GaN-on-GaN加深沟槽结构，提高器件的击穿电压

一项详细的研究为湿法蚀刻在沟基GaN-on-GaN功率器件制造过程中的影响提供了新的见解
GaN-on-GaN功率器件以其高击穿电压、高电流能力和优异的动态性能而著名，常常以沟槽结构为特征来提高性能。通常通过电感耦合等离子体蚀刻来限定，这种沟槽也增加了漏电流，同时降低了沟道和阻挡特性，因此经常使用四甲基氢氧化铵（TMAH）的湿法蚀刻来恢复器件性能。但是在这个各向异性蚀刻步骤中究竟会发生什么呢？
声称对这个关键问题提供了迄今为止最详细的答案的是来自中国浙江大学的一个团队。
「在先前研究结果的基础上，我们的工作不仅探索了拐角形态和电场分布之间的关系，而且更深入地探讨了TMAH处理的各向异性，包括沟槽结构和a/m平面侧壁表面形态的差异，」团队发言人李艳君指出，之前的研究只是集中于TMAH处理如何产生更光滑的沟槽底部拐角，从而提高了器件的击穿电压。」。
该团队使用氯气和BCl3的混合物以及SiO2硬掩模，通过电感耦合等离子体蚀刻来制造沟槽结构。使用10mTorr的腔压力，团队评估了在100W和20W的射频功率下蚀刻、150W和250W的电感耦合等离子体功率、300V、200V和95V的直流偏置条件以及TMAH处理的使用和不使用的影响。
扫描电子显微镜显示一些样品中存在微沟槽，这是由偏转离子轰击侧壁底部造成的。这些可能导致垂直GaN功率器件中显著电场拥挤的微沟槽可以通过增加电感耦合等离子体功率和降低RF功率实现的低DC偏置来避免。
Li及其同事通过在85%的TMAH浓度下进行湿法蚀刻来细化沟槽的轮廓 温度1小时。用扫描电子显微镜检查这些沟槽表明所有的侧壁在蚀刻后变得更加垂直。然而，a平面具有锋利的底部拐角，而m平面侧壁具有圆形底部拐角。根据Li，模拟和实验结果表明，与a平面侧壁相比，这种各向异性抑制了沿着m平面侧壁的电场拥挤。“这突显了在垂直GaN功率器件的设计和制造过程中注意晶体取向的需要。”
TMAH处理引入的各向异性延伸至侧壁表面形态。这种湿蚀刻步骤不能改善通过电感耦合等离子体在a平面侧壁上产生的条纹、粗糙表面，但TMAH处理导致显著更光滑的m平面侧壁。
“典型地，更光滑的表面有利于减少沟道中载流子的散射，从而提高器件的导电特性，”李指出。
为了评估后蚀刻处理对反向阻断特性的影响，Li和她的同事制造了沟槽MOS势垒肖特基整流器，其特征在于12µm厚的n-型GaN漂移层。对于这些具有2.2µm深沟槽（台面宽度为5µm，沟槽宽度为3µm）的装置，电气测量强调了TMAH处理的优势。这种湿法蚀刻减少了漏电流，特别是沿着m平面（见图）。
该团队的额外工作包括制造金属氧化物半导体电容器，用于确定台面、沟槽底部和侧壁的电容和界面态密度。
“蚀刻的侧壁的界面态密度对于垂直GaN功率晶体管是至关重要的，因为侧壁通常被用作沟道区域，”Li说。
该团队现在正计划将其后蚀刻恢复工艺应用于垂直GaN沟槽MOSFET，其中沟槽侧壁表面用作栅极沟道。
上图：湿法蚀刻消除了沟槽MOS势垒肖特基整流器中的反向偏置漏电流。

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