HBM，CDM和IEC61000-4-2模型比较

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人体模型HBM

带电装置模型CDM

IEC61000-4-2模型

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几乎所有的模拟和数字芯片都会在data sheet里标注的ESD数据

设计人员经常会参考这些数据，并误以为这些芯片可以在日常使用中免受ESD的损坏。但是如果了解衡量ESD的标准后，就会知道，普通芯片的ESD等级并不一定能完全保护电路，我们来看一看会在data sheet中看到的ESD模型。

人体模型HBM

人体模型 ，简称HBM，它模拟了在工厂环境中携带静电的人体触摸接地设备的过程，HBM的波形如绿线所示。

HBM标准是为了衡量芯片能否在生产，组装和运输的过程中免受ESD的损害，并非适用于日常使用的场景。

 

 

带电装置模型CDM

带电装置模型简称CDM，它模拟了一个带静电的器件接触电路的情景。CDM的模拟波形如蓝线所示。

CDM会在小于20ns的时间内有一个非常高的电流脉冲。和HBM相似，CDM也是为了衡量芯片生产，制造过程中可能会遇到的ESD而设计的，并非适用于日常使用场景。

 

IEC61000-4-2模型

和HBM以及CDM不同，这是一个为日常使用设计的标准，它可以帮助我们衡量芯片，确保是否能在日常可能接触到的ESD中，免受损坏。

如红色波形所示，波形上看IEC 61000-4-2 是CDM和HBM的合并，前面快速的上升是模拟CDM，后边持续的放电时模拟HBM，它用了更高的电流脉冲，并且持续的时间。

IEC61000-4-2等级

IEC 61000-4-2标准有四个不同的等级，最高等级为四级，应用8kV的接触放电和15kV的空气放电。

IEC 61000-4-2 模型

IEC 61000-4-2 模型 峰值电流和上升时间

 

总结

不同ESD模型是为了模拟不同的ESD放电场景，想HBM，CDM 或者MM 都是芯片级的ESD放电模型，用于验证芯片在生成运输过程中是否会损耗。IEC61000-4-2 是整机产品级的ESD验证模型，用于验证日常生活中整机设备的抗ESD干扰能力。

不同的ESD通过上升时间，持续时间和封装电压电流来表示。而上升时间，持续时间和封装电压电流 右是通过ESD模型中的不同的充电电容，放电电阻来实现的。比如HBM 电容是100pF放电电阻是1500ohm，IEC61000-4-2 电容是150pF放电电阻是330ohm。IEC61000-4-2 更大的电容和更小的电阻就可以实现很高的峰值电流和更快的上升时间。 

以上内容参考 微信公众号：硬件工程师炼成之路  相关的文档，在此深表感谢！