【氧化镓】Ga2O3中的深能级缺陷及其对器件性能的影响

论文《Deep level defect states in β-, α-, and ε-Ga2O3 crystals and films: Impact on device performance》由Alexander Y. Polyakov等人撰写，发表在《Journal of Vacuum Science & Technology A》上，探讨了氧化镓（Ga2O3）晶体和薄膜中的深能级缺陷态对器件性能的影响。论文的核心内容总结如下：

1. 氧化镓的背景：氧化镓作为一种新兴的超宽带隙半导体材料，因其在功率电子器件和太阳盲紫外探测器中的应用潜力而受到关注。它可以以单晶形式生长，并且具有较高的热稳定性和机械强度。

   

2. 缺陷态的类型：在氧化镓的不同多形体（β-, α-, 和 ε-Ga2O3）中观察到的缺陷态包括掺杂剂（如铁Fe）和本征缺陷及其复合体。这些缺陷可能在晶体生长过程中产生，或由于辐射暴露而形成。文章讨论了在β-, α-, 和 ε-Ga2O3的不同多形体中观察到的缺陷态，这些缺陷态包括掺杂剂产生的深能级和晶体生长或辐射暴露过程中产生的本征缺陷。这些缺陷态可能对器件性能产生不利影响。

   

3. 缺陷态的影响：晶体缺陷对器件性能有显著影响，包括增益、光输出、阈值电压的变化，以及通过降低载流子迁移率和有效载流子浓度来影响器件的运行速度。这些缺陷态导致的捕获效应会降低器件的运行速度，并表现为长时间的恢复瞬态。

   

4. 缺陷态的研究：为了理解氧化镓中缺陷的微观性质，需要将基于深能级瞬态光谱（DLTS）和相关光学光谱技术的实验结果与密度泛函理论（DFT）以及各种合成方法中存在的主要杂质相关联。文章强调了将基于深能级瞬态光谱（DLTS）和相关光学光谱技术的实验结果与密度泛函理论（DFT）以及各种合成方法中存在的主要杂质相关联的重要性，以理解Ga2O3中缺陷的微观本质。

   

   

   

   

   图12展示了与α-Ga2O3（α型氧化镓）相关的两个重要图表：(a) 展示了α-Ga2O3的典型深能级瞬态谱（DLTS）图。DLTS是一种用于检测半导体材料中深能级缺陷的技术。图中显示了一个主要的陷阱峰（标记为A），其能级位于导带底（Ec）上方约0.6 eV的位置，以及另一个位于Ec上方约1.1 eV的陷阱峰（标记为B）。随着浅施主浓度的增加，A陷阱的密度增加，并且出现了新的陷阱C（Ec上方约0.85 eV）和D（Ec上方约0.23 eV）。(b) 展示了光致电荷载流子寿命（ΔNph）与不同光子能量的光谱依赖性，这些数据是通过中子辐照诱导的2.3 eV和3.21 eV带的测量得到的。图中的插入图显示了1.5至3.1 eV光子能量范围内的放大视图，右下角的图表显示了使用Pässler模型（红色实线）进行拟合的结果，这有助于理解不同光子能量对材料中电荷载流子寿命的影响。

5. 氧化镓的电子器件应用：氧化镓基功率电子器件和一些代表性应用的预期操作空间被展示出来，包括比GaN或SiC更高的电压或更低的成本选项。论文讨论了氧化镓在电子器件（如肖特基势垒二极管、场效应晶体管（FET）和太阳盲光电探测器）中的应用，并指出了缺陷态对这些器件性能的影响。

6. 缺陷态的控制：文章提到了通过氢的引入来控制p型和n型导电性的可能性，以及通过改变表面化学计量和氢的引入方式来控制表面导电性。

7. 辐射诱导的缺陷：论文还探讨了辐射（如质子或中子辐射）对氧化镓材料中缺陷态的影响，以及这些缺陷态如何影响器件，研究了不同类型辐射对氧化镓电子性质的影响，包括载流子移除率和扩散长度的变化。

   

   

   

8. 

   器件性能的影响：缺陷对电子器件性能的影响表现在阈值电压偏移、载流子迁移率降低、开关延迟增加等方面。在光电器件中，缺陷会导致响应时间延长、响应度降低和载流子倍增效应。

   

   

   

   

9. 结论：文章总结了对β-Ga2O3中深能级缺陷的理解，指出了α-和ε-Ga2O3中缺陷态研究的不足，并强调了进一步研究的必要性，特别是在氧化镓三元合金中深陷阱态的行为。虽然对氧化镓中的深能级缺陷态有了一定的理解，但仍需进一步研究以明确不同多形体中的缺陷行为，以及如何通过控制这些缺陷来优化氧化镓基器件的性能。

这篇论文为氧化镓材料的缺陷工程提供了深入的分析，并指出了未来研究的方向，特别是在提高器件性能和理解材料性质方面。