【电机驱动-MOS管-PWM】

电机驱动-MOS管-PWM

1.电路驱动

这个是简单的mos管开关驱动，Nmos+Pmos的驱动方式。

CPU控制nmos的通断从而控制pmos的通断，来实现电源（24v）的工作。

nmos-pmos同：

不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

*而且mos管的开关，是有时间限制的，所以在通过PWM去控制的时候，PWM的频率有跟MOS（PMOS）的开关时间达到一个非常舒服的状态。

nmos-pmos异：

NMOS的特性，Vgs大于一 定的值就会导通， 适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一 定的值就会 导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

2.消除电机反电动势

 连接电机接口，为什么要加一个二极管呢？

对的，为了消除电机在开-关产生的反电动势（反向冲电）。其实在PMOS中是有一个二极管的，他本身就有着这样的功能，但是对PMOS的电器件的性能参数压力比较大。

你想想看，我上面是24V驱动电机开关，产生反向电动势（-24V），那么PMOS的压力就到了48V。而且，不只是大与个几V的电压就可以了。本身为了安全，在选择PMOS的时候，就要在24V的2倍以上，现在有了反电动势，最少需要3倍以上，安全是4倍（4*24V）。在PMOS的安全压差下，我们人为设计一个二极管，把反向电动势重新导回电机的正级。完成了电路的保护，同时让你的PWM波输出比较方。

3.H桥

这个先简单说说，H桥是4个NMOS管组成，可以控制电机的正反转。而且NMOS的开关时间一般比PMOS快，PWM产生的方波比较方，但是H桥跑不满100%。