集成电阻和集成电容

最新推荐文章于 2024-08-23 18:05:48 发布
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本文探讨了集成电阻和集成电容在集成电路中的实现原理和设计考虑。对于集成电阻，重点在于掺杂浓度和尺寸调整，以及在双极和CMOS集成电路中的应用条件。集成电容则关注导电层、绝缘介质的选择以及工艺兼容性，通过金属-绝缘层-金属结构实现。
摘要由CSDN通过智能技术生成

一、集成电阻

本征的半导体材料电阻率极大，掺杂会让电阻大大降低，根据不同的需要进行不同情况的掺杂。对Si材料来说，掺P会让其变为N型半导体，掺B会让其变为P型半导体.

以N型材料为例。两边加电压。

J_{n}=n_{0}qv_{d}v_{d}=\mu _{n}E

可得电导率\sigma _{n}=n_{0}q\mu _{n}

\rho =\frac{1}{\sigma }                                                                       

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qq_36480087的博客
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