关于芯片功耗那些事（一）

     本着分享快乐的想法，最近发现了一个巨牛的人工智能学习网站，通俗易懂，风趣幽默，忍不住分享一下给大家：前言 – 床长人工智能教程

基于当下主流CMOS 的 IC 电路，PPA 中的之一power 的重要性是Icer的共识.

Power =Leakage Power + Dynamic Power(internal power and switching power).

我们这里主要聊聊leakage power（LKG), 如图显示, 随着工艺节点演进，LKG占比越来越大。

Leakage power是指的电路在没有跳变时所产生的功耗，如下公式，

这个公式的每个cell，这里通常指standard cell；每个cell都有leakage power 值；

从cell 的dot lib来看，default_cell_leakage_power这个属性来描述cell 的默认leakage power值；

Cell 的dot lib里，还有一个cell_leakage_power 属性，也用于定义cell 的LKG power值；

当cell_leakage_power 属性缺失或者为负值时，EDA 工具会从default_cell_leakage_power 属性读取LKG power值， 如果这里也没有，工具会设定LKG 为0；

Cell dot lib节选，也有如下表示，布尔表达式定义了不同的状态，其对应了不同的LKG power值，换句话讲，各个LKG 值对应cell的不同工作状态；

这里有 LKG 单位问题，由leakage_power_unit 属性定义；

EDA 工具 计算cell 的LKG 值时，每一个状态 的LKG 值 乘以 这种状态在总仿真时间里面的百分比，然后加在一起得到， 如图以 NAND 为例，显示了LKG 0.4nw是如何计算得到的；

从后端物理设计实现角度来讲，LKG 的优化，后端工程师是能做很多操作可以来优化的，下一期，我们来聊聊。

BTW， 附图理解LKG 的来源 

更多内容，请关注：