大面积硅 (100) 芯片上的立方 GaN

 

氮化镓 (GaN) 及其合金（即 III 族氮化物半导体）是固态照明以及下一代射频和电力电子设备的支柱。 今天，该材料系统的大多数研究和开发都集中在其常规的六方（即纤锌矿）相上，尽管其立方（即闪锌矿）相具有更多固有优势，例如：在 <100> 生长方向上没有极化，体积更小 带隙，更小的电子重空穴有效质量，更小的俄歇损失，更大的光学增益，更短的辐射复合寿命，更低的p掺杂活化能，更高的空穴迁移率和更大的导带偏移。 因此，立方 III 族氮化物半导体可能会实现下一代器件，例如无效率下降的 III族氮化物可见光发光二极管 (LED)和生长正常的常关型 AlGaN/GaN 功率晶体管。 然而，由于其亚稳态，立方氮化镓的合成并不是一件容易的事。

展示了大面积 (~1 cm2) U 型槽硅 (100) 裸片上的立方 GaN 外延。 （上排）U 型槽硅（100）和（中排）立方 GaN 顶部（从左到右）横截面草图、俯视照片、俯视 SEM 图像和横截面 SEM 图像。 （底行）立方 GaN 结构表征。 （从左到右）显示了相位映射、轻敲模式 AFM 和明场顶视图 STEM 图像。平面图 STEM 显示立方 GaN 表面上没有穿透位错或其他类型的位错。观察到密度为 3.27 ± 0.18 ± 104cm-1 的堆垛层错。

在应用程序中。物理。莱特。 121, 032101 (2022) (EDITOR'S PICK 2022)，U of I 团队报告了 III 族氮化物材料的突破：在可扩展的 Si 平台上合成低缺陷密度、稳定的纯相立方 GaN。他们研究了结构和光学特性，并通过温度依赖性和时间分辨光致发光测量证明了约 26% 的高内量子效率。他们进一步确定了光学缺陷水平并报告了一种选择性蚀刻技术，他们可以选择性地去除六方晶系 GaN，不仅将效率提高到约 32%，而且还指出了实现连续立方晶系 GaN 薄膜的潜在途径。总体而言，U of I 展示了一个令人鼓舞的垫脚石，用于创建下一代基于立方形的 III 族氮化物器件。

永霖光电-UVSIS-独家发布