不同的负载电容对晶振的影响

已于 2022-04-04 21:21:55 修改
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文章标签： 晶振 负载电容
于 2022-04-04 21:17:54 首次发布
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10ppm 10/1000000 
24MHz 10ppm = 24MHz +/- 240Hz

37.4MHz 12pF 37.39802MHz
37.4MHz 22pF 37.39712MHz
37.4MHz 6pF  37.39949MHz  37.39955MHz

24.0MHz 12pF 23.99962MHz  23.99974MHz
24.0MHz 6pF  24.00032MHz  
24.0MHz 10pF 23.99987MHz

调整 37.4MHz 晶振后 AP6335 WiFi 传输速率从 11.5MB/s 提升到了 14.4MB/s

MengXP
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负载电容对晶振的含义
07-18
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晶振负载电容计算.pdf
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晶振的负载电容及匹配电容
08-03
本文介绍了晶振电路中负载电容和匹配电容相关问题。
负极电阻和负载电容对晶振的重要性
ltqdxl的博客
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在硬件系统中，振荡电路担当着“系统脉搏”作用，需要在驱动能力、补偿电路、负载电容等方面下功夫。如果处理不当，晶体振荡器就发挥不到预期效果，甚至会发生不起振之类的“罢工”现象。 1.负极电阻 驱动晶体振荡器需要消耗极少量的电功率，具体大小取决于振荡器晶体单元。这个功率是很小的，如果施加过多驱动力，会导致产品特性受到损害或破坏。 图1. 振荡电路中的负极电阻® 补偿电路用来调整启动时间。除非在振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，需要在电路设计时提供足够的负极电
晶振与负载电容总结
qq_35578261的博客
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1．匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2．负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要...
【IoT】硬件设计：晶振负载电容12.5pF、6pF有哪些区别？
产品线负责人
10-20 3960
最近做晶振选型，有两种负载电容的晶振，12.5pF是标称频率，价格便宜。 #专栏作家# 卫Sir，公众号：简一商业，人人都是产品经理专栏作家。关注智能硬件领域，擅长市场分析、产品设计开发、生产管理等，喜欢阅读和爬山。 ...
关于无源晶振负载电容和芯片运行所需震荡频率之间的关系(本文以32.768Khz晶振和DS1302芯片为例解说)
weixin_43869518的博客
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关于无源晶振负载电容和芯片运行所需震荡频率之间的关系(本文以32.768Khz晶振和DS1302芯片为例解说)
晶振的负载电容怎么计算？
01-20
　晶振的负载电容公式=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C 　式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic（集成电路内部电容）+△C（PCB上电容）经验值为3至5pf。因此，晶振的数据表中规定12pF的有效负载电容要求在...
负载电容在晶振选型和替换中的意义
07-18
晶振的标称值在测试时有一个负载电容的条件，在工作时满足这个条件，振荡频率才与标称值一致。负载电容只是保持这个固定的电压值，不起其他的作用。不同晶振需要不同的电压，和容值是有关系的。负载频率不同决定振荡...
晶振匹配电容失配的影响
记录每一次成长
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之前在做一块电路板的时候遇到这样一个问题：当时公司需要设计一款通信类产品，暂时命名为A系统。A系统硬件设计完成以后，调试过程发现晶体无法正常振荡。但是时钟电路是已经被验证过的成熟设计。硬件设计找不到原因，最终找到一种妥协的办法：在编写软件的时候调整了晶振起振的等待时间，板子终于开始正常工作了。就这样，软硬件调试完毕以后，正式交予生产部门投产。几个月之后，售后服务人员反映，同一个晶体在A系统不容易起
晶振电路电容的选取
Once_day的回忆
05-09 6115
晶振电路的电容匹配 author：onceday date：2022年5月9日 对于常见的MCU，其晶振电路的形式基本如下： 图1.1 典型的晶振电路图 其中需要计算的是CL1和CL2这两个参数，它们的大小通常取为相似的。 下面是一个立创商城典型的晶振，与CL1和CL2有关的是便是负载电容12pF了。 [外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-IRNf8m1F-1652083072813)(image-20220509124956707.png)] 一般而言，RF电阻，单
学习笔记之——晶振选型主要参数和外接匹配电容的计算
qq_43105486的博客
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学习笔记之——晶振选型主要参数和外接匹配电容的计算 1. 晶振选型主要参数介绍 我们常说的晶振，包含两种： 无源晶振(crystal) —— 即谐振器，内部没有独立的起振电路，需要借助时钟才能产生振荡信号，通常需要精准匹配外部电容，成本较低，信号质量较差，一般建议采用精度较高的石英晶体，多应用于对频率稳定性要求不高的产品中； 有源晶振（oscillator) —— 即振荡器，内部有独立的起振元件，需要外加额定的供电电源，成本较高，但输出信号质量好，稳定度高，多应用于需要高精度频率的产品中。
电子设计技巧（八）——晶振参数中的负载电容CL
图像学习之旅
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  负载电容CL，英文为Load Capacitance，为晶振一个重要电气参数。一般情况下，对功耗不太敏感的电子设备PCBA上，常见的晶振负载电容为 15PF、18PF、20PF。而诸如腕表、手机、蓝牙耳机等对低功耗明显有较高需求的电子数码产品，常采用晶振为负载较小的晶振，比如6PF、7PF、9PF、10PF、12PF。   在生产制造中，晶振的负载电容值的大小已经根据设计需求被固定，在后续电路应用中无法更改或调整。一般情况下，在无源晶振的电路使用中，我们需要根据晶振的负载电容来调整外接电容值的大小，以便
电子电路学习笔记（16）——晶振电路的电容
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一、简介 1.1 匹配电容 无源晶振电路中不只是有一个晶振，为了满足谐振条件让晶振起振正常工作，通常还有两个电容，两个电容一般称为“匹配电容”或者“谐振电容”。一般外接的这两个电容是为了使晶振两端的等效电容等于或接近于负载电容 （晶振的负载电容是已知的，在出厂时已经定下来了，一般是几十pF）。 要求高的场合还要考虑IC输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。 电容值的大小影响谐振频率（也就是会发生频偏），一般情况下，增大电容会使震荡频率下降，减小电容会使
晶振的频率误差,负载电容,匹配电容及IC内置补偿电容
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晶振能够产生中央处理器（CPU）执行指令所必须要的时钟频率信号，CPU一切指令的执行都是建立在这个基础上的，时钟信号频率越高，通常CPU的运行速度也就越快。 需要注意的几个晶振重要参数如下： 标称频率 在1～200MHz之间，比如32.768Hz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，更高的输出频率也常用PLL（锁相环）将低频进行倍频至1GHz以上。我们称之为标称频率。 频率误差（Frequency Tolerance）或频率稳定度（Frequency Stability） 单位ppm
晶振的负载电容、寄生电容和动态电容及参考值
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晶振的参数有哪些 石英晶振谐振器（Xtal）作为一种用途广泛的频率元器件，厂家们都在规格书列出了标称频率、频率稳定性、工作温度、负载电容（Load capacitance）等基本参数，有的还提供了寄生电容（Shunt capacitance）和动态电容（Motional capacitance）指标。 例如，图1晶振的负载电容CL推荐值为9pF、12.5pF，动态电容C1为6.0fF，寄生电容Cs为1.2pF。那么，这三个电容代表了什么？动态电容单位fF又是一个什么样的量级？ 图1. 厂商提供的32.76
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负载电容又可称为匹配电容是包括有源晶振和无源晶振在内使用和选型与替换中的一个重要且特有的概念。本文收集整理了这个概念的对晶振的含义和作用等，仅供参考。如有疑问请咨询台湾鸿星代理商南京鼎魁科技选型工程师：025-84404715 一、什么是负载电容？ 负载是指连接在电路中的电源两端的电子元件负载包括容性负载、阻性负载和感性负载三种。电路中不应没有负载而直接把电源两极相连，此连接称为短路。
晶振负载电容计算公式和说明
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晶振的负载电容是分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十PF。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，一般客户向我们询问晶振时我们都会问他们所需晶振的负载电容是多少。晶振上接的一个电阻是反馈作用，使振荡器容易起振。   晶振负载电容取值直接关系到调频的准确度。如果负载电容不够准确，那么买来的晶体准确度就会差，关于负载电容的计算方法即从晶体两端看进去电容的总和。   计算公式：晶振的负载电...
晶振负载电容计算与匹配电容选择详解
理解晶振负载电容至关重要，它是指晶体元件两端的总有效电容，包括晶体自身的静噪电容（CS，通常由制造商提供，范围在0.2pF至8pF之间）、电路板到地的寄生电容（CG和CD，包括主芯片管脚寄生电容Ci、PCB走线寄生电容...
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