计算机组成原理基础学习总结3

SRAM和DRAM

静态随机存储器（SRAM）的存储单元是使用双稳态触发器来记忆信息，因此信息被读出后，它仍保持原状态（非破坏性读出）。

动态随机存储（DRAM）利用的是电路栅极上的电容来存储信息，通过充放电来实现信息记录。

DRAM电容上的电荷一般只能维持1-2ms，因此每隔一段时间必须刷新，不然数据就会丢失。一般取刷新周期为2ms。

假设DRAM内部结构排列为128×128，即有128行×128列存储单元，读写周期为0.5μs。现在有如下几种方法来实现刷新：

方法一，每次读写完都刷新1行→此时存取周期成1μs

方法二，2ms内集中安排全部刷新→存取周期还是0.5μs，有一段时间专门用于刷新（1936μs读写，64μs刷新）

方法三（异步刷新），2ms内每行刷新一次即可→2ms内产生128次刷新请求，2ms/128=15.6μs，15.6μs内又有0.5μs死时间（刷新时无法访问寄存器，叫死时间）

单体多字存储器和多体并行存储器

上图为简单的单体多字存储器示意。每一个存储元存储一个字，一个存储单元存储若干个字，但实际只有一个存储体。（这里存储一个字并不一定指32bit数据，每一个存储元存储的数据长度都可以叫一个存储字，都是byte的整数倍）

对于多体并行存储器，主要分为以下两类：

由于计算机中地址的访问都是连续的，所以，对于高位交叉编址，总是先访问完一个存储体，才能继续访问下一个存储体。而对于低位交叉编址，可以并行访问不同的存储体，采用流水线的方式可以极大提高带宽。

一些零散点

复杂指令系统计算机CISC（complex instruction system computer），常见于pc，笔记本电脑；

精简指令系统计算机RISC（reduced instruction system computer），常见于手机。