关于芯片功耗的那些事(十八)

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本文介绍了如何使用软件进行静态电压降分析,并展示了查看金属层、通孔及实例上的电压降分布的方法。通过GUI视图,可以便捷地观察power和ground的dropmap,以及逐层比较IRdrop的影响,帮助优化电路设计。同时,提供了查看和定位有IR问题的实例,便于深入分析和解决电路中的问题。
摘要由CSDN通过智能技术生成

  续接前一期

perform  analysis  -static

如上的命令和下面图形操作一样的效果:Static > Static Voltage Drop Analysis

这个case 很快就run 结束了。

看看结果如何解读的。

查看金属层和通孔上发生的Drop, 从GUI view>Voltage Drop Maps 如下:

可以分开查看power 和ground 的 drop 分布, 通过Gui view> net

只看VDD+VDD_INT 的drop map

只选择看VSS 的bounce map

可以逐层看看IR drop 的影响,对比如下两张图,metal4 的 drop 是比较明显的, 在绕线允许的情况下,可以考虑增加Metal4的连接;

看看instance 的drop map分布

然后可以从GUI > Results> List of Worst IR instance (Static), 方便点选这些有IR 问题的instance,zoom-in 查看。

想看哪个instance,方便快捷。

也可以通过Explorer >View Results 来查看 相关结果。

下次再聊。谢谢阅读。

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