CY7C1049DV33

这份文件是关于Cypress Semiconductor Corporation生产的CY7C1049DV33型号的4-Mbit（512K x 8）静态随机存取存储器（Static RAM, SRAM）的数据手册。以下是对文档内容的详细翻译和解读：

产品特性

- 与CY7C1049CV33引脚和功能兼容。
- 高速访问时间tAA为10纳秒（ns）。
- 低活跃功耗，工业级条件下ICC为90毫安（mA）@ 10ns。
- 低CMOS待机功耗，ISB2为10毫安。
- 2.0V数据保持电压。
- 当设备未被选中时，自动进入省电模式。
- TTL兼容的输入输出。
- 通过CE（片选）和OE（输出使能）功能以及三态驱动器，易于内存扩展。
- 采用无铅36引脚（400mil）Molded SOJ V36和44引脚TSOP II ZS44封装。

功能描述

功能描述部分详细介绍了CY7C1049DV33静态随机存取存储器（SRAM）的工作原理和使用方法。以下是对该部分内容的详细解读：

### 存储器组织
- **存储容量**：CY7C1049DV33是一个4-Mbit的SRAM，组织为512K（即512 * 1024 = 524288）个存储单元，每个单元存储8位（1字节）数据。
- **存储单元地址**：通过19个地址引脚（A0至A18）来指定存储单元的位置，这意味着它可以寻址高达512K个不同的存储位置。

### 内存扩展
- **片选（Chip Enable, CE）**：通过一个活跃低电平的CE引脚来控制存储器的使能。当CE为低电平时，存储器被选中并可以进行读写操作；当CE为高电平时，存储器进入高阻态，不参与数据传输。
- **输出使能（Output Enable, OE）**：同样是一个活跃低电平的引脚，用于控制存储器的输出。当OE为低电平时，存储器的输出是活动的；当OE为高电平时，输出被禁用。
- **三态驱动器**：存储器具有三态输出功能，即可以输出数据、保持高阻态或保持低阻态。这使得存储器可以与其他存储器或总线接口无缝连接，便于扩展和级联。

### 读写操作
- **写入数据**：写入操作通过将CE和WE（写使能）引脚置为低电平来启动。此时，数据通过8个I/O引脚输入，根据地址引脚设置的地址，数据被写入对应的存储单元。
- **读取数据**：读取操作通过将CE和OE引脚置为低电平，同时将WE引脚置为高电平来完成。在这些条件下，指定地址的存储单元内容会出现在I/O引脚上，从而可以被读取。

### 输入/输出引脚状态
- **高阻态**：当存储器未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）或在写操作期间（CE为低电平，WE为低电平），I/O引脚会被置于高阻态，即它们不会驱动任何信号，也不会对外部电路产生影响。

### 封装信息
- **封装类型**：CY7C1049DV33提供两种封装类型，即36引脚的Molded SOJ V36和44引脚的TSOP II ZS44。这些封装类型提供了不同的物理尺寸和引脚配置，以适应不同的应用和设计需求。

总结来说，功能描述部分提供了CY7C1049DV33 SRAM的基本操作原理和特性，包括存储器的组织结构、读写操作的流程、引脚功能以及封装信息，这些都是设计工程师在集成和使用该存储器时需要了解的关键信息。

引脚配置和逻辑框图

引脚配置和逻辑框图部分提供了CY7C1049DV33 SRAM的物理连接和内部逻辑结构的详细信息。以下是对这部分内容的详细描述：

### 引脚配置

#### SOJ封装（36引脚）
- **地址引脚**：A0至A18，共19个引脚用于指定存储单元的地址。
- **数据I/O引脚**：I/O0至I/O7，共8个引脚，用于双向数据传输，可以输入数据到存储器或从存储器输出数据。
- **片选（CE）**：一个活跃低电平的引脚，用于激活存储器。
- **输出使能（OE）**：一个活跃低电平的引脚，用于控制数据输出。
- **写使能（WE）**：一个活跃低电平的引脚，用于控制写操作。
- **电源和地**：VCC和GND引脚，分别用于提供电源和接地。

#### TSOP II封装（44引脚）
- 与SOJ封装类似，TSOP II封装也包含地址引脚、数据I/O引脚、CE、OE和WE引脚，以及VCC和GND引脚。不过，由于封装的不同，引脚的物理布局会有所变化。

### 逻辑框图

逻辑框图展示了CY7C1049DV33 SRAM的内部逻辑结构，包括以下几个关键组件：

- **列解码器（COLUMN DECODER）**：用于解码地址信号，选择正确的列来访问或写入数据。
- **行解码器（ROW DECODER）**：与列解码器配合，用于解码地址信号，选择正确的行来访问或写入数据。
- **感应放大器（SENSE AMPS）**：用于读取存储单元中存储的数据，并将其放大到可读的水平。
- **输入缓冲器（INPUT BUFFER）**：用于接收外部输入的数据。
- **电源下降（POWER DOWN）**：当CE引脚为高电平时，存储器进入低功耗模式。
- **WE、OE和CE**：分别对应写使能、输出使能和片选的控制信号。

逻辑框图中还展示了数据流向，数据通过I/O引脚进出存储器，地址信号通过地址引脚输入，控制信号（CE、OE和WE）用于管理存储器的操作状态。

总结来说，引脚配置和逻辑框图部分为设计工程师提供了CY7C1049DV33 SRAM的物理接口和内部逻辑操作的详细信息，这对于设计电路板和集成存储器至系统中至关重要。

最大额定值

列出了存储器在存储温度、带电环境温度、VCC至相对GND的供电电压、高阻态输出上的直流电压、直流输入电压、输出低电平电流和静电放电电压等条件下的最大额定值。

操作范围和电气特性

操作范围和电气特性部分提供了CY7C1049DV33 SRAM在不同温度和供电条件下的性能参数。这些参数对于确保存储器在特定应用环境中的可靠性和稳定性至关重要。

操作范围

• 工业级（Industrial）：存储器可以在-40°C至+85°C的温度范围内工作，供电电压（VCC）为3.3V ± 0.3V，访问时间为10纳秒（ns）。
• 汽车级（Automotive）：存储器可以在-40°C至+125°C的温度范围内工作，供电电压为3.3V ± 0.3V，访问时间为12纳秒。

电气特性

#### 输出高电平电压（VOH）
- **测试条件**：VCC等于最小值，输出电流（IOH）为-4.0 mA。
- **工业级**：最小值为2.4V。
- **汽车级**：最小值为2.4V。

#### 输出低电平电压（VOL）
- **测试条件**：VCC等于最小值，输出电流（IOL）为8.0 mA。
- **工业级**：最大值为0.4V。
- **汽车级**：最大值为0.4V。

#### 输入高电平电压（VIH）
- **测试条件**：2.0 VCC + 0.3V。
- **工业级**：最小值为2.0V。
- **汽车级**：最小值为2.0V。

#### 输入低电平电压（VIL）
- **测试条件**：-0.3V至VCC + 0.3V。
- **工业级**：最大值为0.8V。
- **汽车级**：最大值为0.8V。

#### 输入漏电流（IIX）
- **测试条件**：GND < VI < VCC。
- **工业级**：最大值为1 µA。
- **汽车级**：最大值为1 µA。

#### 输出漏电流（IOZ）
- **测试条件**：GND < VOUT < VCC，输出禁用。
- **工业级**：最大值为1 µA。
- **汽车级**：最大值为1 µA。

#### VCC供电电流（ICC）
- **测试条件**：VCC等于最大值，频率（f）为fMAX = 1/tRC，最高频率为100MHz。
- **工业级**：在不同频率下，电流范围为90 mA至75 mA。
- **汽车级**：在不同频率下，电流范围为95 mA至85 mA。

#### 自动CE电源下降电流（ISB1）
- **测试条件**：最大VCC，CE > VIH；VIN > VIH或VIN < VIL，频率（f）为fMAX。
- **工业级**：最大值为25 mA。
- **汽车级**：最大值为25 mA。

#### 自动CE电源下降电流（ISB2）
- **测试条件**：最大VCC，CE > VCC – 0.3V，VIN > VCC – 0.3V，或VIN < 0.3V，频率（f）为0。
- **工业级**：最大值为15 mA。
- **汽车级**：最大值为15 mA。

这些电气特性参数为设计工程师提供了在不同工作条件下存储器的性能指标，帮助他们评估和确保存储器在特定应用中的适用性和可靠性。

逻辑框图

逻辑框图展示了CY7C1049DV33 SRAM的内部逻辑结构，包括以下几个关键组件：

- **列解码器（COLUMN DECODER）**：用于解码地址信号，选择正确的列来访问或写入数据。
- **行解码器（ROW DECODER）**：与列解码器配合，用于解码地址信号，选择正确的行来访问或写入数据。
- **感应放大器（SENSE AMPS）**：用于读取存储单元中存储的数据，并将其放大到可读的水平。
- **输入缓冲器（INPUT BUFFER）**：用于接收外部输入的数据。
- **电源下降（POWER DOWN）**：当CE引脚为高电平时，存储器进入低功耗模式。
- **WE、OE和CE**：分别对应写使能、输出使能和片选的控制信号。

逻辑框图中还展示了数据流向，数据通过I/O引脚进出存储器，地址信号通过地址引脚输入，控制信号（CE、OE和WE）用于管理存储器的操作状态。

总结来说，引脚配置和逻辑框图部分为设计工程师提供了CY7C1049DV33 SRAM的物理接口和内部逻辑操作的详细信息，这对于设计电路板和集成存储器至系统中至关重要。

AC测试负载和波形

AC测试负载和波形部分提供了CY7C1049DV33 SRAM在进行交流（AC）性能测试时所使用的测试负载配置和相关的信号波形。这些测试用于评估存储器在实际操作中的动态性能，包括读写周期的时间特性。

AC测试负载

文档中提到了两种测试负载配置：

1. **图(a)**：用于测试除了高阻态（High-Z）以外的AC特性。具体的负载参数没有在文档中给出，但通常这会包括一定的电阻和电容负载，以模拟实际工作中的条件。

2. **图(c)**：用于测试高阻态特性。这里的测试负载包括5皮法拉（pF）的负载电容，这是为了确保在测试高阻态转换时间时，输出能够快速进入或退出高阻态。

### 波形说明

文档中提到了几个关键的测试波形和它们的时间参数，这些参数定义了读写操作的不同阶段：

- **tPOWER**：从电源稳定到第一次访问的最小时间。这是电源稳定后，存储器可以开始执行操作的最短等待时间。
- **tRC**：读周期时间。这是从CE和OE被激活到数据变得有效的时间。
- **tAA**：地址到数据有效的时间。这是从地址被设置到数据出现在输出引脚上的时间。
- **tOHA**：地址变化后数据保持的时间。这是在地址改变后，数据仍然保持不变的时间。
- **tACE**：CE低电平到数据有效的时间。这是在CE信号变为低电平后，数据变得可用的时间。
- **tDOE**：OE低电平到数据有效的时间。这是在OE信号变为低电平后，数据变得可用的时间。
- **tLZOE** 和 **tHZOE**：OE低电平到低阻态和高阻态的转换时间。
- **tLZCE** 和 **tHZCE**：CE低电平到低阻态和高阻态的转换时间。

### 读写周期波形

文档中还描述了读写周期的波形：

- **读周期**：展示了从CE和OE被激活到数据输出的时间（tRC），以及地址变化后数据保持的时间（tOHA）。
- **写周期**：展示了写操作的时间特性，包括从CE和WE被激活到写操作结束的时间（tWC），以及地址设置和数据设置的时间（tSCE, tAW, tHA, tSA, tSD）。

这些波形和时间参数对于设计工程师来说非常重要，因为它们帮助确定存储器在特定操作条件下的性能，以及如何正确地与存储器接口。例如，设计工程师需要确保在写入数据之前，地址已经被正确设置足够的时间（tAW, tSA），并且写使能（WE）的脉冲宽度（tPWE）满足要求。同样，在读操作中，需要确保CE和OE信号在正确的时间被激活，以确保数据能够及时且准确地被读取。

数据保持特性

数据保持特性是指存储器在特定电源电压条件下，能够维持存储的数据不丢失的能力。对于CY7C1049DV33 SRAM，数据手册中提供了这方面的详细信息，以下是对数据保持特性的详细解读：

### 数据保持电压（VDR）
- **定义**：VDR是指存储器能够保持数据不变的最小VCC电压值。
- **工业级**：2.0V
- **汽车级**：2.0V

这意味着在工业级和汽车级应用中，只要VCC电压不低于2.0V，存储器就能够保持数据不丢失。

### 数据保持电流（ICCDR）
- **定义**：ICCDR是指在数据保持模式下，存储器消耗的电流。
- **工业级**：最大10 mA
- **汽车级**：最大15 mA

这个参数表明，在保持数据不变的最低电压条件下，存储器在工业级应用中最大消耗10毫安的电流，在汽车级应用中最大消耗15毫安的电流。

### 数据保持时间（tCDR）
- **定义**：tCDR是指从芯片被取消选中（CE大于VCC - 0.3V）到数据保持模式激活的时间。
- **条件**：0 ns

这表示数据保持模式几乎是瞬间激活的，不需要额外的时间来启动。

### 操作恢复时间（tR）
- **定义**：tR是指从数据保持模式恢复到正常操作模式所需的时间。
- **条件**：未指定具体值，但通常这个时间应该尽可能短，以便快速恢复操作。

### 数据保持波形
数据手册中可能还包含了数据保持特性的波形图，展示了在数据保持模式下，存储器的电源电压和数据输出的变化情况。这些波形图可以帮助理解存储器在实际应用中的数据保持表现。

总结来说，数据保持特性是评估SRAM在电源不稳定或暂时断电情况下数据安全性的重要指标。CY7C1049DV33 SRAM能够在2.0V的最低VCC电压下保持数据，且在工业级和汽车级应用中有不同的电流消耗，这些信息对于设计可靠的电源管理和数据保护策略至关重要。

写周期

写周期是指将数据写入CY7C1049DV33 SRAM的整个过程，包括准备写入、实际写入和写入后的数据稳定等阶段。以下是对写周期各个阶段的详细解读：

### 写周期时间（tWC）
- **定义**：tWC是指完成一次写操作所需的总时间，从CE和WE被激活到写操作结束。
- **工业级/汽车级**：10-12ns

这个时间定义了写入一个数据字节所需的最短时长，确保数据正确写入存储器。

### CE低电平到写结束时间（tSCE）
- **定义**：tSCE是指从CE信号变为低电平到写操作可以结束的时间。
- **工业级/汽车级**：7-8ns

这个时间是写周期的一部分，指示了CE信号激活后，需要等待多长时间才能完成写操作。

### 地址设置到写结束时间（tAW）
- **定义**：tAW是指从地址设置完成到写操作结束的时间。
- **工业级/汽车级**：7-8ns

这个时间指的是在地址信号稳定后，需要等待多长时间才能完成写操作。

### 地址保持时间（tHA）
- **定义**：tHA是指从写操作结束到地址信号可以改变的时间。
- **工业级/汽车级**：0ns

这个时间表明写操作结束后，地址信号可以立即改变，无需等待。

### 数据设置到写结束时间（tSD）
- **定义**：tSD是指从数据设置完成到写操作结束的时间。
- **工业级/汽车级**：5-6ns

这个时间是指在数据信号稳定后，需要等待多长时间才能完成写操作。

### 写周期波形
文档中可能包含了写周期的波形图，展示了CE、WE、地址和数据信号在写操作过程中的变化。这些波形图可以帮助理解写操作的时间要求和信号之间的相互关系。

### 写操作注意事项
- **WE控制的写周期**：文档中提到了两种写周期，一种是WE控制的，另一种是CE控制的。在WE控制的写周期中，WE信号的高电平到低电平的转换定义了写操作的开始和结束。
- **OE控制的写周期**：在OE控制的写周期中，OE信号的状态会影响写操作。如果OE为高电平，数据I/O引脚将处于高阻态，不会接收或发送数据。

总结来说，写周期的详细解读提供了关于如何正确写入数据到CY7C1049DV33 SRAM的时间参数和信号要求。这些信息对于设计工程师来说非常重要，以确保数据能够正确、高效地写入存储器。