存储芯片引脚和时序：SRAM（HY6264A系列）

HY6264A是Hyundai（Hynix前身）生产的一款高速低功耗CMOS SRAM。容量：8192 x 8bit，即 8K x 8bit。本文内容整理翻译自DataSheet。 ¹

1、引脚与功能

引脚名	功能
Vcc	电源+5V
Vss	地
/CS1	片选1，低电平有效
CS2	片选2，高电平有效
/WE	低电平允许写
/OE	低电平允许读
A0 - A12	地址输入
I/O1 - I/O8	数据输入或输出
NC	无连接

2、真值表

/CS1	CS2	/WE	/OE	模式	I/O操作
H	X	X	X	待机	Z
X	L	X	X	待机	Z
L	H	H	H	输出关闭	Z
L	H	H	L	读	数据输出
L	H	L	X	写	数据输入

H高电平，L低电平，Z高阻态，X任意

3、读周期时序

片选持续有效的情况：

4、写周期时序

5、注意事项

  一个周期内，一块 HY6264A 只能读出或者写入一个字的数据，即8bit。(注意这里的“字”是存储字的“字”，通常，存储字长取决于引脚数。)
  并行访问存储器一个周期可以读多个存储字。

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1. https://datasheetspdf.com/pdf-file/488894/Hyundai/HY6264A/1 ↩︎