静态随机存取存储器(SRAM)

本文主要介绍了静态读写存储器(SRAM)的相关知识。先阐述了SRAM与DRAM的特点,接着介绍了基本的静态存储元阵列和SRAM逻辑结构,包括地址译码等。还说明了SRAM的读/写时序,最后详细讲解了存储器容量的位扩展、字扩展和字位扩展方法。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

前言:

主存(内部存储器)是半导体存储器。根据信
息存储的机理不同可以分为两类:
静态读写存储器(SRAM):存取速度快
动态读写存储器(DRAM):存储密度和容量比
SRAM大。

375a42aaf59b41139b97bf1c9a4ffc53.jpg

 

一.基本的静态存储元阵列

如图所示为基本的静态存储元阵列:                             c904f479b937443689274aa74d5a8e00.jpg

 SRAM用锁存器(触发器)作为存储元。(只要直流供电电源一直加在这个记忆电路上,它就无期限的保持记忆的1状态或0状态。如果电源断电,则存储的数据(1或0)就会丢失。)

任何一个SRAM,都有三组信号线与外部打交道:                地址线;数据线;控制线。

 

二.基本的SRAM逻辑结构

 SRAM芯大多采用双译码方式,以便组织更大的存储容量。采用了二级译码:将地址分成X向、y向两部分如图所示。           
SRAM芯片大多

评论 4
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值