【氮化镓】GaN器件在航天器高可靠正向转换器中应用

北行黄金橘

已于 2024-10-09 17:35:53 修改

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分类专栏：氮化镓器件可靠性文章标签：生成对抗网络人工智能神经网络学习科学研究科技多尺度模拟

于 2024-05-01 19:57:44 首次发布

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本文详述了GaN（氮化镓）器件在航天器高可靠正向转换器中的应用，通过设计和对比实验，验证了GaN器件在效率和功率密度方面的优势。实验结果显示，GaN转换器在所有测试条件下均表现出比硅基转换器更高的效率，并在输入电压变化时保持了良好的稳定性。尽管目前的PWM控制器限制了功率密度的提升，但GaN技术在抗辐射和热管理方面的优势表明了其在太空应用的巨大潜力。

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文章是发表在《IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics》2022年10月第10卷第5期上的一篇关于GaN（氮化镓）器件在航天器高可靠性正向转换器中应用的研究。文章的作者是匹兹堡大学电气与计算机工程系的Aidan Phillips, Thomas Cook和Brandon M. Grainger,以及霍尼韦尔航空航天公司的Brian West。

摘要

文章首先指出GaN器件在太空级功率转换应用中的潜力，尤其是在依赖MOSFET技术的领域。尽管GaN器件的数量不多，但当前市场上的太空级GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）仍然可以显著提高效率和功率密度。文章通过设计、实现并对比两种75-W的太空级正向转换器（一种使用GaN HEMTs，另一种使用传统的硅基MOSFETs），量化了GaN HEMTs相对于硅基器件的性能优势。