电子电路原理第四章(特殊用途二极管)

电子硬件笔记

已于 2025-04-25 12:17:15 修改

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分类专栏：电子电路原理(原书第8版) 硬件元器件硬件工程文章标签：嵌入式硬件硬件工程硬件架构

于 2025-04-08 14:50:15 首次发布

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整流二极管是最常用的一种二极管，作用是将电源电路中的交流电压转换为直流电压。除了整流以外，二极管还有很多其他的应用。本章节首先介绍齐纳二极管，它具有优化的击穿特性。齐纳二极管是稳定电压的关键，所以非常重要。本章内容还涉及光敏二极管，包括发光二极管 (LED) 、肖特基二极管、变容二极管及其他类型的二极管。(注:本章节的部分电路指示图和表格图会省略)

4.1 齐纳二极管

小信号二极管和整流二极管在正常工作时是绝对不允许处于击穿区的，因为这样可能会损坏二极管。齐纳二极管 (zener diode) 则不同，这种硅二极管在制造时对击穿区工作特性进行了优化。齐纳二极管是稳压器的支撑器件，在外加电压和负载电阻有很大变化时仍能使电路的负载电压基本保持稳定。

4.1.1 I-V 曲线

齐纳二极管的电路符号，另一种电路符号，在这两种符号表示中，形状像z的那条线表示“齐纳”(zener) 。通过改变硅二极管的掺杂浓度，厂家可以制造出击穿电压从2～1000V 以上的齐纳二极管。这些二极管可以工作在三个区域中的任意一个：正向偏置区、泄漏区以及击穿区。

齐纳二极管的I-V 特性曲线图。在正偏区域，大约在0.7V开始导通，与普通二极管一样。在泄漏区域 (0V和击穿电压之间)时，只有很小的反偏电流。齐纳二极管击穿区的拐点很陡，电流增加的曲线几乎垂直，此时电压近似恒定，在整个击穿区域近似等于Vz 。数据手册中一般给出的是在特定电流Izr下对应的Vz。

同时给出了最大的反偏电流Izn, 只要反偏电流小于Iz, 则二极管工作在安全区域，如果反偏电流大于Izm, 二极管将会损坏。为了防止过大的电流出现，必须使用限流电阻 (稍后讨论)。

知识拓展 和普通二极管一样，制造厂家会以色带标记来识别齐纳二极管的阴极。

4.1.2 齐纳电阻

在硅二极管的三阶近似中，二极管的正向电压等于阈值电压加上体电阻上的压降。

类似地，在击穿区，二极管的反向电压等于击穿电压加上体电阻上的压降。在反向区的体电阻称为齐纳电阻，其阻值等于击穿区曲线斜率的倒数，即曲线越陡，齐纳电阻越小。

在图略中，齐纳电阻体现在当反向电流增大时，反向电压有微小的增加。电压的增加非常小，通常只有零点几伏，这个电压的微小变化在电路设计中可能很重要，但是在故障诊断和基本分析时却并非如此。除非有其他说明，在讨论中将会忽略齐纳电阻。图略所示为典型的齐纳二极管。

4.1.3 齐纳稳压器

齐纳二极管有时又称作稳压二极管，因为当电流变化时它的输出电压可以保持恒定。正常工作时，应该将齐纳二极管反偏，如图略所示。而且，为了使其工作在击穿区，电源电压Vs必须大于齐纳击穿电压Vz 。通常需要串联一个限流电阻，以使齐纳电流小于它的最大额定电流，否则将会和其他器件一样，由于功耗过大而导致烧毁。

4.1.4 利用欧姆定律

在图中，串联电阻或限流电阻两端的电压等于电源电压与齐纳电压之差，所以流过电阻的电流为：

因为是串联电路，所以得到了串联电流，也就得到了齐纳电流。要注意的是，电流Is必须小于Iz。

4.1.5 理想齐纳二极管

为了故障诊断和基本分析的方便，可将击穿区变化曲线近似认为是垂直的，这样在电流改变时可以认为电压不变，相当于忽略了齐纳电阻。图略所示是齐纳二极管的理想化近似，即齐纳二极管在击穿区工作的理想情况可以看作一个电池。在电路中，如果齐纳二极管工作在击穿区，就可以将齐纳二极管当成一个电压值为Vz 的电压源。

4.2 带负载的齐纳稳压器

带负载的齐纳稳压器，是有参考地的相同电路。齐纳二极管工作在击穿区，保持负载电压不变。即使电源电压或者负载电阻发生变化，负载两端的电压保持不变并且等于齐纳电压。

4.2.1 工作在击穿区

判断图中的齐纳二极管是否工作在击穿区的方法如下，根据分压关系，二极管两端对应的戴维南电压为：

这是齐纳二极管未连接时的电压，这个戴维南电压必须比齐纳电压大，否则二极管不会被击穿。

4.2.2 串联电流

除非特别提示，后续所有的讨论都假设齐纳二极管工作在击穿区。在图中，流过串联电阻的电流为:

这里将欧姆定律应用于限流电阻，无论是否有负载电阻，它的表达形式是一样的，或者说，即使将负载电阻断开，流过串联电阻的电流仍然等于它上边的电压与电阻之比。

4.2.3 负载电流

理想情况下，由于负载电阻与齐纳二极管是并联的，负载上的电压等于齐纳电压：

VL=Vz

这样就可以根据欧姆定律计算负载电流：

4.2.4 齐纳电流

由基尔霍夫电流定律：

Is=Iz+IL

齐纳二极管和负载阻抗是并联的，它们的电流之和等于总电流，即流过串联电阻的电流。

可以将前边的公式写成如下重要形式：

Iz=Is-I

这个式子告诉我们，齐纳电流不再像无载齐纳稳压器那样等于串联电流了。由于负载电阻的存在，齐纳电流等于串联电流减去负载电流。

表4-1总结了含负载的齐纳稳压器的电路分析步骤，从串联电流开始，然后分析负载上的电压和电流，最后分析齐纳电流。

表4-1 有载齐纳稳压器的分析

	过程		注释
步骤1	计算串联电流，	公式4.2.2	对串联电阻Rs应用欧姆定律
步骤2	计算负载电压，	公式4.2.3	负载电压等于二极管电压
步骤3	计算负载电流，	公式4.2.3	对负载电阻R.应用欧姆定律
步骤4	计算齐纳电流，	公式4.2.4	对二极管应用电流定律

4.2.5 齐纳效应

当击穿电压大于6V 时，发生击穿的原因是雪崩效应。关于雪崩效应可参照第1章的讨论，其基本原理是少数载流子被加速到足够大的速度从而产生出更多的少子，产生一个连锁的如雪崩一样的效应，从而产生一个很大的反向电流。

齐纳效应与此不同，当二极管是重掺杂时，耗尽层变得非常窄，因此耗尽层的电场 (电压除以距离)非常大。当电场达到大约300000V/cm时，其强度足以将电子从其价带轨道中拉出，这种产生自由电子的方式称为齐纳效应 ( 也称强场激发)。齐纳效应与雪崩效应有显著区别，雪崩效应是通过高速的少子使价带电子成为自由电子。

当击穿电压小于4V时，只发生齐纳效应；当击穿电压大于6V时，只发生雪崩效应；当击穿电压介于两者之间时，两种效应都存在。

齐纳效应的发现要早于雪崩效应，所以工作在击穿区的所有二极管都被称作齐纳二极管。虽然偶尔会叫作雪崩二极管，但齐纳二极管的说法更常用。

4.2.6 温度系数

当环境温度改变时，齐纳电压将随之发生微小变化，在数据手册中，温度的影响列在温度系数这一项中，它定义为温度每增加1℃带来的击穿电压的改变。在击穿电压小于4V 时(齐纳效应),温度系数是负值。例如，击穿电压为3.9V 的某齐纳二极管的温度系数为 -1.4mV/℃, 即温度每增加1℃,击穿电压减小1.4mV。

另一方面，当击穿电压大于6V 时(雪崩效应),温度系数是正值。例如，击穿电压为 6.2V 的某齐纳二极管的温度系数为2mV/℃, 即温度每升高1℃,击穿电压增加2mV。

在击穿电压介于4～6V 时，温度系数从负值变到正值。也就是说，有些击穿电压在4～6V的齐纳二极管具有零温度系数，这一特性对于那些需要在温度变化较大的环境中保持稳定电压的电子产品非常重要。

知识拓展 在齐纳电压介于3～8V 之间时，温度系数受二极管反向电流的影响也很大。随着反向电流的增加，温度系数向正向变化。

知识拓展 在需要高稳定参考电压源的电路中，齐纳二极管与一个或多个半导体二极管串联起来使用，这些二极管的电压随温度的变化方向与Vz 的变化方向相反，从而使Vz 在很宽的温度范围内保持稳定。

4.3 齐纳二极管的二阶近似

齐纳二极管的二阶近似，齐纳电阻与一个理想电池串联，二极管的总电压等于击穿电压加上齐纳电阻上的压降，由于齐纳电阻Rz 相对较小，它对齐纳二极管两端总电压的影响很小。

4.3.1 对负载电压的影响

如何计算齐纳电阻对负载电压的影响? 一个电源驱动有载齐纳稳压器的电路。理想情况下，输出电压应该等于击穿电压Vz, 但是在二级近似下，需要考虑齐纳电阻，由于Rz上的额外压降，将会导致输出电压略有增加。

知识拓展 击穿电压为7V左右的齐纳二极管具有最小的齐纳阻抗。

4.3.2 对纹波电压的影响

当考虑到纹波电压时，可以采用图略所示的等效电路。能够影响波纹电压的器件只有图中的三个电阻。可以将这个电路进一步简化，对一般设计而言，Rz远小于R, 所以影响波纹电压的最重要的两个元件是串联电阻和齐纳电阻。

4.4 齐纳失效点

齐纳稳压器要保持输出电压恒定，齐纳二极管必须在所有工作条件下都处于击穿区。也就是说，在电源电压和负载电流的变化过程中，二极管中必须始终有齐纳电流通过。

4.5 阅读数据手册

给出了1N957B 和 1N4728A 系列的齐纳二极管数据手册中的数据，在后面的讨论中将参考这些数据。数据手册中大部分信息是提供给电路设计者的，但有些内容在故障诊断和测试时也有必要了解。

4.5.1 最大功率

齐纳二极管的功率等于它对应的电压与电流的乘积：

Pz=VzIz

例如，若Vz=12V,Iz=10mA, 那么:

Pz=12V×10mA=120mW

只要 Pz 小于额定功率，齐纳二极管就能工作在击穿区而不会损坏，商用齐纳二极管的额定功率从0.25W 到50W 以上不等。

例如，1N957B 系列数据手册中列出了其最大的额定功率为500mW 。安全的设计应有一定的安全系数以保证功率可靠小于最大值500mW 。如前文所述，对于保守设计，安全系数应为2或更大。

4.5.2 最大电流

数据手册中通常给出齐纳二极管在不超过其额定功率情况下所能承受的最大电流Izm。如果这个值没有给出，最大电流可以通过下式得到：

其中Izw是最大额定齐纳电流， PzM是额定功率，Vz 是齐纳电压。

例如，1N4742A 的齐纳电压为12V, 额定功率为1W, 那么它的最大额定电流为：

如果能满足额定电流，额定功率则自动满足。举例来说，如果保持最大齐纳电流小于83.3mA, 则最大功率自然小于1W 。如果将安全系数取为2,则不必担心临界情况会将二极管烧毁。给定的或通过计算得到的Izm是连续的额定电流值，通常给出非重复的反向电流峰值，包括器件的测试条件。

下图是齐纳管数据手册的部分内容(版权属于仙童半导体，授权使用)

电特性 TA=25℃(除非标明其他条件)

器件

Vz(V)@Iz(注2)

Zz(Ω)

@Iz(mA)

Zzk(2)

@Izk(mA)

Ir(μA)

@VR(V)

(%/℃)

最小值

典型值

最大值

1N5221B

1N5222B

1N5223B

1N5224B

1N5225B

2.28

2.375

2.565

2.66

2.85

2.4

2.5

2.7

2.8

2.52

2.625

2.835

2.94

3.15

1200

1250

1300

1400

1600

0.25

100

1.0

-0.085

-0.080

-0.075

1N5226B

1N5227B

1N5228B

1N5229B

1N5230B

3.135

3.42

3.705

4.085

4.465

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

3.465

3.78

4.095

4.515

4.935

1600

1700

1900

2000

1900

0.25

5.0

2.0

1.0

-0.07

-0.065

-0.06

+/-0.055+/-0.03

1N5231B

1N5232B

1N5233B

1N5234B

1N5235B

4.845

5.32

5.7

5.89

6.46

5.1

5.6

6.2

6.8

5.355

5.88

6.3

6.51

7.14

7.0

5.0

1600

1000

750

0.25

5.0

3.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

+/-0.03

0.038

0.045

0.05

1N5236B

1N5237B

1N5238B

1N5239B

1N5240B

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