ADUM4146BRWZ-RL驱动SIC的功耗计算

通常的算法是将SiC MOSFET的栅极可以粗略地模拟为电容负载。但由于米勒电容和其他的非线性，因而把其电容负载的值等效于5倍输入SIC MOS的Ciss，因而驱动的功耗近似为：PDISS​=CEST​×(VDD2​−VSS2​)2×fS​

其中：

1. CEST​ 是估算的电容值，等于SiC MOSFET的输入电容 CISS​ 乘以5（作为一个保守估计）。
2. VDD2​ 是次级侧输入电源电压。
3. VSS2​ 是次级侧的负电源电压。
4. fS​是SiC MOSFET的开关频率。

本设计中输入电容接近3.5nF，VDD2为15V,VSS2为-3.5V, fS​为50KHZ,算的结果PDISS为0.3W.

ADuM4146芯片内部的功耗计算方法：

其中：

1. 4146PDISSADuM4146​​ 是ADuM4146芯片内部的功耗。
2. RDSONP​​ 和 RDSONN​​ 分别是PMOS和NMOS的导通电阻。
3. RGON​ 和RGOFF​ 是外部的上拉和下拉电阻。本设计取10欧姆
4. 查阅手册知RDSONP​​的阻值范围是：
5. 典型值 (Typ): 471mΩ
6. 最大值 (Max): 975 mΩ

测试条件是在250 mA的条件下进行的。这意味着在正常工作条件下，PMOS的导通电阻（RDSONP​​）将介于471 mΩ到975 mΩ之间。

   
RDSONN​​（NMOS的导通电阻）的阻值范围是

1. 典型值 (Typ): 470 mΩ
2. 最大值 (Max): 807 mΩ

这些值是在特定的测试条件下测量的，例如在250 mA的测试条件下。因此，RDSONN​​的阻值范围是介于470 mΩ到807 mΩ之间。

因为计算得7.7Mw

芯片的结温升高量可以通过以下公式计算：

其中

1. TADuM4146​ 是ADuM4146的结温。
2. θJA​ 是从结到环境的热阻。59.35°C/W
3. TAMB​ 是环境温度

计算得结温TADuM4146​为0.462加上室温25,为25.462.