MOS管的选取及取样电阻的设计

MOS管的选择

1 场效应管的耐压：Vin-max+Vor+设定允许的尖峰电压+留一定的裕量

2 MOS管的电流，依据变压器的计算可知其平均电流以及峰值电流

注意： 一般情况下，通过MOS管的电流越大，内阻越小，但是当MOS管温度升高时会导致内阻增大。同时MOS管有他的一个结温大小，不能超过，否则会烧坏MOS，

3 Rds-on越小越好，考虑你能接受的一个导通损耗来进行选取。

先讲述MOS的工作情况及机理，然后说明其周边器件的作用及如何取值

图1

上图1为MOS管的驱动波形，注意看上升跟下降有抖动，原因是MOS管有寄生电容跟电感，之间发生LC谐振

图2

图2为MOS管VGS之间的电压以及VDS/Rds的一个波形图

基于此图可知，当产生的PWM给MOS的寄生电容Cgs充电，导致VGS电位到该MOS的阈值电压时（4-5V）此时MOS管开始导通，MOS可等效为一个电阻可调的。

由于一开始MOS的D极接整流后的电压，电压会给MOS的寄生电容Cgd充电，电容产生左负右正的电动势，当MOS管达到阈值电压，开始导通时，电容Cgd通过MOS管放电，因而会分流PWM给MOS的寄生电容Cgs充电，因而产生一个米勒平台（图2中水平线，图1第一个上升的抖动时间，到第二个上升为止）又在米勒平台刚形成的时候，Id就已经达到最大值了，故而米勒平台将会产生开关损耗，这个持续的时间由这个米勒电容Cgd的大小决定。当米勒电容Cgd放电完成且PWM给他反向充电，充满以后，(米勒平台消失)PWM接着给Cgs充电，使得Vgs的电位接着抬高，以及达到Rds的阻值很小的状态。

图3

图3中紫色框的区域，与MOS并联的电阻R22为下拉电阻，作用，若无这个下拉电阻由于MOS的寄生电容Cgs的存在，扰动或是些干扰，可能导致MOS管误导通。因而此下拉电阻的作用是给寄生电容Cgs提供一个放电回路，保证MOS的低电平可靠

图中黄色框的区域，R19是阻尼电阻，若取大，可能会导致给到MOS，G极的电压不够，驱动不了MOS管开通，若取小了，会导致给到寄生电容Cgs过多能量，等MOS关断时，将通过走D5放掉这部分能量，造成不必要的功耗。

上面的图片来源于B站的学习时的截图