临界区设计太大或太小有何缺点_Trench IGBT的结构设计及制程

工艺:

   半导体生产线中的每一道工序都是特别重要，尤其在关键尺寸越来越小的今天，光刻，刻蚀，薄膜等工序显得格外重要。亚微米图形的刻蚀技术主要包括PE(Plasma Etch)等离子腐蚀和RIE(Reactive Ion Etch)反应离子刻蚀。这两种刻蚀技术都是干法腐蚀。在大规模和超大规模集成电路中都使用干法腐蚀，取代了传统的湿法腐蚀。干法腐蚀的优点很多，使用它可获得近乎完美的剖面结构。

  刻蚀中几个重要参数：

1.刻蚀速率：单位时间刻蚀的厚度。通常需要的刻蚀速率为每分钟几百埃。

2刻蚀速率均匀性：用刻蚀速率变化的百分比来度量。它可以指一个圆片或圆片与圆片之间的均匀性。

3.选择比：指不同材料刻蚀速率的比率，例如要刻蚀图形的膜与光刻胶或膜的刻蚀速率之比。

4.钻蚀：指的是光刻胶掩膜之下的侧向刻蚀。

5.各向异性刻蚀：指侧向刻蚀速率远小于纵向刻蚀速率。

好的各项异性刻蚀深宽比可以达到5：1甚至更高。

   PE等离子体腐蚀的基本原理是：腐蚀气体分子在高频(一般是13.56MHZ)的作用下&#