cadence virtuoso MOS管IV特性仿真

仿真工具：Cadence virtuoso 6.17
工艺库：中芯国际simc_18mmrf
仿真案例：MOS管IV特性仿真

一、建立设计库和Cell

库和cell可以随意起名字（字母，数字与下划线）

二、画原理图，添加仿真器件，使用快捷键 “i”，从库中选择一个NMOS管，这里用的是simc18mmrf工艺库，选择n18

使用“i”,选择analogLib工艺库，选择vdc，gnd。

使用快捷键“w”，连线。选中元器件，使用快捷键“q”,编辑属性，分别给V0、 V1添加DC电压设置变量vgs和vds.

保存并检查是否有错，

三、点击Launch->ADE L设置仿真参数

在○1右键选择Copy From Cell view，获取原理图中变量，给初始值，这里设置0，1.5

在○1右键选择Edit，设置仿真类型

选择dc仿真，并设置变量

单击v1管子 在弹窗中选择第一个dc vdc。点击OK

设置完成点击保存

同样在1处右击选择Edit.设置输出

从原理图中选择，

全部设置完成，点击运行按钮，开始仿真

I/V特性仿真图