5.【半导体存储器】SRAM 6264 +【译码器】74LS138

最新推荐文章于 2023-11-28 00:00:00 发布
最新推荐文章于 2023-11-28 00:00:00 发布
阅读量3.4k 收藏 20
点赞数 3
分类专栏： # 微机原理与接口技术 文章标签： 微机原理与接口技术
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_42214698/article/details/122507591
版权
本文介绍SRAM6264静态随机存取存储器及其引脚功能，并详细解析74LS138这款3输入8输出的专用译码器工作原理及如何通过它实现对多个存储器芯片的有效控制。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

SRAM 6264
weixin_71018119的博客
05-02 1256
只有 CE1| 和 CE2 分别位 低电平 和 高电平 是芯片才会被选中。地址译码是 A0 ~ A12 共 13 根地址译码电路。芯片有 I/O0 ~ I/O7 共 八 位数据线。OE| 读出允许信号，低电平有效。CE2 片选信号 高电平有效。WE| 写入允许信号，低电平有效。CE1| 片选信号 低电平有效。芯片容量：8 K * 8 位的。
存储芯片引脚和时序：SRAM（HY6264A系列）
须尽欢
05-04 5812
文章目录1、引脚与功能2、真值表3、读周期时序4、写周期时序 HY6264A是Hyundai（Hynix前身）生产的一款高速低功耗CMOS SRAM。容量：8192 x 8bit，即8K x 8bit。 1、引脚与功能 引脚名 功能 Vcc 电源+5V Vss 地 /CS1 片选1，低电平有效 CS2 片选2，高电平有效 /WE 低电平允许写 /OE 低电平允许读 A0 - A12 地址输入 I/O1 - I/O8 数据输入或输出 NC 无连接 2、真值
芯片手册 6264
01-03
芯片手册 6264
SRAM6264(8K*8)
Never Give Up
09-06 4680
引脚图 简化版，引脚逻辑图（抄PPT的 引脚功能： A12−A0A_{12} - A_0A12​−A0​，13根地址线，选择芯片内 2132^{13}213 个存储单元中的任一个单元。 I/O7−I/O0I/O_7-I/O_0I/O7​−I/O0​， 8根双向数据线，并行传送8位读/写数据 WE‾\overline{WE}WE 写入允许信号，低电平有效。 OE‾\overline{OE}...
2764和6264地址范围
jiayoudangdang的博客
10-29 1万+
2764是：???0 0000 0000 0000 ~ ???1 1111 1111 1111 6264的地址是：0??0 0000 0000 0000 ~ 0??1 1111 1111 1111 6264的地址占用外部扩展RAM的地址(如果？被认为1，则地址为：6000H~7FFFH)； 访问时用MOVX 指令； 2764的地址占用ROM的地址，它用来存放程序和常数， ...
SRAM6264和EPROM2764相互兼容
DongZhaoCheng
06-25 1318
74LS138译码器在存储器系统中的应用与分类
本资源主要关注于计算机硬件和存储器系统中的译码器74LS138以及半导体存储器的相关知识。74LS138是一款常用的八到十六线译码器，常用于数据选择、信号分配等场景。其引脚图展示了各个输入（A、B、C、E1、E2、E3）和...
随机存取存储器SRAM
weixin_47264304的博客
05-10 3984
前面，我们根据半导体存储（主存储器）的工作方式分为两类：一类是随机存储器（RAM），另外一类是只读存储器（ROM）。 这一讲，我们重点来学习随机存取存储器。随机存取存储器主要用来存放的程序，各种输入输出数据，中间运算结果，堆栈等。我们说随机存取存储器有两个特点，其一是它可以随机的读写，其二是断电后内容会消失。根据制造工艺的不同，RAM可分为双击型半导体RAM和和金属氧化物半导体（MOS）RAM。用MOS器件构成的RAM可分为静态读写存储器SRAM和动态读写存储器DRAM。 SRAM的存储元是双稳态电路.
存储器习题存储器习题.doc
07-06
6. 74LS138 译码器是一种常用的地址解码器，当输入地址码为101时，根据其逻辑功能，输出端7有效。 7. 静态存储器（SRAM）利用触发器存储信息，保持数据稳定；而动态存储器（DRAM）则依赖电荷存储器件，需要定期刷新...
微机系统与接口教学资料第5章存储器.ppt
09-28
例如，使用EPROM 2716（2K×8位）和RAM（同样2K×8位），配合译码器74LS138，可以扩展8086 CPU的程序和数据存储区。通过地址分配和译码器，可以实现多个存储器芯片的有效连接和寻址，从而实现存储器容量的扩展。 综...
Proteus仿真设计—用6264扩展单片机数据SRAM
08-05
本文首先介绍了MCS-51单片机的存储器扩展，接着列举了6264的功能特点，依据6264的逻辑功能编制了Proteus仿真电路并设计了驱动程序，最后对本文的实验仿真效果进行了总结。
静态存储器（6264）电路设计与实现
05-23
1.完成<<计算机组成原理>>课程教学与实验 2.TDN-CM计算机组成原理教学实验系统
微处理器系统中的74LS138：应用案例分析与电路优化策略
本文深入探讨了74LS138微处理器系统中的应用及其优化策略。首先概述了74LS138的基本原理与功能，包括其引脚功能、电气特性以及在地址解码中的作用。接着，通过具体的应用案例，分析了74LS138在存储器扩展、I/O端口...
51单片机与6264通信探讨
文思er
10-01 8330
程序描述：利用6264，扩展STC89C52的存储空间，使接在P1口的数码管从0到F循环显示。 部分接线图： 额外说明： 1、   由上图的接法可知6264存储空间为0x2000-0x3FFF。 2、   由于P0与P2口已被用作第二功能，所以切记不可以再当普通的I/O使用。 3、   程序中用到了关于‘AUXR’特殊功能寄存器的使用，不熟悉它
第三章 存储器（Pro）
YJlio的博客
05-31 1759
①刷新、刷新周期为了维持动态记忆单元的存储信息，每隔一定时间必须对存储体中的所有记忆单元的栅极电容补充电荷,这个过程就是刷新。一般选定MOS型动态存储器允许的刷新间隔有2ms、8ms、16ms等，也就是说，应在“n”ms内，将全部存储体刷新一遍。从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止,这一段时间间隔叫刷新周期。②。
C51外扩6264芯片在proteus下的仿真
铭记_
10-06 4560
1、原理图 在这里，我是利用P0口来往外扩的内存中写数据，所以在上部加上上拉电阻（由于截图没有给出）； 程序： 这里有问题需要注意，首先就是当我们把P0口当地址口使用时，外部并不需要上拉电阻，其次，在这个头文件中，我们利用XBYTE[0x4000]来写外部内存时，其实我们同时利用了P0和P2这两个端口，也就是说，因为6264有13条地址线，（其最大寻址空间为8K），余下的3根线我
C_6微机原理
最新发布
YJlio的博客
11-28 4402
采用线性选择方式(无关地址线设为0),其连接示意图如下,求两个芯片的地址范围。11,在微型机中,往往将外设的状态作为一种数据输入, CPU的控制命令作为一种数据输出,为了将控制、状态与数据信息区分开,往往采用(）进行分别传送。在每小题给出的四个备选项中，选出一个正确的答案，请将选定的答案填涂在答题纸的相应位置上。10.某存储单元的段基值为9000H，偏移地址为1000H，该存储单元的物理地址为(）7.下列指令中,源操作数的寻址方式为立即寻址的是()。13,下列关于VO端口独立编址的说法,正确的是(）
【微机原理作业】存储器扩展
热门推荐
霍喜猫的博客
10-02 1万+
作业要求 利用2764和6264在8086最小模式下扩展64K ROM和64K RAM，给出其电路连接和地址范围。 思路 1.确定所需2764和6264的个数 2.确定ROM和RAM地址范围 3.确定译码电路的接法
微机原理 Pro Max (第三章 存储器系统)
YJlio的博客
09-01 1769
2,半导体存储器的分类: RAM、 ROM。1. 存储器：内存【主存】、外存【辅存】考点：RAM的分类 和 ROM 的分类。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

你说的白是什么白_

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付：¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足，请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值