7V=2.6V,当Vgs=2.6V>Vgs(th),MOS管导通,B端被拉低,输出低电平;(MOS管的导通阈值电压一定要小于2.6V),A为高阻态时,MOS管关断,B端通过上拉,输出高电平。
  • 从B到A
    B为高电平时,MOS管关断,A端通过上拉,输出高电平;B为低电平时,Vgs=3.3V>Vgs(th),MOS管导通,A端被拉低,输出低电平;B为高阻态时,MOS管关断,A端通过上拉,输出高电平。

MOS管实现电平转换

需求:使用一个NMOS管就实现双向电平转换功能,且输出电平与输入电平极性相同,具体具体电路见下:
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电路分析:

  • 当INPUT=0时,NMOS管导通,OUTPUT通过NMOS下拉至GND,此时OUTPUT输出为低电平;
  • 当INPUT=1时,NMOS管截止,OUTPUT被R5上拉至VCC_5V0,此时OUTPUT输出为高电平;
  • 当OUTPUT=0时,体二极管导通,INPUT为体二极管上压降(约0.7V),可视为INPUT为低电平;
  • 当OUTPUT=1时,体二极管和NMOS管均截止,INPOT被R上拉至VCC_1V8,INPIT输出高电平。

用MOS管实现的“I2C总线电平转换电路”,实现3.3V电压域与5V电压域间的双向通讯

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工作原理分析,简化来看,留下I2C的一根线来分析就可以了。
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分四种情况:

  • 当SDA1输出高电平时:MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管关闭,SDA2被电阻R3上拉到5V。
  • 当SDA1输出低电平时:MOS管Q1的Vgs = 3.3V,大于导通电压,MOS管导通,SDA2通过MOS管被拉到低电平。
  • 当SDA2输出高电平时:MOS管Q1的Vgs不变,MOS维持关闭状态,SDA1被电阻R2上拉到3.3V。
  • 当SDA2输出低电平时:MOS管不导通,但是它有体二极管!MOS管里的体二极管把SDA1拉低到低电平,此时Vgs约等于3.3V,MOS管导通,进一步拉低了SDA1的电压。
三极管MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)的工作原理存在根本差异,因此,理解它们如何协同工作需要分别了解各自的特性。 **三极管**是一种双极型晶体管,它由两个PN结组成,即集电区、发射区和基区。其基本功能在于放大电流或电压,并通过改变输入信号的强度来控制从发射区流向集电区的电流大小。三极管主要有三种类型:NPN和PNP。 **MOS管**则属于一种单极型晶体管,它利用栅极电压对漏极和源极之间的通道宽度进行控制。MOS管有两种类型:增强型(NMOS和PMOS)和耗尽型(NMOS和PMOS),其中NMOS和PMOS是最常见的类型。MOS管的开关特性使得它可以作为开关元件用于电路中,尤其适合高频操作。 当涉及到完全“导通”一词时,通常是指器件能允许尽可能大的电流通过。在这种情况下,让三极管完全导通MOS管的意思可能是设计一个系统,在该系统中三极管作为预驱动器,负责将较小的信号转换成足够的功率以驱动MOS管进入高导通状态。 **如何实现这种效果** 1. **级联结构**:首先,三极管可以用作MOS管驱动器的一部分,其输出足够高的电压或电流来克服MOS管的阈值电压,使其进入高阻抗模式。在电子设备如音频放大器、电源管理电路中,这非常常见。 2. **控制信号**:三极管可以接收到一个来自微控制器或其他信号源的控制信号。这个控制信号决定了三极管是否应该导通,进而决定MOS管是否也处于导通状态。这样的配置可以在保持较低功耗的同时,有效地控制大电流或高功率的应用。 3. **保护措施**:在实际应用中,为了保护MOS管免受过压损坏,通常会在三极管MOS管之间加入一个二极管,或者使用专门的设计来限制MOS管所承受的最大电压和电流。 综上所述,通过合理设计电路,三极管可以有效驱动MOS管进入高导通状态,这不仅依赖于三极管本身的特性,还涉及电路的整体布局和保护机制,以确保安全高效地操作这两个关键组件。
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