晶振的负载电容与外接电容的区别与关系

经常遇到有人把晶振的负载电容外接电容混淆,甚至还有人误以为这是指同样的参数。这里需要特别指出的是: 若你这样想,就大错特错了。

下面就为您进行分析与区分:

负载电容指的是晶振的一个内部重要电气参数。

一般情况下,对功耗不太敏感的电子设备PCBA上,常见的晶振负载电容为 15PF、18PF、20PF。

那么,诸如腕表、手机、蓝牙耳机等对低功耗明显有较高需求的电子产品,PCBA上常采用的为负载电容较小的晶振,比如6PF、7PF、9PF、10PF、12PF。

晶振的负载电容在生产环节已经根据需求通过加工工艺锁定,在应用中无法更改。

晶振的外接电容是指在PCBA板上分别与晶振频率输入脚与输出脚串联的电子元件。外接电容值的大小由晶振负载电容与电路板杂散电容(包括IC电容在内)所决定,通常为这两者之和。

在振荡电路应用中,晶振负载电容、杂散电容与外接电容之间的关系示意图如下:

晶振的负载电容与外接电容的区别与关系

注:
1、 CL: 石英晶体谐振器的负载电容。
2、CS: 指杂散电容,包括IC内部的杂散容值、电路板布线间的电容量、PCB板各层之间的寄生电容等。
3、C1 和 C2:分别指石英晶体谐振器在电路应用中的两颗外接电容。

外接电容的应用目的有两个:

针对晶振频率进行微调,使其尽量靠近目标频率。规则:外接电容越大,晶振输出频率越偏负向。反之,外接电容越小,晶振输出频率则趋于正向变化。

外接电容可以起到对振荡电路的稳定作用。这也是为何建议在晶振频率输入脚与输出脚分别加一颗同值电容的原因。

※最后需要提醒两点:

1、外接电容所起到的作用仅仅是对晶振频率进行微调。若晶振工作时频偏过大,就需要考虑晶振本身精度的原因,比如晶振精度是否不能满足芯片要求而更改为精度更高的晶振。

2、外接电容仅用于无源晶振的应用。在有源晶振的电路应用中,无需外接电容。

 

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根据提供的引用资料,没有直接提及5ppm晶振负载电容的具体计算方法。然而,根据晶振的标称值和负载电容关系,我们可以通过计算来确定适合5ppm晶振负载电容。 一种常见的方法是使用晶振的标称频率和频率误差来计算负载电容。假设晶振的标称频率为f,频率误差为δf,以及负载电容为CL。根据引用中的信息,我们可以使用以下公式来计算负载电容: CL = (δf / f) * (C1 * C2) / (C1 + C2) 其中,C1和C2是晶振两端的电容。 请注意,这个公式只是一种近似计算方法,实际情况可能因晶振的具体特性而异。为确保准确性,最好参考晶振的制造商提供的规格表或咨询专业人士以获取准确的负载电容值。 综上所述,根据提供的引用内容,我们无法直接确定5ppm晶振负载电容值。建议根据晶振的具体规格和标称频率误差,使用适当的公式或咨询专业人士来计算负载电容。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span> #### 引用[.reference_title] - *1* [晶振计算工具](https://download.csdn.net/download/lwylwy1/10671454)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"] - *2* *3* [晶振负载电容是什么意思?关于晶振负载电容](https://blog.csdn.net/Glory_Zhao/article/details/78141921)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"] [ .reference_list ]

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