1.4 磁珠 Bead

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1 磁珠是什么?

磁珠的全称为铁氧体磁珠滤波器(Ferrite Bead) (另有一种是非晶合金磁性材料制作的磁珠)，是一种抗干扰元件，滤除高频噪声效果显著。磁珠的主要原料为铁氧体。磁珠有很高的电阻率和磁导率，他等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。他比普通的电感有更好的高频滤波特性，在高频时呈现阻性，所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果。

当导线中电流穿过时，铁氧体对低频电流几乎没有什么阻抗，而对较高频率的电流会产生较大衰减作用。高频电流在其中以热量形式散发，其等效电路为一个电感和一个电阻串联，两个元件的数值大小与磁珠的长度成正比，而且磁珠的长度对抑制效果有明显影响，磁珠长度越长抑制效果越好。磁珠种类很多，制造商应提供技术指标说明，特别是磁珠的阻抗与频率关系的曲线。

与电感器的不同之处在于磁珠更适合于噪声对策。从下图可以看出，与电感器基本相同，它的阻抗也是随着频率的上升而增大，将其串联在电路中可以起到低频滤波器的作用。在普通电感器的阻抗值（Z）里，主要是电抗成分（X），而片状磁珠则由于采用了高频范围损耗较大的铁氧体材料，因此高频段中主要是电阻成分（R）。由于电抗成分不会损耗而电阻成分会出现损耗，因此片状磁珠比起一般的电感器来说其吸收噪声能量的性能更好，噪声抑制的效果也更好。

X：电抗成分 R：电阻成分 Z：整体特性
Z：R和X共同决定。
1）在低频段，X起主导，体现电感性，功能是反射噪声；
2）在⾼频段，R起主导，体现电阻性，功能是吸收噪声并将噪声转换为热。
3）在转换点是R和X值相等处的频率。转换点频率越⾼，磁珠体现电感性的频带越宽，对
低频噪声的吸收能⼒越弱；转换点所在频率越低，磁珠体现电阻性的频带越宽，对低频噪声的吸收能⼒越强。
转换点频率临界于电感性和电阻性。这里的谐振频率好像不同于电感，是临界于电阻性跟电容性之间；电感是临界于电感性跟电容性之间。
频率由低到高，低频→转换点频率→谐振频率→高频，电感性→电阻性→电容性。



铁氧体是磁性材料，会因通过电流过大而产生磁饱和，导磁率急剧下降。大电流滤波应采用结构上专门设计的磁珠，还要注意其散热措施。铁氧体磁珠不仅可用于电源电路中滤除高频噪声（可用于直流和交流输出），还可广泛应用于其它电路，其体积可以做得很小。特别是在数字电路中，由于脉冲信号含有频率很高的高次谐波，也是电路高频辐射的主要根源，所以可在这种场合发挥磁珠的作用。铁氧体磁珠还广泛应用于信号电缆的噪声滤除。

2 作用是什么？

这种材料的特点是高频损耗非常大，具有很高的导磁率，他可以是电感的线圈绕组之间在高频高阻的情况下产生的电容最小。对于抑制电磁干扰用的铁氧体，最重要的性能参数为磁导率μ和饱和磁通密度Bs。磁导率μ可以表示为复数，实数部分构成电感，虚数部分代表损耗，随着频率的增加而增加。
因此，它的等效电路为由电感L和电阻R组成的串联电路，L和R都是频率的函数。当导线穿过这种铁氧体磁芯时，所构成的电感阻抗在形式上是随着频率的升高而增加，但是在不同频率时其机理是完全不同的。
　　在低频段，阻抗由电感的感抗构成，低频时R很小，磁芯的磁导率较高，因此电感量较大，L起主要作用，电磁干扰被反射而受到抑制，并且这时磁芯的损耗较小，整个器件是一个低损耗、高Q特性的电感，这种电感容易造成谐振因此在低频段，有时可能出现使用铁氧体磁珠后干扰增强的现象。
　　在高频段，阻抗由电阻成分构成，随着频率升高，磁芯的磁导率降低，导致电感的电感量减小，感抗成分减小 但是，这时磁芯的损耗增加，电阻成分增加，导致总的阻抗增加，当高频信号通过铁氧体时，电磁干扰被吸收并转换成热能的形式耗散掉。
　　铁氧体抑制元件广泛应用于印制电路板、电源线和数据线上。如在印制板的电源线入口端加上铁氧体抑制元件，就可以滤除高频干扰。铁氧体磁环或磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频干扰和尖峰干扰，它也具有吸收静电放电脉冲干扰的能力。

普通滤波器是由无损耗的电抗元件构成的，它在线路中的作用是将阻带频率反射回信号源，所以这类滤波器又叫反射滤波器。当反射滤波器与信号源阻抗不匹配时，就会有一部分能量被反射回信号源，造成干扰电平的增强。为解决这一弊病，可在滤波器的进线上使用铁氧体磁环或磁珠套，利用滋环或磁珠对高频信号的涡流损耗，把高频成分转化为热损耗。因此磁环和磁珠实际上对高频成分起吸收作用，所以有时也称之为吸收滤波器。　　不同的铁氧体抑制元件，有不同的最佳抑制频率范围。通常磁导率越高，抑制的频率就越低。此外，铁氧体的体积越大，抑制效果越好。在体积一定时，长而细的形状比短而粗的抑制效果好，内径越小抑制效果也越好。但在有直流或交流偏流的情况下，还存在铁氧体饱和的问题，抑制元件横截面越大，越不易饱和，可承受的偏流越大。　　EMI 吸收磁环/磁珠抑制差模干扰时，通过它的电流值正比于其体积，两者失调造成饱和，降低了元件性能；抑制共模干扰时，将电源的两根线（正负）同时穿过一个磁环，有效信号为差模信号，EMI 吸收磁环/磁珠对其没有任何影响，而对于共模信号则会表现出较大的电感量。磁环的使用中还有一个较好的方法是让穿过的磁环的导线反复绕几下，以增加电感量。可以根据它对电磁干扰的抑制原理，合理使用它的抑制作用。　　铁氧体抑制元件应当安装在靠近干扰源的地方。对于输入／输出电路，应尽量靠近屏蔽壳的进、出口处。对铁氧体磁环和磁珠构成的吸收滤波器，除了应选用高磁导率的有耗材料外，还要注意它的应用场合。它们在线路中对高频成分所呈现的电阻大约是十至几百Ω，因此它在高阻抗电路中的作用并不明显，相反，在低阻抗电路（如功率分配、电源或射频电路）中使用将非常有效。

3 参数选型

1、直流电阻DCResistance(mohm)：直流电流通过此磁珠时，此磁珠所呈现的电阻值。
2、额定电流RatedCurrent(mA)：表示磁珠正常工作时的最大允许电流。
3、阻抗[Z]@100MHz(ohm)：这里所指的是交流阻抗。
4、阻抗－频率特性：描述阻抗值随频率变化的曲线。Z-F
5、电阻－频率特性：描述电阻值随频率变化的曲线. R-F
6、感抗－频率特性：描述感抗随频率变化的曲线。X-F

标称值:因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆，一般以100MHz为标准，比如2012B601，就是指在100MHz的时候磁珠的阻抗为600欧姆。　　
额定电流:额定电流是指能保证电路正常工作允许通过电流。

磁珠选型：
1）. 电路噪声的频带⼤于磁珠转换点频率，使磁珠吸收噪声⽽不是反射噪声；
2）. 信号的频带⼩于磁珠转换点频率，以防有效信号被磁珠衰减。
3）. 磁珠的转换点频率越低，线路振荡和波形失真就越⼩。
4). 额定电流、直流电阻。
5). 选择谐振频率点⾼的磁珠。当⼯作频率⾼于谐振频率，磁珠表现出电容性，阻抗迅速减⼩。

磁珠主要用于EMI差模噪声抑制，他的直流阻抗很小，在高频下却有较高阻抗，一般说的600R是指100MHZ 测试频率下的阻抗值。选择磁珠应考虑两方面：
一是电路中噪声干扰的情况，
二是需要通过的电流大小。
要大概了解噪声的频率、强度，不同的磁珠的频率阻抗曲线是不同的，要选在噪声中心频率磁珠阻抗较高的那种。噪声干扰大的要选阻抗高一点的，但并不是阻抗越高越好，因为阻抗越高DCR也越高，对有用信号的衰减也越大。但一般也没有很明确的计算和选择的标准，主要看实际使用的效果，120R-600R之间都很常用。然后要看通过电流大小，如果用在电源线部分则要选额定电流较大的型号，用在信号线部分则一般额定电流要求不高。另外磁珠一般是阻抗越大额定电流越小。磁珠的选择要根据实际情况来进行。
比如对于3.3V、300mA电源，要求3.3V不能低于3.0V，那么磁珠的直流电阻DCR就应该小于1R，这种情况一般选择0.5R，防止参数漂移。对噪声的抑止能力来说，如果要求对于100MHZ的、300mVpp的噪声，经过磁珠以后达到50mVpp的水平，假设负载为45欧姆，那么就应该选225R@100Mhz,DCR<1R的磁珠, 225R又是怎么算出来的？(就是简单的电阻分压，磁珠上分压250mV，负载50mV，比例算出来)
(45ohm/50mV)*250mV=225ohm；
首先你要知道你要滤除的噪声的频段，然后在该频段选一个合适的阻抗（实际的可以通过仿真得出大概要多大，仿真模型可以向厂商要），第二步确定该电路通过的最大电流，电路流过的电流确定了也意味着你要选多大额定电流的磁珠，接下来是确定磁珠的DCR（直流阻抗），根据后一级电路电压供电的范围就能算出允许的磁珠的DCR的范围。封装可以根据情况选择。但要注意的是，磁珠的阻抗在你加电压后和规格书上的有点差别。
要正确的选择磁珠，必须注意以下几点：
1、不需要的信号的频率范围为多少；
2、噪声源是谁；
3、需要多大的噪声衰减；
4、环境条件是什么（温度，直流电压，结构强度）；
5、电路和负载阻抗是多少；

4 有哪些分类？

根据磁珠的应用场合，大致可将磁珠分为普通型、大电流型、尖峰型等。
普通型：普通型磁珠用于电流不太大（一般小于600mA），无特殊要求的场合，它的直流电阻一般为零点几个欧姆。能有效地抑制、吸收电子设备的电磁干扰和射频干扰。其阻抗范围一般为几欧到几千欧范围内。
大电流型：此型号磁珠应用于要求较大电流的场合，由于其应用于大电流的场合，因此就要求它的直流电阻必须很小，约小于普通型磁珠一个数量级，而其阻抗值一般也较小。
尖峰型：此型号的磁珠特性为在某一个频率区域内，其阻抗急剧上升，从而在特定的频率区域内可获得较高的衰减效果而对信号不产生影响。

诸多拥有相同阻抗值的不同产品，这是因为它们的曲线形状各不相同。图4所示的就是其中一例。BLM18AG601SN1与BLM18BD601SN1都是100MHz阻抗值为600Ω的片状铁氧体磁珠，但从它们的阻抗波形可以看出，与BLM18AG601SN1较为平稳上升的曲线相比，BLM18BD601SN1的曲线则呈急速上升的趋势。 由于上升曲线较为平稳的片状铁氧体磁珠低频范围阻抗就开始增加，因此可以从低频到高频的较大范围内抑制噪音，但当信号频率较高时，则可能会出现信号频率也同时衰减的情况。与此相比，曲线呈急速上升趋势的磁珠则因为阻抗仅在高频范围内增加，因此在高频区域能够在不对信号造成影响的情况下实现噪声抑制。由此可见，在选择片状铁氧体磁珠时应根据信号的频率以及想要抑制的噪声频率来进行考虑。(当信号频率较低小于100M，而噪声频率较高大于100M时，就应该选择BLM18BD601SN1)

5 电感和磁珠的联系与区别

1、电感是储能元件，而磁珠是一种特殊作用的电感,是能量转换（消耗）器件；
2、电感多用于电源滤波回路，磁珠多用于信号回路，用于EMC对策；
3、磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰，而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰，两者都可用于处理EMC、EMI问题；EMI的两个途径，即：辐射和传导，不同的途径采用不同的抑制方法，前者用磁珠，后者用电感；
4、磁珠是用来吸收超高频信号，像一些RF电路，PLL，振荡电路，含超高频存储器电路（DDRSDRAM，RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHZ；
5、电感一般用于电路的匹配和信号质量的控制上，一般地的连接和电源的连接。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。对信号线也采用磁珠。
磁珠的大小（确切的说应该是磁珠的特性曲线）取决于需要磁珠吸收的干扰波的频率。磁珠就是阻高频，对直流电阻低，对高频电阻高。因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，所以跟阻抗的单位一样也是欧姆。磁珠的datasheet上一般会附有频率和阻抗的特性曲线图。一般以100MHz为标准，比如2012B601，就是指在100MHz的时候磁珠的Impedance为600欧姆。
6、磁珠的结构可以看成一个电阻和电感的串接（许多人容易把它和电感混淆，它和电感的区别就在于多了电阻的分量）
磁珠电感的区别

磁珠和电感的区别
　1.片式电感：在电子设备的PCB板电路中会大量使用感性元件和EMI滤波器元件。这些元件包括片式电感和片式磁珠，以下就这两种器件的特点进行描述并分析他们的普通应用场合以及特殊应用场合。表面贴装元件的好处在于小的封装尺寸和能够满足实际空间的要求。除了阻抗值，载流能力以及其他类似物理特性不同外，通孔接插件和表面贴装器件的其他性能特点基本相同。在需要使用片式电感的场合，要求电感实现以下两个基本功能：电路谐振和扼流电抗。谐振电路包括谐振发生电路，振荡电路，时钟电路，脉冲电路，波形发生电路等等。谐振电路还包括高Q带通滤波器电路。要使电路产生谐振，必须有电容和电感同时存在于电路中。在电感的两端存在寄生电容，这是由于器件两个电极之间的铁氧体本体相当于电容介质而产生的。在谐振电路中，电感必须具有高Q，窄的电感偏差，稳定的温度系数，才能达到谐振电路窄带，低的频率温度漂移的要求。高Q电路具有尖锐的谐振峰值。窄的电感偏置保证谐振频率偏差尽量小。稳定的温度系数保证谐振频率具有稳定的温度变化特性。标准的径向引出电感和轴向引出电感以及片式电感的差异仅仅在于封装不一样。电感结构包括介质材料（通常为氧化铝陶瓷材料）上绕制线圈，或者空心线圈以及铁磁性材料上绕制线圈。在功率应用场合，作为扼流圈使用时，电感的主要参数是直流电阻（DCR）,额定电流，和低Q值。当作为滤波器使用时，希望宽的带宽特性，因此，并不需要电感的高Q特性。低的DCR可以保证最小的电压降，DCR定义为元件在没有交流信号下的直流电阻。　　
　2.片式磁珠：片式磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（PCB 电里）中的RF噪声,RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分，直流成分是需要的有用信号,而射频RF能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和辐射（EMI）。要消除这些不需要的信号能量，使用片式磁珠扮演高频电阻的角色（衰减器），该器件允许直流信号通过，而滤除交流信号。通常高频信号为30MHz以上，然而，低频信号也会受到片式磁珠的影响。片式磁珠由软磁铁氧体材料组成，构成高体积电阻率的独石结构。涡流损耗同铁氧体材料的电阻率成反比。涡流损耗随信号频率的平方成正比。

6 参考链接

0欧电阻、电感、磁珠单点接地时有什么区别？

磁珠和电感的不同作用.pdf

磁珠电感的区别

磁珠的选型