AFE芯片系列介绍---BQ76952介绍（一）

一、参数概要

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BQ769x2 是TI推出的新一代的AFE芯片，在之前推出了BQ769x0、BQ76925等产品 

BQ76952 器件是一款高度集成的高精度电池监控器和保护器，适用于 3 节至 16 节串联锂离子、锂聚合物和磷酸铁锂电池组。该器件包括一个高精度监控系统和一个高度可配置的保护子系统，并支持自主式或主机控制型电池平衡。它集成了高侧电荷泵NFET 驱动器、 供外部系统使用的双路可编程 LDO .

功能框图

二、功能介绍

1、简介

初级保护

• 电池欠压保护

• 电池过压保护

• 电池过压锁存保护

• 过流充电保护

• 放电保护中的过电流（三层）

• 放电锁存保护中的过流

• 放电保护短路

• 放电锁存保护中的短路

• 充电保护中的低温

• 放电保护温度过低

• 内部低温保护

• 过温充电保护

• 放电保护中的过热

• 内部过热保护

• FET 过热保护

• 预充电超时保护

• 主机看门狗故障保护

二级保护

• 安全单元欠压永久失效

• 安全单元过压永久失效

• 充电中的安全过流永久失效

• 放电永久失效时的安全过流

• 安全超温永久失效

• 安全过热 FET 永久失效

• 铜沉积永久失败

• 放电锁存器永久失效中的短路

• 电压不平衡主动永久故障

• 静止时电压不平衡永久失效

• 二级保护器永久失效

• 放电 FET 永久失效

• 充电 FET 永久失效

• OTP 内存永久故障

• 数据 ROM 永久故障

• 指令 ROM 永久故障

• 内部 LFO 永久故障

• 内部参考电压永久失效

• 内部 VSS 测量永久失败

• 内部卡住硬件多路复用器永久故障

• 命令永久失败

• 栈顶与单元总和永久失败

2、休眠激活逻辑

BQ76952支持四种功能模式，以支持优化的功能和功耗，该器件能够在模式之间切换，既可以自主转换，也可以由主机处理器控制。

• 正常模式：在此模式下，设备频繁测量系统电流、电池电压、内部和热敏电阻温度以及各种其他电压，按配置运行保护，以及提供数据和状态更新。

• 睡眠模式：在此模式下，DSG FET 启用，可以选择禁用 CHG FET，并且该器件以可调节的时间间隔执行测量、计算和数据更新。电池保护仍处于启用状态。在测量间隔之间，设备以较低的功率运行阶段，以最大限度地降低总平均电流消耗。

• DEEPSLEEP 模式：在此模式下，CHG、PCHG、DSG 和 PDSG FET 被禁用，所有电池保护被禁用，并且不进行电流或电压测量。REG1 和 REG2 LDO可以保持通电，以保持对外部电路（如主机处理器）的供电。

• 关机模式：设备完全禁用（包括内部、REG1 和 REG2 LDO）、CHG、PCHG、DSG 和 PDSG FET 均被禁用，所有电池保护均被禁用，并且没有进行测量。这是设备的最低功率状态，可用于装运或长期储存。在SHUTDOWN模式下，所有寄存器设置都将丢失。

该器件还包括一个CONFIG_UPDATE模式，用于参数更新。过渡功能模式之间如下所示

（1）激活功能

当BQ76952处于 SHUTDOWN 模式时，在具有高源阻抗的 TS2 引脚上提供大约 5V 电平。如果 TS2 引脚被拉至低于 VWAKEONTS2（例如通过切换到 VSS），或者在 LD 引脚上施加高于 VWAKEONLD 的电压（例如在串联 FET 配置中连接充电器时），则器件将退出 SHUTDOWN 模式。

当BQ76952从 SHUTDOWN 模式唤醒时，需要大约 200-300ms（如果 Settings:Permanent Failure:Enabled PF A[CUDEP] 未启用）内部电路才能通电，从 OTP 存储器加载设置，执行初始测量，评估与启用的保护相关的设 置，然后在条件允许的情况下启用 FET。如果启用了 [CUDEP]，该时间可能会更长，具体取决于其在 Permanent Fail:CUDEP:Delay 中的相关延迟设置。

• LD 引脚等效图

• TS2 引脚内部等效图

（2）BQ76952激活流程

（3）休眠功能

• 通信命令方式进入休眠：

当 BQ76952处于 SEALED 模式，可以通过在 4 秒的时间期限内连续两次发送 0x0010 SHUTDOWN() 子命令手动启动该系列步骤，仅当器件处于 UNSEALED 或 FULLACCESS 模式时， 才需要发送一次子命令。

当 BQ76952 处于 NORMAL 或 SLEEP 模式时，如果内部温度测量值超过 Power:Shutdown:Shutdown Temperature 持续达到一定延时后，还可以将器件配置为进入 SHUTDOWN 模式

• SHUT_RST模式

串行总线通信。在正常操作期间，RST_SHUT引脚应被驱动为低电平。当RST_SHUT引脚驱动为高时在1秒内，设备将等待一个延迟，然后禁用保护FET。在延迟之后序列开始时，设备将进入SHUTDOWN模式。但是，如果LD引脚上的电压仍然高于VWAKEONLD电平，关闭将被延迟直到LD上的电压下降到该电平以下。

• 过温保护：

BQ76952器件集成了硬件过热检测电路，可确定芯片何时温度超过大约 120°C 的过高温度。如果此检测器触发，设备将如果通过配置启用此功能，则自动开始进入 SHUTDOWN

• 电池低压

基于堆叠顶部电压或最小电池电压。如果堆顶电压低于编程的堆电压阈值，或者如果最小电池电压下降到编程的电池电压以下阈值，SHUTDOWN模式序列自动启动。基于电池电压的关闭不适用于用于测量互连的单元输入引脚。

3、采集模块

（1）电压采集

（2）温度采集

BQ76952提供了多路温度采集功能，TS1, TS2, TS3, CFETOFF, DFETOFF, ALERT, HDQ, DCHG, and DDSG 均为多功能引脚，因此为实现温度采样，需首先将对应引脚配置成温度采样功能

为匹配不同类型的热敏电阻，最大化利用 ADC 的范围，提高温度采样精度，BQ76952 的温度采样提 供了两个不同的上拉电阻，通过控制 S1 和 S2，可分别实现18kΩ 和180kΩ 的上拉 电阻。例如，对于10kΩ@25C 的热敏电阻，推荐选择 18K 上拉电阻，对于200kΩ@25C 的热敏电阻推荐选择180K上拉电阻

引脚等效图

（3）电流采集

4、测量功能

设备会定期测量电压、电流和温度，LFO（低频振荡器）正在工作，并且内部处理器通电（根据需要）进行数据处理和控制。全电池保护正在运行，基于设备配置设置。系统电流以3ms的间隔测量，电池电压根据配置以63ms或更慢的间隔测量。该设备还提供配置位，使电压和CC2电流的转换速度加倍测量分辨率。

5、均衡功能

（1）内部均衡

BQ76952 内部集成了被动均衡，最大支持 100mA 的均衡电流。如 图 所示为 BQ76952 的内部均衡应用电路。通过控制内部 FET 的开通与关断，将需要均衡的电芯多余的电量一消耗在电阻上。

（2）外部均衡

同时，对于需要更大均衡能力的应用场合，BQ76952 也支持外部均衡。

6、保护功能

过压保护

欠压保护

过流保护

短路保护

7、通信功能

BQ76952可以支持 400kHz I2C、 SPI 和 HDQ 单线标准的主机通信外设

8、电源模块

BQ76952需要接REG1上拉，要注意BQ76952的型号，否则可能没有供电。建议使用BQ7695202，默认REG1设置为3.3V。若不使用该型号则需要外接上拉3.3V供电，

BQ76952 包含一个 1.8V 稳压器 (REG18) 和两个具有多种电压选项的 LDO（REG1 和 REG2）。REG18 电源不可配置，仅用于内部电路，而 REG1 和 REG2 是可配置的，可用于为外部电路供电。多个器件特性可引用 REG1，因此为这些特性启用 REG1 非常重要。

REGIN为REG1与REG2的LDO供电输入端BREG为REGIN使能脚位。

REG18

BREG

REG1

外扩电源功能

REG2

参考电压

9、功耗介绍

多种电源模式（典型电池组运行范围条件）

正常模式：286µA

多个睡眠模式选项：24µA 至 41µA

多个深度睡眠模式选项：9µA 至 10µA

关断模式：1µA

10、OTP 编程

为了写入 OTP，应向 BAT 引脚施加 10 至 12V 之间的电压，并且器件必须处于 FULLACCESS（完全访问）模式。请注意，这是永久性编程，无法恢复。有 2 次写入机会，如果器件进行了一次编程，还有第二个可用的存储器。没有额外的可用存储器。OTP 存储器使用 OTP 存储器视图进行编程。编程通常需要 40 秒。若要对 OTP 存储器进行编程： 

下面列出了写入 OTP 的建议步骤。

1）. 通过读取其中一个已编程寄存器，检查器件上是否已完成 OTP 编程。通电时，寄存器将报告默认值或 OTP 中编程的值（如果 OTP 已编程）。如果尚未完成 OTP 编程，则转至后续步骤。 

2）. 读取 0x12 电池状态[SEC1,SEC0] 位，以验证器件是否处于 FULL ACCESS（完全访问）模式 (0x01)。

3）. 如果器件处于 FULL ACCESS（完全访问）模式，则进入 CONFIG_UPDATE 模式-（子命令 0x0090）。

4）. 在数据存储器中配置寄存器设置。

5）. 退出 CONFIG_UPDATE 模式 -（子命令 0x0092）。

6）. 读取数据存储器寄存器以验证所有参数均已成功写入。

7）. 进入 CONFIG_UPDATE 模式。 

8）. 检查电池状态[OTPB] 位是否清除，以验证是否满足 OTP 编程条件。

9）. 读取 OTP_WR_CHECK()（子命令 0x00A0）。如果返回值为 0x80，则满足 OTP 编程条件。

10）. 如果 OTP_WR_CHECK 指示满足条件，则发送 OTP_WRITE() 子命令 (0x00A1)。 

11）. 等待 100 ms。从 0x40 读取以检查 OTP 编程是否成功（0x80 表示成功）。 

12）. 退出 CONFIG_UPDATE 模式 -（子命令 0x0092）。

13）. 将电路板电压调整回正常运行条件，下电上电并根据需要进行测试。

11、Driver控制

BQ76952 使用电荷泵提供高于 BAT+ 的电压，以导通系统中使用的高侧 N 沟道 MOSFET。电荷泵的飞跨电容器在内部，电荷存储在器件外部的 CP1 电容器中。CP1 是 CHG 和 DSG 驱动器的电源。