Sentaurus学习笔记2

最新推荐文章于 2024-04-12 21:12:33 发布

白苏紫

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文章标签：学习笔记

本文链接：https://blog.csdn.net/momo_Gypsophila/article/details/131630191

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文章探讨了Sdevice的学习，重点关注其Physics模块中的物理模型，包括Hydrodynamic流体力学、Mobility电子移动性、EffectiveIntrinsicDensity和带隙收缩现象。同时，介绍了Recombination复合过程的三种类型：SRH、Auger和Radiative。在Math部分，讨论了数值计算的参数设置，如外推、迭代次数和误差控制。此外，提到了Sdevice使用的Scheme和嵌入式Tcl语言。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

关于Sdevice的学习

前面Electrode和File部分复制的，还没仔细研究。（希望能在下周学）

1、Physics物理模型部分

Physics {
   Hydrodynamic( eTemperature )                                
   Mobility(
      eHighFieldSaturation
   )
   EffectiveIntrinsicDensity( NoBandGapNarrowing )
   Recombination(
      SRH Auger Radiative
   )
}

Hydrodynamic 流体力学，分析流体的流速、压力分布、阻力、粘度等。

Mobility 电子移动。

Effective Intrinsic Density有效内在密度，在材料科学中，"intrinsic density"（内在密度）通常是指材料本身的密度，即不考虑任何孔隙或其他外部因素的情况下的材料密度。"effective density"（有效密度）可能考虑了材料中存在的孔隙、杂质、缺陷或其他影响材料性质的因素。

% 这里的"NoBandGapNarrowing"（没有带隙收缩）就是字面意思。带隙收缩，当材料中存在高浓度的载流子（如电子和空穴）或高电场时，这些载流子或电场可以影响电子和空穴的能量分布，从而导致带隙的有效宽度减小。带隙收缩可能导致载流子的增加，而载流子之间存在库仑相互作用力。带隙收缩造成的高浓度的载流子就会引起静电屏蔽效应，使电子和空穴之间的有效相互作用增强，导致能带边缘的变形。此外，高电场也会影响带隙的宽度，尤其是在低维材料（如量子点、纳米线）或高电场区域中造成能带变形。

Recombination 复合，是指在半导体材料中发生的电荷载流子相遇并重新结合的过程。

%复合过程对于电子和空穴的重新结合至关重要，有几种常见的复合机制：

%1、Shockley-Read-Hall (SRH) 复合：SRH复合是一种由缺陷级别介导的复合过程。当自由电子或自由空穴遇到材料中的缺陷级别时，它们可以在缺陷级别中发生非辐射复合，即转化为热能。这种复合过程被认为是材料中非辐射损失的主要来源之一。

%SRH复合涉及三个主要步骤：捕获、再激发和复合。当一个自由电子或自由空穴遇到缺陷级别时，它可以被捕获到该级别，并在其中停留一段时间。在这个缺陷级别中，载流子通常会损失能量，转化为热能。随后，被捕获的载流子可能会重新被激发，跳跃回到导带或价带。最后，捕获和重新激发的载流子可能会相互遇到，并重新结合，导致非辐射复合。SRH复合的速率取决于缺陷级别的密度和位置，以及载流子的浓度。在某些情况下，缺陷级别可能会具有高的密度，从而增加了SRH复合的可能性。SRH复合过程降低了材料中自由载流子的寿命和浓度，因为一部分载流子被捕获并复合，而不是参与有用的电流传输或辐射发光。减少SRH复合过程对于优化半导体器件的性能至关重要。这可以通过控制材料的纯度和缺陷密度，或通过改进器件结构和工艺来实现。

%2、Auger 复合：Auger复合是一种非辐射复合过程，其中一个载流子（电子或空穴）与另一个载流子和一个晶格原子相互作用。这种过程会导致一个载流子的能量转移到另一个载流子，而不产生辐射。

%3、Radiative 辐射复合：在辐射复合中，电子和空穴重新结合并产生光子辐射。这种过程在发光二极管（LED）和激光器等光电子学器件中起着重要作用。

2、Math数学计算指标

Math{
   Extrapolate
   Digits= 5
   Notdamped= 50
   Iterations= 15
   RelErrControl
   ErrRef(Electron) = 1e7
   ErrRef(Hole)     = 1e7
   RelTermMinDensity= 1e4
   RelTermMinDensityZero= 1e7     
}

Extrapolate: 这个参数指示在迭代过程中是否进行外推。外推是一种数值方法，可以通过使用前几次迭代的结果来估计更准确的解。

Digits: 这个参数指定了结果的有效数字位数。在计算过程中，结果将被截断或四舍五入，以满足所需的有效数字位数。

Notdamped: 这个参数指定了不阻尼的迭代步骤的数量。在某些数值计算方法中，可以使用阻尼因子来减小迭代步骤的影响。这个参数告诉算法在开始阻尼之前要进行多少次不阻尼的迭代。

Iterations: 这个参数指定了迭代的最大次数。如果算法在达到最大迭代次数之前无法达到所需的精度，它将停止迭代并给出一个近似的解。

RelErrControl: 这个参数表示使用相对误差来控制迭代的收敛。相对误差是当前迭代与前一次迭代之间的差异与前一次迭代的值之比。

ErrRef(Electron): 这个参数指定了电子密度的参考误差。它表示电子密度的变化量，当电子密度的变化小于这个值时，算法认为达到了收敛的条件。

ErrRef(Hole): 这个参数指定了空穴密度的参考误差，类似于ErrRef(Electron)，但是应用于空穴密度。

RelTermMinDensity: 这个参数表示密度的相对术语的最小值。如果计算出的密度相对术语小于这个值，算法可能会停止迭代。

RelTermMinDensityZero: 这个参数类似于RelTermMinDensity，但适用于密度为零的情况。

3、sde使用scheme语言，搜不到语句可以去看看scheme（已经下了一本书在电脑里）。而sdevice可以使用嵌入式的tcl语言，搜不到就去搜嵌入式的tcl（好像直接搜tcl语句就可以搜到在csdn里）。