粉色挖掘机的博客

一颗芯片是怎样诞生的；芯片生产历程；

【半导体先进工艺制程技术系列】STI应力效应（LOD效应），内容包括LOD效应基本定义，电流镜电路基本原理，伪器件电路的用途，即以电流镜和添加伪器件电流镜电路的版图设计为例进行分析。

漏致势垒降低效应详解，包括短沟道效应，漏致势垒降低效应，和改善漏致势垒降低效应的方法

22.淀积多晶硅栅极，在ILD之后会去除SiO2缓冲层和多晶硅，然后淀积HfO2和金属栅；31.通过光刻和刻蚀使NMOS的源漏有源区暴露，去除NMOS源漏的SiO2和Si3N4；11.SiO2回刻，有源区凸出SiO2表面，通过控制回刻的时间去控制Fin的高度；10.利用HDPCVD淀积SiO2，并通过CMP平坦化，Si3N4作为停止层；19.STI回刻，有源区凸出STI表面，通过控制回刻的时间去控制Fin的高度；13.淀积SiO2和Si3N4作为硬掩膜版和阱离子注入的阻挡层；...

【半导体先进工艺制程技术系列】之FinFET和UTB-SOI简介，及FD-SOI和FinFET要把沟道的厚度制造的很薄的原因

半导体先进工艺制程技术系列之SOI技术部分内容。包括SOI技术简介、SIMOX技术、BESOI技术、Smart-Cut技术、PD-SOI技术、翘曲效应、寄生双极晶体管效应、自加热效应、体接触、FD-SOI工艺流程。

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【半导体先进工艺制程技术系列】HKMG工艺技术之金属替代栅级工艺流程，金属替代栅级工艺流程流程，HKMG工艺技术限制

【半导体先进工艺制程技术系列】HKMG工艺技术之金属嵌入多晶硅栅工艺，包括HKMG工艺技术简介，金属嵌入多晶硅栅工艺流程

沟道长度调制效应，短沟道效应，MOS晶体管在饱和与非饱和区的行为，亚域状态

半导体先进工艺制程技术系列之应变硅工艺技术

NMOS、PMOS的工作原理及相关内容整理，包括：基础概念，NMOS工作原理，PMOS工作原理，vDS对iD的影响，耗尽型与增强型MOSFET比较，电子迁移率大于空穴迁移率解释

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