🦀 P型半导体:掺有三价元素(硼)。空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。
🦀 N型半导体:掺有五价元素(磷P、砷As、锑Sb)。空穴为少数载流子,自由电子为多数载流子
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PN结
🗒️ PN结:一些不能移动的带电离子集中在P区和N区交界面附近,形成了一个很薄的空间电荷区(耗尽区&势垒区)。
当外加反向偏置电压时,PN结处于反向偏置状态,使耗尽区厚度加宽,PN结的电场强度增加,因此阻碍了载流子的扩散运动,此时PN结呈现出一种高阻态,基本上不导电 。PN结内电流主要由漂移电流决定 。
当外加正向偏置电压时,P区的多数载流子空穴和N区的多数载流子电子均向PN结移动 。在PN结中,空穴会中和原先的电子,导致电子浓度下降,同理空穴浓度也将下降。PN结的电场强度减少,即扩散运动(P→N)大于漂移运动(N→P)。
- 反向击穿
- 雪崩击穿
- 齐纳击穿(一般出现在杂质浓度大的PN结中)
- 热击穿(不可逆)
- 反向击穿
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主要公式
- 二极管内阻计算:
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稳压二极管(齐纳二极管)
🦀 齐纳二极管(稳压二极管):该管子的杂质浓度比较高。在电流增量很大时,只引起很小的电压变化。
- 正常工作时,处于反向击穿状态。
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肖特基二极管
🦀 肖特基二极管:是多数载流子导电器件,不存在少数载流子在PN结附近积累和消散过程。其电容效应非常小,工作速度快,适合高频或开关应用。
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钳位电路
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正向钳位电路
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分析
- 最初,施加的输入信号的正半部分时,二极管处于反向偏置状态,但电容器仍未充电。因此,在这段时间的输出将不被考虑,即为0V。
- 对于交流信号的负半周电压,电容器将充电到交流信号的峰值,但极性相反。
- 在下一个正半周上,二极管处于非导通状态,导致电容器电荷放电。因此,在输出端,
, 即表示电容两端的电压不会因为的改变而发生明显的变化。
- 当小于2.3V时二极管导通。
- 当电容C充电时,由于无放电回路,所以电容C的最大电压
- 稳态时为:
📼 参考文章:
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负向钳位电路
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分析
- 开始,第一个正半周信号加在输入上,二极管正向偏置,电容处于充电状态,其极性与输入信号相反。当电容的两端电压达到最大值时,将会通过二极管放电。
- 负半周信号,二极管现在变成反向偏置。这允许负载电流出现在电路的输出端。现在,二极管的不导电状态使电容器放电。因此,在输出端,电容器电压与输入电压的总和就得到了。
,
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电容C充电的最高电压为
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只有处于正半周时,二极管D可能导通。且导通时输出电压
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当二极管截至时,电容C充完电后,由于 ,所以的电压基本保值不变 (与的符号相反)。
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其它
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在硅材料内电子的移动速度约为空穴移动速度的3倍。
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漂移:由电场作用而导致载流子的运动。
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扩散:电子和空穴从高浓度向低浓度区域扩散。
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PN结I/V特性表达式:
PN结两端的外加电压 通过PN结的电流 反向饱和电流 n 发射系数 温度的电压当量 -
恒压降:硅管为0.7V,锗管为0.2V。二极管的电流≥1mA时才正确。
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当电容器的放电回路的时间常数远大于的周期,其放电速度将远小于充电速度。
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电导率与材料内单位体积中所含的电荷载流子的数目相关。
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本征半导体是一种纯净的、结构完整的半导体晶体。
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