关于芯片功耗那些事（九）

大壮手里没有没有redhawk 的tech file，但有 itf 文件，从flow 介绍来看有个rhtech 可以转。

如下是rhtech 的解释

当运行： rhtech -i technode.itf  -o   technode.redhawk.tech 会报错， 提示这里面有两个option看来必须要提供的：

Both foundry name (-f) and process node (-n) options must be given.

于是加上 -f 和-n 的options，2秒钟就可以转出 redhawk 的tech file。

目前没有EM file指定，foundry 暂时没提供，后续再用-e 追加；

打开redhawk review 一把：

1）当指定40nm 时，这个是half node， 所有有如下0.9 的factor；

2）units 罗列

3）Tnom 25

4）RHO 是3x9 的查找表

5）MINWIDTH 1.8

6）Coeff_RT1 /Coeff_RT2 都有定义

7）ETCH_VS_WIDTH_AND_SPACING ， 定义芯片生产过程中刻蚀这一工艺所吃掉的部分的偏差；

      都为负值，大意是说 silicon 的metal10 都比 draw layout 的metal10 要窄一点，越宽的metal10，被吃掉的越大些， 如第一行第二列第一行第一列比较来看可以说明这一点；

Silicon width = draw width - etch adjust

8）SIDE_TANGENT  -0.198675; 对应的下图，当为负值时，那么刻蚀 后metal-10 的形状就是一个梯形，上窄下宽

9)POLYNOMIAL_BASED_THICKNESS_VARIATION

看来这个tech file 应该可以支持基本的static analysis，检查P/G connection等；

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