接着聊, memory 或者I/O cell 由GDS 转DEF 的话题,前面聊了较为粗糙的建模和抽取;
这里说说 第三种,包含更多细节的Memory 或I/O 的modeling,包括哪些喃?
-首先还是包括了 Memory cell 的 P/G grid ;
- 以及 电流源和等效的电容,也有对应的物理分布和位置信息;这样就可以较为准确考虑在memory内部的电流走向
-这也就能看到memory 周边的逻辑电路被memory 的动态翻转时如何影响IR 的了;
落脚到Rehawk, "gds2def -m" 可以实现这样的model 的抽取;
准备以下的inputs来运行它:
1)Layer map file: mapping 关系是处理 GDSII layer 到 LEF/DEF的layer 对应;
2)Memory 的GDSII文件
3)LEF 文件,其包括memory 的pins脚的定义和信息;
然后顺利的话,它会生成如下输出:
1)DEF/LEF
2)*.pratio 文件,每一个memory有对应生成一个, 这个文件就包括 电流源和decaps,以及power、ground 的走线形状等
如这几个为一套数据:
其中,pratio 的内容节选如图:
>The pratio file contains the relative strength data for the device virtual pin instances
>The partio file specify weighting factors for current distribution among power/ground pins in the memory.
接下来,用一个memory 来试一试gds2def:
- config 的定义和内容
1) TOP_CELL 是memory 的top
2) GDS_MAP_FILE 的内容和格式如下图这是gds_layer_map的模板:
Run 的时候,看看log里的error,warning等
这一期先聊这些,谢谢阅读。
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