MOSFET安全工作区域SOA

Safe Operating Area（SOA）即安全工作区：描述了当MOSFET工作在饱和区时可以处理的最大功率。超出安全工作区，则可能导致元件损坏。

SOA分为五个单独的界限，分别是RDS(on)限制 On Resistance（RDS(on)） limtiation、IDM电流限制 Max Pulsed Current（IDM）limitation、最大功率限制线 Max Power(PD)limintation、热不稳定性限制 Thermal Instability limitation和击穿电压限制Breakdowm Voltage（BVDSS）limitation。

RDS(on)限制

MOSFET可以流过的电流的大小受器件的导通电阻限制，这条曲线具有恒定的正斜率(这条线上所有点的电阻相同)，ID=VDS/RDS(on)。

RDS(on)会随着结温以及变化，一般选取最大允许结温下的最大导通电阻限制。

IDM电流限制

该区域受最大额定电流IDM限制，最大额定电流值一般受限于封装。

最大功率限制线

该区域受功率限制，具有恒定的负斜率，这条线的每个点的功率都表示相同的恒定功率，P=I*V。

负斜率是因为流过 MOSFET 的电流随着漏源电压的增加而减少，这主要是由于 MOSFET 的负系数特性在结温升高时会限制通过器件的电流。

热不稳定性限制

当MOS产生的功率比其耗散的功率高时，这种情况被认为是热不稳定的，又称为二次击穿区。

击穿电压限制

该区域受限于额定电压VDS。在MOS正常工作中，若漏极和源极之间的电压过高，超过漏源极击穿电压，PN结反偏发生雪崩击穿。为保障器件安全，在稳态及关断过程，漏极和源极间最高电压应低于漏源击穿电压。