硬石电机控制【一】无刷电机基本原理和硬件解析

崔佳宇_

已于 2025-05-25 13:20:47 修改

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分类专栏：电机笔记文章标签：单片机嵌入式硬件

于 2024-10-22 08:13:21 首次发布

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一、直流无刷基本原理

1.1 无刷电机结构

无刷电机基本组成部分如图

其中电机内部结构如下，中间的 S/N 是转子，外侧的铁环是定子，通过改变电磁铁的通电方式即可使得电机旋转。其中的 A、B、C 一般被称为 U、V、W三个项。

1.2 六步换向

如果要使得无刷电机做到最基本的转动只需要控制六个 MOS 管通断顺序即可。

想要控制 BLDC 旋转，根本的问题就是产生这 6 拍工作方式的电压信号（称为 BLDC 的六步控制）。

举个例子来说明，假定一个 BLDC 的额定电压为 24V，电机三根线就定义为 A、B、C：

为 A 接 24V、B 悬空、C 接 GND，此时对应图 10-8 中①，电机转轴被固定在一个位置；
在（1）的基础上，我们修改接线方式，为 A 接 24V、B 接 GND、C 悬空此时对应图 10-8 中的②，电机转轴就在（1）基础上旋转一个角度，达到另外一个位置；
在（2）的基础上，我们修改接线方式，为 A 悬空、B 接 GND、C 接 24V，此时对应图 10-8 中的③，电机转轴就在（2）基础上旋转一个角度，达到另外一个位置；
在（3）的基础上，我们修改接线方式，为 A 接 GND、B 悬空、C 接 24V，此时对应图 10-8 中的④，电机转轴就在（3）基础上旋转一个角度，达到另外一个位置；
在（4）的基础上，我们修改接线方式，为 A 接 GND、B 接 24V、C 悬空，此时对应图 10-8 中的⑤，电机转轴就在（4）基础上旋转一个角度，达到另外一个位置；
在（5）的基础上，我们修改接线方式，为 A 悬空、B 接 24V、C 接 GND，此时对应图 10-8 中的⑥，电机转轴就在（6）基础上旋转一个角度，达到另外一个位置。

1.3 有感霍尔传感器驱动方式

其中三个霍尔传感器位置如图：

其中三个霍尔的信号与旋转位置关系如下

1.4 烧毁的风险

如果我不管霍尔信号变化，就按中任一种其中给电，电机会怎样的呢？电机会固定在一个位置，实际上，这种情况是很危险的，我们知道，绕组都是漆包线铜丝，电阻非常小，当总是给电时候，电路中电流就非常大，严重情况，烧毁电机或者电源。

如果直接导通 A+和 A-这两桥臂，或者 B+和 B-这两桥臂，或者 C+和 C-这两桥臂会出现什么情况呢？结果就是电源必烧无疑，这些情况相当于电源正负极直接短路，所以这要求我们在接线或者电路设计是非常小心！！！

1.5 BLDC 方波速度控制

如果控制它的速度，类似之前讲过的直流减速电机控速方法，BLDC 电机控速也是用到脉冲宽度调制技术。

使用PWM控制直流无刷电机的策略包括PWM-ON、ON-PWM、H_PWM-L_ON、H_ON-L_PWM和H_PWM-L_PWM。这 5 种控制策略，均是电机处于 120° 运行方式下进行的。如下图所示。

这5种调制方式为：

PWM-ON型：在120°导通区间，各开关管前60°采用PWM调制，后60°则恒通。
ON-PWM型：在120°导通区间，各开关管前60°恒通，后60°则采用PWM调制。
H_PWM-L_ON型：在120°导通区间，上桥臂开关管采用PWM调制，下桥臂恒通。
H_ON-L_PWM型：在120°导通区间，上桥臂开关管恒通，下桥臂采用PWM调制。
H_PWM-L_PWM型：在120°导通区间，上、下桥臂均采用PWM调制。

二、硬件设计

原理图一览

设备外观

2.1 MOS驱动电路

2.1.1 TLP715 光耦隔离芯片

pwm输出端前置光耦隔离，避免高压击穿单片机，原理大致如下。

2.1.2 IR2110S mos管驱动

六个桥臂的驱动，我们驱动板选择的 MOS 管型号是：IRFS3607。

LO（引脚1）	低端输出
COM（引脚2）	公共端
Vcc（引脚3）	低端固定电源电压
Nc（引脚4）	空端
Vs（引脚5）	高端浮置电源偏移电压
VB（引脚6）	高端浮置电源电压
HO（引脚7）	高端输出
Nc（引脚8）	空端
VDD（引脚9）	逻辑电源电压
HIN（引脚10）	逻辑高端输入
SD（引脚11）	关断
LIN（引脚12）	逻辑低端输入
Vss（引脚13）	逻辑电路地电位端，其值可以为0V
Nc（引脚14）	空端

IRFS3607 的 VGS(th)是4V(最大值)。我们为 IR2110S 设计的电源电压为 11V（VCC），IR2110S 的低端驱动，即驱动 Q6 的 IRFS3607，很容易就实现 NMOS 管驱动条件。

对于 D2 和 D3 均是配合 R10 和 R11 快速卸掉能量，提高MOS驱动速度的。

C8 电容则是自举电路，为VB端提供超过 VCC_PROWER 的电压，提高驱动MOS的能力，因为 NMOS 管的导通基本条件就是 VGS 大于一定的阈值电压 VGS(th)。

自举电路就是升压电路，简单来说在该电路中，自举电路的作用是使得 IR2110S 高端驱动，即 IR2110S 的第 8 引脚 HO 输出信号可以满足大于 VGS(th) 。

2.1.3 opa4171 采集电流电路

一个4.02放大倍数的运放，供无感采集使用。其中 R32 上携带了 1.65V 的偏置电压。C16电容供滤波使用等。

2.2 霍尔传感器接口电路

霍尔传感器接口电路就简单很多，这只做一些简单的上拉和滤波处理，很多情况下上拉电阻是必须的，这个一般电机厂家有特别的说明。为合适 STM32 开发板电平要求，采用 3.3V 的上拉。

其中霍尔信号经过 74LVC3G17 提供三个带施密特触发器输入的非反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

2.3 电压转化电路

这里用到 11V 和 5V 电源，我们这里有 3.3V 电源。11V 电源使用 DC-DC 芯片 TPS54360 得到，该芯片最大输入电压为 60V，最大电流为 3.5A，这样使得我们驱动板可以兼容 12V、24V、36V、48V 和 60V 的电机驱动，大大增加驱动板的应用范围。5V 电源由 LM2359 芯片得到，3.3V 使用 AMS1117-3.3 得到。