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一、霍尔电流传感器的测量原理

霍尔电流传感器是依据霍尔效应原理,除了霍尔效应原理之外,还有磁通门技术和磁阻技术来测量电流,磁通门技术从原理上测量精度高于霍尔效应原理,通常用作测量仪器的开发,如高精度的实验室用电流传感器。这里主要介绍依据霍尔效应原理的电流传感器。

霍尔电流传感器分类

霍尔电流传感器在测量方式上可以分为两种,开环式霍尔电流传感器和闭环式霍尔电流传感器。这两种类型的传感器在结构上来说闭环式传感器比开环式多了一个线圈,在精度上闭环式要优于开环式。

开环式霍尔电流传感器测量原理

开环式霍尔电流传感器由铁芯、霍尔芯片、运放等关键元器件构成。当电流穿过铁芯时会在铁芯上感应出磁场,铁芯将磁场聚集于豁口处被霍尔元器件感应到,从而感应出相应的电压,该电压被运放处理后输出,运放所输出的电压信号和原边电流满足一定的线性关系,从而将被测电流信号转化为电压信号,单片机采样该电压信号就可计算出被测电流的大小,从而实现测量电流的作用。开环式霍尔电流传感器又叫直测式。由于体积受限,许多芯片级的霍尔电流芯片都是用开环测量原理,如ACS712、ACS758等。

闭环霍尔电流传感器工作原理

与开环霍尔电流传感器相比,闭环霍尔电流传感器多了一个补偿线圈,该线圈缠绕在铁芯上。当电流传感器通过铁芯时,铁芯感应出磁场,霍尔元器件将磁场转化成电压,该电压被运放处理后驱动电路产生一个补偿电流,该补偿电流流过线圈产生一个磁场,该磁场与原边电流产生的磁场大小相等方向相反,从而抵消原边磁场,处于磁平衡状态。所以该补偿电流就是原边电流缩放后的,缩放比例与补偿线圈的圈数呈线性关系。闭环式霍尔电流传感器又叫间接测量法。

霍尔电流关键元器件-霍尔元器件

在霍尔电流传感器中,霍尔元器件是关键元器件,其性能影响着产品的性能。霍尔元器件的作用是将一定范围内的磁通量转化成电压信号。如下图所示,霍尔元器件将50mT内的磁通密度转化成电压信号。所以选用该芯片时,一定不要让铁芯产生的磁通密度超过50mT。

霍尔电流关键元器件-铁芯

霍尔电流传感器是由结构和电路紧密配合的一个产品,这其中,霍尔元器件的高度、位置,铁芯的材料、长度、横截面积都决定着产品的性能。在设计产品时,一定要注意严格根据测量范围计算铁芯的磁路长度、铁芯的横截面积、磁隙间距以及霍尔芯片的高度。当然这部分的计算是设计霍尔电流传感器中最核心的部分。

二、霍尔效应的工作原理

霍尔效应是由带电粒子(如电子)相应电场和磁场的相互作用引起的。更为形象生动的大家可以看下面这个霍尔效应原理动画图。

 当导电板连接到带有电池的电路时,电流开始流动。电荷载体将沿着从板的一端到另一端的线性路径。电荷载流子的运动导致磁场的产生。当磁体靠近板放置时,电荷载流子的磁场会发生畸变。这扰乱了电荷载流子的直线流动。扰乱电荷载流子流动方向的力称为洛伦兹力。

由于电荷载流子磁场的畸变,带负电的电子将偏转到板的一侧,而带正电的空穴将偏转到板的另一侧。在板的两侧之间会产生一个电位差,称为霍尔电压,可以用仪表测量。

霍尔效应和洛伦兹力,蓝色箭头 B 表示垂直穿过导电板的磁场

霍尔效应原理表明:当将载流导体或半导体引入垂直磁场时,可以在电流路径成直角的位置测量电压。

霍尔电压表示为 VH 由公式给出:

  • VH 是导电板上的霍尔电压

  • I 是流过传感器的电流

  • B 是磁场强度

  • q 是电荷

  • n 是每单位体积的电荷载流子的数量

  • d 是传感器的厚度

当传感器周围的磁通密度超过某个预设阈值时,传感器会检测到它并产生称为霍尔电压 VH 的输出电压。具体的原理如下图所示。

霍尔效应传感器基本上由一块薄薄的矩形 p 型半导体材料组成,例如砷化镓 (GaAs)、锑化铟 (InSb) 或砷化铟 (InAs),其自身通过连续电流。

当霍尔效应传感器放置在磁场中时,磁通量线对半导体材料施加一个力,使载流子、电子和空穴偏转到半导体板的任一侧。电荷载流子的这种运动是它们穿过半导体材料时所经历的磁力的结果。

当这些电子和空穴向侧面移动时,由于这些电荷载

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