AFE芯片系列介绍---BQ76952介绍（三）

四、方案拓扑

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1、单芯片高侧驱动

系统使用 TI 提供的高精度电池监测器和保护器 bq769x2 系列来监测各电芯电压、电池组电流和温度数据，并保护电池组免受各种异常状况的影响，包括：COV、CUV、OT、充电过流和放电过流以及短路放电。该系列有 3 个器件：bq76942 用于 3 至 10 芯串联的应用，bq769142 用于最多 14 芯串联的应用， bq76952 用于最多 16 芯串联的应用。它们是引脚对引脚器件，所以只需进行有限数量的元件更改，就可以轻松更 新设计以匹配不同的电池电芯应用。此设计使用一个独立的次级保护器 bq77216，对 16 芯串联电池提供电压保护 和过热保护。这使得设计在不需要 MCU 执行保护工作的情况下通过一些安全法规，从而省去了固件的安全认证环 节。设计中有一个低功耗 MSP430TM MCU MSP430FR2155，它会与监视器通信，处理所有系统控制策略，以及 向系统端上传所有请求的信息。此设计有一个 CAN 收发器 TCAN1044V 或 TCAN1042HV，通过 VIO 端子集成电 平转换功能，允许将收发器 IO 直接连接到 1.8V、2.5V、3.3V 或 5V 逻辑 IO。TCAN1044V 具有 ±58V 总线故障 保护电压，足以适用于电动自行车或电动踏板车的 36V 电池组。因为 TCAN1042HV 支持高达 ±70V 的总线故障 保护电压，所以也推荐为 48V 电动自行车电池组使用此器件。MSP430FR2155 没有集成的 CAN 控制器，所以此 设计不支持 CAN 通信。此设计使用 100V 输入、0.5A、超低 IQ 同步降压直流/直流转换器 LM5163，使用低 IQ LDO TLV704 作为辅助电源。使用具有正温度系数和 0603 封装 TMP61 的 ±1%、10kΩ 线性热敏电阻来监测 MOSFET 温度，并通过 MCU ADC 进行测量。

1.1、电源系统

该设计具有 100V 输入、0.5A、超低 IQ 同步降压直流/直流转换器 LM5163，当系统在正常模式下运行时，使用低 IQ LDO TLV704 作为主电源。BQ76952 稳压器配置为 5V 输出，这是系统在待机模式下运行时的电源。BQ76952 稳压器输出上的串联二极管确保在正常模式下，所有电源都来自直流/直流转换器，防止 BQ76952 稳压器电路过 热，因此直流/直流输出应设计成略高于 5V（即 BQ76952 稳压器输出）。LM5163 和 LM5164 转换器快速入门设 计工具 提供了详细的元件设计指导。当系统遇到严重的电芯欠压情况且必须进入运输模式时，MCU 将配置 BQ76952 器件，以便通过 I2C 命令或 RST_SHUT PIN 进入关断模式，并通过 EN PIN 关闭 LM5163 输出，从而 将系统配置为非常低的电流消耗模式。此设计支持充电器连接和系统检测唤醒功能。这两种方法均可唤醒 BQ76952 器件并启用正常的 5V 稳压器输出，然后 MCU 会通电并通过 EN PIN 启用 LM5163，然后整个系统回 到正常模式。

1.2、驱动控制

因此对于较大的负载，可以使用本地关断电路，在该电路中使用 PNP 晶体管提供用于关断 FET 的本地电流环路。这允许通过晶体管和外部电阻以较小的电流环路关 断。在充电 FET 关断期间，DSG 通过 R40、R45、R41 和 D7 的组合为 Q31 消耗基极电流。集电极电流通过 R37 对 FET 栅极 放电。仍然从电荷泵电容器通过 D4（用于 CHG）和 D5（用于 DSG）实现导通。当 D4 和 D5 两端的二极管压降 成为一个问题时，可以使用肖特基型二极管，或者可以添加一个大值并联电阻器，以便在初始电流浪涌后使栅极达到全电压。

1.3、参考设计

图1：AFE芯片

图2：驱动控制

2、单芯片低侧驱动

该设计使用TI的高精度电池监测器和保护器bq76952来监测每个电池电压，封装电流和温度数据，并保护电池组免受所有异常情况的影响，包括：COV，CUV、OT、过电流充放电和短路放电。有一个较低功率的MSP430™单片机MSP430FR2155，它与监视器通信，处理所有系统控制策略，并上传将所有请求的信息发送到系统侧。此设计支持与的隔离RS-485通信三通道数字隔离器ISO7731和RS-485收发器THVD1400，具有更好的灵活性。一个隔离的CAN收发器也用于测试辅助电源电路的性能。五对N沟道MOSFET由双通道5-a汇源电流低侧驱动器（UCC27524）驱动，用于快速MOSFET导通和另一个低端驱动器UCC27517用于驱动预放电MOSFET的导通和截止。此设计使用100-V输入

2.1、电源系统

当系统在正常模式下工作时，LM5163降压DC/DC转换器降低总电池电量电压至12 V，为低侧MOSFET驱动器（UCC27524和UCC27517）供电。一种降压转换器生成一个非隔离的3.3 V为MCU供电，隔离的5 V可用于隔离通信TPS7A24是一种低IQ LDO，用于调节降压电路的隔离轨道输出至稳定的5V以向隔离收发器供电。在待机模式下，MOSFET处于断开状态，处于隔离状态通信不可用

LM5163通过EN引脚禁用，TPS54308、UCC27524、UCC27517设备通电关闭以节省能源。bq76952设备通过一个调节器输出3.3 V，为MCU供电，MCU位于低功率模式。如果MOSFET需要在待机模式下导通以实现快速放电响应LM5163设备仍然能够为驱动器IC供电12V。此时，TPS54308通过EN引脚关闭隔离通信以节省电源。如果需要进一步降低待机电流可以使用电流消耗驱动电路

BQ76952调节器输出上的串联二极管确保所有电源都来自防止BQ76952调节器电路过热的正常模式。因此，设计DC/DC输出略高于3.3 V BQ76952调节器输出。详细的组件设计指南可从LM5163和LM5164变频器快速启动设计工具。当系统遇到严重的电池欠压时并且必须进入发货模式，MCU通过I2C将BQ76952设备配置为进入关闭模式命令或RST_SHUT引脚，并禁用通过EN引脚的LM5163输出。这将系统配置为非常低的电流消耗模式。此设计支持充电器连接唤醒功能。当充电器连接，BQ76952唤醒并启用正常的5V调节器输出。然后MCU通电通过EN引脚启用LM5163。然后整个系统返回到正常模式。

2.2、驱动控制

其中稳压器为驱动器提供 VFETON 电压，该驱动器将 BQ76952 的数字信号电平转 换为 VFETON 电压电平。电阻 R4 为放电 FET 栅极提供驱动电压。由于充电 FET 栅极的范围格外大，Q3 允许在 Cdrive 关断时栅极电压变为负数。当 PACK- 为高电平时，D1 阻止电流进入驱动器。D2 限制 Q1 充电 FET 的栅 源电压。如果 Q1 缓慢导通，R1 会在 Cdrive 导通时提供来自驱动器的电流限制。R2 在 Cdrive 变为低电平时关 断 FET，因为 D1 会阻止驱动器从栅极拉取电流。

简单的驱动器电路非常类似，但与仅使用 R2 相比，其增益电路有助于更快地关断充电 FET。此电路由 Q1 栅极电压供电，即使 PACK- 电压降至 GND 电平之下，Q4 也会在电压存在时保持导通。PNP 或 P 沟道 FET 都可以用于 Q4，FET 电压会受控制，需要较少的电流，但 VGSth 可能大于 PNP 晶体管的 VBE。额外的二极管 D3 在驱动器导通时，将使 Q4 的基极电平高于发射极电平。驱动器必须为 RGS 电阻 R2 和基极电阻 R5 提供电流， 因此在 FET 导通时，需要比简单驱动器电路更高的电流。

2.3、参考设计

                                          图1：AFE芯片

图2：驱动控制

3、芯片级联高侧驱动

单个 BQ769x2 系列电池监控器最多可支持 16 个电池组，这对于 36V 和 48V 应用来说已经足够。对于 60V 及更高电压的电池组，需要将两个 BQ769x2 系列监控器堆叠。本文档介绍了如何为 BQ769x2 监控器系列堆叠器件， 以及如何利用集成电荷泵驱动高侧 N 沟道 MOSFET。本文档还分析了关键设计注意事项，确保快速稳定的 MOSFET 开关时间，更大限度地减小两个堆叠组之间的电流差，并在堆叠的 BQ769x2 器件和主机 MCU 之间轻松进行通信设计。

3.1 数据通信

使用 I2C 隔离器 ISO1640，在顶部 BQ769x2 和主机 MCU 之间实 现高达 400kHz 的隔离式 I2C 通信，两个堆叠的 BQ769x2 器件与 I2C 总线 连接。默认情况下，两个目标 BQ769x2 器件共享相同的 I2C 地址。BQ769x2 支持使用一次性可编程存储器 (OTP) 更改 I2C 地址，使主机 MCU 能够更轻松地与两个 BQ769x2 器件分别通信，而不会发生任何冲突。在与顶部 BQ769x2 进行通信之前，必须为 ISO1640 的次级侧供电。默认启用 REG1 3.3V 输出，并使用 BQ769x2 REG1 为 ISO1640 的两侧供电。

3.2 供电系统

在待机模式下，主机 MCU 通过拉低 EN 来关闭 ISO1640 电源并禁用直流/直流 LM5168P，从而降低功耗，而 5V 和 3.3V 电源轨由底部 BQ769x2 稳压器提供

3.3 设备识别

设计了一个外部 IO 电路，来检测电池是否与负载或充电器连接。选择合适的上拉电阻器 (R178) 有助于在连接 DET 的情况下（允许 MOSFET 导通）缩小电流差。这对于特定的工作条件尤其有用。

3.4 控制信号

对于其他相对较慢的开关信号，例如 ALERT、TS2、RST_SHUT、DFETOFF 和 CFETOFF，可使用低成本的分立式电平转换器或光耦合器

底部 BQ769x2 的 DDSG 和 DCHG 引脚配置为 DDSG 和 DCHG 功能，顶部 BQ769x2 的 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚配置为 DFETOFF 和 CFETOFF 功能。借助两个分立式电平转换器， 底部 BQ769x2 DDSG 和 DCHG 可分别控制顶部 BQ769x2 DFETOFF 和 CFETOFF。底部的 BQ769x2 DDSG 还可利用 MCU IO 进行“或”运算，来驱动 Q47，确保放电 MOSFET 完全关闭，因此必须将 DDSG 配置为高电平有效

3.5 MOSFET控制信号

使用顶部 BQ769x2 电荷泵来驱动 MOSFET 的导通和关断。高侧 MOSFET 架构始终保护接地连接，有利于电池组与外部通信，但也带来了新的设计挑战。由于顶部 BQ769x2 参考底部电池组电压，因此当顶部 BQ769x2 尝试关闭 DSG MOSFET 时，DSG 引脚电压会降至 LD 引脚电压， 并最终下降到底部电池组电压（顶部 BQ769x2 接地），底部电池组电压过高，无法完全关闭 DSG MOSFET。 使用分立式电路（如图 3-1 所示）来确保 DSG MOSFET 快速完全关闭。

3.6   参考设计

图1：AFE芯片

                                           图2：驱动控制

4、芯片级联低侧驱动

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