FET结构/特性（工作原理/符号+漏极特性曲线+夹断与截止电压+跨导特性等）+单片机（最小系统+按键+矩阵按键控制数码管）

2024-7-15，星期一，17:21，天气：阴，心情：晴。又是新的一周，终于也是迎来了入职一周倒计时，除了学习之外，还要看一些线上学习的东西，心情不错，继续学习啦，加油加油！！！😝

今日开始了模电自选教材第四章场效应管（FET）的学习。主要学习内容为：FET结构+JFET特性（工作原理/符号+漏极特性曲线+夹断电压与截止电压+跨导特性曲线等）。单片机主要学习内容为单片机最小系统+按键+矩阵按键控制数码管

一、场效应管（FET）

从今天开始，将会开始学习场效应管（FET），场效应管的发明要比BJT早上数十年，但是直到20世纪60年代，FET才实现了商业生产。场效应管分为两种，结型场效应管（JFET）和金属-氧化物场效应管（MOSFET）。

1. FET的结构

从上一章的学习中我们可以知道，双极型晶体管（BJT）是电流控制器件，即基极电流控制集电极电流。与之对应的，场效应管（FET）是电压控制器件，栅极电压来控制流经器件的电压。BJT和FET均可作为放大器使用，也都可用于开关电路。

（1）FET系列：场效应管（FET）和BJT的工作原理完全不同。在FET中，在称源极（Source）和漏极（Drain）的两个电极之间由一条窄导电沟道相连，该沟道为n型材料或p型材料，沟道的导通由一个电场控制，该电场由施加在第三个电极，即栅极（Gate）上的电压形成。在结型场效应管（JFET）中，栅极和沟道之间形成一个pn结；在另一种金属-氧化物场效应管（MOSFET）中，是利用绝缘的栅极来控制沟道的导通（绝缘栅和MOSFET指的是同一种器件）。绝缘栅是一层很薄（＜1μm）的玻璃（通常是SiO2），下面给出了目前常用的FET分类：

所有FET的共同特征是具有很高的输入电阻和低电噪。JFET具有高输入电阻是因为输入pn结一直工作在反向偏置状态，而MOSFET的高输入电阻是由绝缘栅带来的。尽管所有FET都具有高输入电阻，但并不具有BJT一样的高增益，且BJT的线性功能也优于FET。所以在许多设计中，会同时使用两种类型的晶体管，以达到最好的效果。

2. JFET的特性

（1）工作原理：下图给出了n沟道（a）和p沟道（b）结型场效应管（JFET）的基本结构，从图中可以看出，漏极位于上端，源极位于下端。沟道是一个导体，对n沟道JFET而言，电子是载流子；对p沟道而言，空穴是载流子。在没有外加电源的情况下，沟道在两个方向均能导通。

如上图所示，在n型沟道中，将p型半导体掺杂到n沟道中形成pn结，并连接到栅极，一般来说会将p型材料掺杂进两个区域，但是制造商一般回在内部进行连接，形成单个栅极（只有一种专用JFET，称为双栅JFET，会有独立的电极连接到两个区域），为了简单起见，两个p型区之间的连接被省略掉，只给出一个区域的连接，p沟道JFET结构类似，掺杂的是n型材料。

如前所述，JFET中的沟道是栅极和原极之间的一个窄导电通路。沟道的宽度，也就是沟道的导电能力，是由栅极电压控制的，当栅极没有施加电压是，沟道通过的电流最大，当栅极世家反向偏置电压时，沟道宽度变窄，导电能力下降。

下面结合示意图对JFET的工作原理进行解释。在一个n型沟道器件上加上一个一般的工作电压，如下图所示，VDD提供了一个正的漏极电压，使电子由源极向漏极移动（黄色箭头），则电流为电子移动的反方向（红色箭头）：

栅源结的反向偏置由负的栅极电压实现，如下图所示，VGG设置了栅极与原极之间的反向偏置电压，因为电源的吸引作用导致p区带正电荷的空穴和沟道中的电子延紫色箭头运动，导致P区和n沟道内的载流子都减少，耗尽区宽度增加。JFET中的p型区向内扩张（红色箭头指示的方向），压缩沟道的宽度，使单位时间流过的电子数减少（流过面积减少），电流减小，通过改变VGG的大小，可以改变沟道的宽度和沟道电阻，从而控制漏极电流ID。此外，白色区域表示的是反向偏置电压产生的耗尽区，在沟道的漏极一段应该更宽，因为栅极和漏极之间的反向偏置电压比栅极和原籍之间的反向偏置电压更大：

从上述描述我们可以看出一点，在FET中，没有任何正向偏置的pn结（因为沟道本身就是导电的），这也使FET和BJT的主要区别之一。

（2）JFET的符号：n沟道和p沟道的JFET电路符号如下图所示，对n沟道而言，源极箭头指向内，对p沟道则指向外。

（3）漏极特性曲线：FET的漏极特性曲线是漏极电极ID和漏源电压VDS之间的曲线关系，第三个变量是栅极-原极电压VGS。

下面，我们将结合下图讨论n沟道FET的漏极特性曲线，从图中可以看出，我们讨论栅源电压为VGS = 0的情况，0电压通过短接源极和栅极（接地）实现：

随着VDD从0V开始逐渐增大，ID也会相应增大，如下图A-B点之间的曲线所示，在该区域中，沟道电阻基本是常数，因为耗尽区不大，不会产生较大影响，该区域也称为可变电阻区，因为VDS（VDD）和ID之间的关系遵循欧姆定律，通过改变栅极电压就可以改变电阻值的大小，因此可以将JFET作为电压控制的电阻使用。直到下图B点处，曲线变为水平线，ID基本保持不变，随着VDS从B点增大到C点，栅极和漏极之间的反向偏置电压VGD使得耗尽区变大到足以抵消VDS增大的影响（沟道足够小，即使电压增大，单位时间通过的电子也是有限的），因此ID基本不变，这一区域称为恒流区：

（4）夹断电压：当VGS = 0V，ID几乎为恒定值时，对应的VDS称为夹断电压VP（对于n沟道JFET而言，夹断电压为正值），对于给定的JFET，VP为确定的值，当VDS超过VP并继续增加时，漏极电流几乎为常数，该漏极电流几乎为IDSS（栅极短路时漏极到源极的电流），通常会在手册中给出，IDSS是给定的JFET能够产生的最大漏极电流，与外部电路无关。

继续分析上图，当VDS在C点时，会发生击穿，此时对VDS任何一点的增加，都会引起ID的迅速增大，会导致JFET的不可逆损坏，所以JFET通常工作在恒流区（B-C）。

（5）VGS控制ID：如下图所示，在栅极和源极之间连接上一个偏置偏压VGG：

通过调整VGG，使VGS负向增大，可以获得一组漏极特性曲线：

通过控制VGS向负向在增大，ID减少，且对于每一组VGS，JFET在小于VP的VDS值下达到夹断状态，所以VGS可以控制漏极电流的大小。

（6）截止电压：使得ID的值接近于0的VGS称为截止电压，记为VGS(off)。JFET必须工作在0~VGS(off)区间内，随着栅源电压在此范围内变化，ID最大可达到IDSS，最小接近0，这一戒指效应的产生是由于耗尽区不断变宽，最终沟道完全关闭：

（7）夹断和截止的比较：夹断电压和截止电压 均可从漏极特性中测量得到，对n沟道器件而言，夹断电压为正，是当VGS = 0V时漏极电流为恒定使得的VDS；及位置电压时使得漏极电流变为0的栅源电压，为负值。VGS(off)和VP始终大小相等方向相反。

（8）JFET的跨导曲线：下面给出JFET的传输特性曲线（输出和输入之间的关系）。因为JFET由输入端（栅极）的反向电压控制，输出的是漏极电流，所以，以VGS为自变量x，ID为因变量y，画出的曲线为JFET的传输曲线，因为输出单位为mA，输入单位为mV，所以曲线单位为电导（mS），因此，JFET的传输特性曲线也称为跨导曲线，在手册中一般以gm或yfs来给出跨导。gm = ΔID  / ΔVGS。

下图为一典型n沟道JFET的跨导曲线（同一类型型JFET的跨导曲线一般都相同），从图中可以看出，跨导曲线并不是一条直线，这表明JFET的输出电流和输入相电压之间的关系是非线性的，所以，FET可能会造成输入信号的失真，对此，可以通过特殊的几何射极使得失真降到最小；也可以通过保持较小的信号幅度来减小失真。此外，失真并不一定都是有害的，例如，在射频混频其种，JFET因为失真反而更有优势。

二、函数进阶与按键（单片机）

1. 单片机最小系统

（1）电源：根据STC89C52RC单片机的手册可知该单片机的工作电压是3.4~5.5V，说明这个单片机正常工作的电压是一个范围值，只要电压源VCC在3.4~5.5V之间，单片机均可正常工作，电压源超过5.5V会烧坏单片机，低于3.4V则无法工作，而在这个范围内，最典型、最常用的就是5V电压，所以称这种单片机为5V单片机，。此外，还有一种单片机的常用工作电压是2.7~3.6V，典型值是3.3V。

（2）晶振：晶振分为无源晶振和有源晶振两种类型，无源晶振一般称为Crystal（晶体），有源晶振一般称为oscillator（振荡器）。

有源晶振是一个完整的谐振振荡器，它利用石英晶体的压电效应起振，所以有源晶振需要供电，将有源晶振接好后，不用外接其他器件，不需要外接其他器件，只要给它供电，就可以产生振荡频率，并且可以提供高精度的频率基准，信号质量也比无源信号更稳定。

无源晶振自身无法震荡，需要芯片内部的振荡电路一起工作才能振荡，无源晶振两侧通常都会有一个电容，容值一般为10~40pF，如果手册中没有明确要求，一般取20pF。

（3）复位电路：下面来分析一下普中51单片机的复位电路，如下图所示，当电路处于稳态时，电容起到隔离直流的作用，隔离了+5V的VCC，而左侧的复位按键（RSTK1）是弹起状态，复位按键右面的电路（红框）不产生电位差，所以按键和电容C14右侧的部分是和GND等电位的，也就是0V，又由于STC51单片机高电平复位，低电平正常工作，所以此时是正常工作状态。

上电瞬间，电容C14卡是充电，正电荷冲右向左，负电荷从左向右，此时电容相当于一根流过从左向右电流的导线，此时电阻R9被短路，RST端口位置的电压是5V，随着充电越来越多，电流会越来越小（电荷流动变慢），此时RST端口上的电压值等于电流×R9的阻值（此时电容C14相当于一个负载），当电容完全充满后，相当于断路，此时RST与GND电位相等，均为0V。从这个过程来看，加上这个电路，单片机系统上电后，RST引脚会先保持一小段高电平，随后变成低电平，这个过程就是上电复位过程。

2. 按键：

（1）独立按键：独立按键比较简单，下面通过独立按键解释一下按键的工作原理，一个典型的独立按键接线图如下所示：

4条输入先街道单片机的I/O端口上，当按下K1时，+5V依次通过电阻R1和按键K1进入GND形成一条通路（红色箭头），这条线路的全部电压加载电阻R1上，引脚KeyIn1就是一个低电平。当松开按键时，线路断开，不会有电流通过，KeyIn1和+5V是等电位，是高电平。下面我们将编写一个程序，使用矩阵按键控制数码管。

3. 矩阵按键控制数码管

（1）矩阵按键行列扫描：对于如下图所示的矩阵按键，我们通过行列扫描的方法确定哪一个按键被按下：首先，先将一列设置为低电平，其余几列设置为高电平，这样就确定了那一列的按键被按下；然后立即轮流检查一次各行是否有低电平，若某一行为低电平，我们就可以确定行数，则我们通过上面方法就可以判断出那个按键被按下了（相当于在二维平面上，给定一个x和一个y可以确定一个唯一的点），反复重复上述方法就可以依次确定哪个按键被按下。

（2）程序实现：

（3）实验现象：当依次按下S1~S16键时，数码管依次对应显示0~F：

 

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