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本文深入研究了GaN增强模式晶体管在模拟金星环境及恶劣条件下的应用潜力。实验表明，晶体管在高温下迁移率降低，但其结构和材料的稳定性表现出色，未检测到外源元素污染，证明了GaN材料在极端环境中的可靠性。这些发现对于未来在高温、高压和有害化学环境中的电子设备设计具有重要意义。
文章是关于GaN增强模式晶体管（enhancement-mode p-GaN-gate AlGaN/GaN HEMTs）在金星探索和其它恶劣环境下的应用研究。文章由Qingyun Xie等人撰写，发表在《Applied Physics Letters》上，属于(Ultra)Wide-bandgap Semiconductors for Extreme Environment Electronics特刊。
标题与作者
- 标题：Device and material investigations of GaN enhancement-mode transistors for Venus and harsh environments
- 作者：Qingyun Xie, John Niroula, Nitul S. Rajput 等人
- 发表时间：2024年4月22日
- DOI：10.1063/5.0186976
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