Tessent专栏第三篇：TessentMemoryBIST用户手册_1

        这篇主要是翻译《Tessent MemoryBIST User's Manual For Use with Tessent Shell》的第一章的内容，在这里作为一个学习的记录，仅供参考。

     

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1. Tessent MemoryBIST 概述

本手册介绍了Tessent MemoryBIST，并解释了如何在基于Tessent Shell的集成流程中使用Tessent MemoryBIST。本手册还提供了在Tessent Shell环境中使用的所有Tessent MemoryBIST特定语法的完整参考信息。

1.1 为什么要为你的芯片考虑Tessent MemoryBIST？

Tessent MemoryBIST是一款高度先进的产品，解决了现有MemoryBIST解决方案的几个局限性：

1）Tessent MemoryBIST将内存内建自测试的强大功能与测试仪（tester）的可编程性相结合。当您使用Tessent MemoryBIST时，您在芯片上加入了一个嵌入式测试器，使您能够使用设计芯片时没有考虑的算法来测试和诊断嵌入式存储器——硅后可编程性（the post-silicon   programmability）。

2）Tessent MemoryBIST还提供了在一个控制器中使用不同类型的可修复内存的能力。您可以使用修复分析来实现可修复存储器的自修复解决方案，从而在不牺牲大量硅面积开销的情况下显著提高芯片产量。

3）Tessent MemoryBIST还在设计最佳内存内建自测试配置方面提供了显著的灵活性和自动化，以满足您的芯片功耗和测试时间预算。

1.2 Tessent MemoryBIST 功能

使用Tessent MemoryBIST，您可以执行以下操作：

1）使用一个具有一个或多个BIST步骤的memory BIST控制器测试多个memory，其中BIST步骤按顺序运行。

2）在一个BIST步骤中并行测试存储器，或者在几个BIST步骤中顺序测试存储器。

3）定义一个或多个自定义测试内存算法，这些算法将被硬编码到内存内建自测试控制器中。

4）从Mentor Graphics的算法库中选择要硬编码到memory BIST控制器中的内存测试算法。

5）运行memory BIST控制器的所有步骤，并在生成时分配特定算法(默认配置)。

6）在诊断模式下运行内存内建自测试控制器，在该模式下，您可以冻结特定的内建自测试步骤、特定的内存测试端口或特定的错误计数。

7）选择一种硬编码memory BIST算法，应用于测试器的特定存储器内建自测试步骤。

8）从算法库中选择一种算法，应用于特定的存储器内建自测试步骤。

9）在测试时定义自定义算法，应用于特定的存储器内建自测试步骤。

10）对实施不同冗余方案(如仅行、仅列或行和列)的存储器进行修复分析。

1.3 Tessent MemoryBIST库算法

您可以从内置算法库中选择算法来测试您的内存。以下是可用的库算法列表：

• SMarch
• SMarchCHKB
• SMarchCHKBci
• SMarchCHKBcil
• SMarchCHKBvcd
• ReadOnly
• LVMarchX
• LVMarchY
• LVMarchCMinus
• LVMarchLA
• LVRowBar
• LVColumnBar
• LVGalPat
• LVGalColumn
• LVGalRow
• LVCheckerboard1X1
• LVCheckerboard4X4
• LVWalkingPat
• LVBitSurroundDisturb

大多数LV*库算法都有经过优化的更新版本，以消除冗余操作。这些都可以在工具树的 lib/technology/memory_bist 文件夹中找到。有关每种算法的详细信息，请参考“MemoryBIST Algorithms”部分。

1.4 自定义算法

通常需要设计特定的测试算法来针对现有算法难以检测到的特定内存缺陷。为了有效地测试内存，您可能需要以特定的顺序对同一内存应用多个算法。在某些情况下，您可能会选择应用几种算法来诊断难以识别的内存缺陷。有关实现用户定义算法的详细信息，请参考“Using Tessent User-Defined Algorithms”部分。

1.5 Tessent MemoryBIST 库操作集

您可以从库中选择用于生成波形以驱动存储器的操作集。下表显示了每种memory BIST控制器可用的标准操作集。

• Sync
• SyncWR
• SyncWRvcd
• Async
• AsyncWR
• ROM

有关每个操作集的详细信息，请参考操作集（OperationSet）属性，该属性是在Tessent Core Description(TCD)文件的 Core/Memory 包装器中设置的。库操作集在工具树的 lib/technology/icbist/lvision/example 文件夹中可用。

1.6 自定义操作集

新存储器可以有多种模式，需要不同的波形来对存储器执行不同的操作。Tessent MemoryBIST使您能够在生成时定义新的操作集来满足这些要求。结合算法编程能力，您有一个非常强大的组合来测试和诊断不同访问条件下不同操作模式下的存储器。

标准的Tessent MemoryBIST库操作集假定内存具有同步写入和读取端口(Sync* 操作集)，或异步写入和读取端口(Async* 操作集)。具有同步写入和异步读取端口的存储器将需要定制的操作集。

具有异步读端口的存储器在与有效读使能相同的周期内输出读数据。这需要在读取操作的第一个刻度使用选通输出进行操作设置。图1-1所示的自定义操作集可用于具有同步写入和异步读取端口的存储器。