超级详细-NMOS、PMOS的工作原理及相关内容整理（下）

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分类专栏：半导体先进工艺制程技术系列文章标签：嵌入式硬件硬件工程硬件架构材料工程 mcu

于 2022-04-27 21:10:43 首次发布

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基础概念

参考《超级详细-NMOS、PMOS的工作原理及相关内容整理（上）》

PMOS工作原理

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS 场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不导通，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻，这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小，这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

P沟道MOS晶体管的空穴迁移率较电子迁移率低很多，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是，因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。

电子迁移率＞空穴迁移率

SI原子的核外电子数是4，组成晶体后，相邻的SI原子之间会共享核外电子，也就是电子共有化，一个SI原子会与四个其他的SI原子相邻，形成了共价键，这样一来就有8个核外电子，处于稳定状态。我们通过参入5族/3族元素，就形成了自由电子/空穴。如果参入5族元素，那就是8+1，多出来的那个，就是自由电子，如果参入3族元素，那就是8-1，少了一个，共价键上有形成了一个空位，这个空位被称为空穴，所以空穴并不是实体粒子。但是呢，我们又不能简单地将空穴运动等同于电子的反向运动，因为在量上他们是不一样。

施加电场后，自由电子的运动，至始至终是不受共价键影响的，它处于共价键之外，电场能量可以几乎“无损”地作用于电子定向运动。然而空穴就不一样了，因为空穴处于共价键之上，空穴运动是邻近电子不断摆脱共价键束缚的过程，也就是不断克服共价键束缚力做工的过程，在这个过程中共价键在做“负功”，所以要让空穴电流等于电子电流，就需要施加更强的电场，这也就是电子迁移率＞空穴迁移率的原因。

也就是说形成一个P型层比形成一个N型层更难。