考虑虚拟电容器的任意比率电容器阵列的失配感知公共质心放置

1. C. Lin, J. Lin, Y. Chiu, C. Huang and S. Chang, “Mismatch-Aware Common-Centroid Placement for Arbitrary-Ratio Capacitor Arrays Considering Dummy Capacitors,” in IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, vol. 31, no. 12, pp. 1789-1802, Dec. 2012, doi: 10.1109/TCAD.2012.2204993.

摘要

开关电容常用于模拟电路中，以提高模拟信号处理的精度和降低功耗。 为了充分利用开关电容器，在电容器阵列的布局中实现准确的电容比非常重要，这会受到系统性和随机失配的影响。 良好的电容器放置应具有具有尽可能高分散度的公共质心结构，以减轻失配。 应插入几个虚拟单元，使放置形状更加方正紧凑 （之前有篇论文引用，后面需要注意一下）。 本文提出了一种基于模拟退火的方法，用于在上述约束下进行失配感知的公共质心放置。 对序列表示用于记录放置，并开发了一些相关操作以找到更好的解决方案。 实验结果表明，与以前的工作相比，所提出的布局实现了更小的氧化物梯度引起的失配和更大的整体相关系数（即更高的分散度）。

调研

开关电容的重要性 TODO

WITCHED-CAPACITOR (SC) 电路是实现各种模拟集成电路的一种经济有效的方法。 SC 方法允许设计人员用更小的 SC 替换大面积电阻器，这不仅提高了模拟电路功能的精度 [2]，而且还降低了功耗。 然而，为了充分利用 SC 电路，必须精确控制电容器尺寸。 图 1 显示了使用 SC 技术 [3] 实现的双二阶滤波器。 该电路由两个运算放大器和两个电容阵列组成，即{C1,C2,C3,C4}和{C5,C6}。 该电路的精度主要取决于电容比。 图 2 显示了一个逐次逼近寄存器模数转换器 (SAR ADC)，它具有低功耗.
广泛应用于生物医学芯片和便携式仪器。 SAR ADC 中最重要的组件是电容器阵列，它由一组电容器 C1、…、Cn+1 组成。如果这些电容器在物理上接近预定义的电容比（即，C1 = C2，Ci+1 =2Ci ,i =2,…,n)，则认为电容阵列匹配。 获得匹配的电容器阵列非常重要，因为 SAR ADC 的线性度主要由匹配行为决定。

系统失配和随机失配[4]、[5]。

非整数比电容阵列通常分为整数部分和非整数部分，其中整数部分的布局采用整数个单位电容构成，非整数部分的布局采用非单位电容实现。 非单元电容器相对于单元电容器的比率在 1 和 2 之间。基于开槽矩形技术或短截线技术 [13]、[14]，需要两个相邻的单元电容器来实现非单元电容器。 两个相邻的单元电容中的一个被拉伸到另一侧，另一个被收缩以形成一个虚拟电容。 图 4 说明了两种布局技术。 图 4(a) 显示了两个相邻单元电容器的原始位置。 两种布局技术的区别在于，开槽矩形技术使用一个槽 [见图 4(b)] 以保持与单位电容器相同的总周长面积比，而短截线技术使用短截线 [ 见图4（c）]。

由于边缘结构，阵列边缘的单元电容器比阵列内部的单元电容器遭受的边缘更少，并且这些不相等的影响会导致不匹配[13]。 因此，阵列应该被虚拟单元电容器包围以充当相邻结构。 如图 5 所示，与地 (GND) 相连的单位电容器是为此目的而插入的虚拟电容器。 **即布局一周放上dummy **

如图5所示的规则布线通道有利于单元电容器的互连，但这并不意味着在这种结构中可以更容易地实现互连的匹配。 由于本文只关注单元电容器的放置，互连问题留待进一步研究。 没有考虑互连

由于 [7] 建议阵列应该接近正方形以实现布局紧凑，因此可以使用方阵来获得更紧凑的公共质心放置。

进展

许多作品 [11]、[15]-[19] 研究了公共质心放置。[11]引入了氧化物梯度模型来估计氧化物梯度引起的失配。 基于这个模型，他们提出了一个确定性的程序来构建一个公共质心放置。 其他一些工作使用拓扑表示，例如 B*-trees [15]、sequencepairs [16] 和基于中心的角块列表 (C-CBL) [17]，以解决具有公共质心约束的模拟放置。 斯特拉瑟等人 [15] 将 B*-trees 应用于基本构建块的分层有界枚举，并使用增强的形状函数来表示和组合基本构建块的可能位置。 他们的布局算法是确定性的，它可以生成关于不同纵横比的布局的帕累托前沿。 Xiao 和 Young [16] 基于序列对表示探索了公共质心和一维对称约束的可行条件，他们展示了一种基于模拟退火的放置工具，可以同时处理这两个约束。马等人。 [17] 提出了 C-CBL 表示来表示公共质心组的位置。 他们提出了一种基于模拟退火的布局方法，可以同时处理对称、共质心和一般布局约束。 [15]-[17] 中的工作是可以处理具有任意形状和尺寸的子设备的公共质心放置的通用方法。

到底需要处理哪几种约束？ 对称 共质心 ？

为了处理具有规则形状和大小的子设备阵列，Ma 等人。 [18] 提出了一种基于网格的方法，可以均匀地分布子设备以平均寄生效应的影响。 在他们的方法中，子设备的分配不限于预先指定的数组。 给定一组子设备，他们生成了一组具有不同列数的可行放置解决方案，然后使用剪枝程序来消除由其他设备主导的冗余解决方案。 阵列中子器件的位置可以通过模拟退火（SA）过程进一步交换。 林等人。 [19] 提出了一种热驱动的公共质心放置算法，在考虑热分布的情况下将子设备均匀地分配到行中。 对于匹配组，他们的方法生成所有可能的具有不同纵横比（即不同行数）的公共质心位置，这与 [18] 中的方式相同。
为了提高产量，Luo 等人。 [9]、[20]引入了空间相关性模型，讨论了相关性与电容比变化的关系。 他们表明，具有较高相关系数的电容器放置可以实现更好的匹配。 此外，他们提出了一种启发式算法 [10]，该算法部分详尽地搜索可能的组合并计算每个组合的相关系数，以获得具有最高或接近最高相关系数的放置，以提高产量。 尽管它们的放置结果表现出高度的分散性，但它们的放置并不是一个共同质心结构。 除 [11] 外，上述方法均未在其方法中考虑非整数比电容器。 因此，现有的工作都没有提出一种方法，用于为任意比率的电容器阵列构建具有尽可能高的分散度的公共质心放置。

在 [7] 中提出，公共质心布局应该具有分散性。 因此，在本文中，提出了一种算法，用于构建具有共质心结构并表现出尽可能高的分散度的布局，以同时减少系统和随机失配。 该算法考虑了邻接约束，由此产生的布局对于非整数比电容器的布局总是可行的。

如何对其进行建模也可以成为一个点？

简要回顾了氧化物梯度引起的失配 [11] 和整体相关系数 [9]、[20] 的公式。 本文采用这两种评估模型，以便与以前的电容器放置算法进行公平比较。** 对于现代技术或不同形状的单位电容器，这两种模型可能不够准确。 为了反映所需技术的实际效果，可以用更准确的模型代替所提出的方法中的现有模型。**

针对dummy的放置

1. 靠近矩阵中心放置的电容器会导致更大的相关系数 [10]。 因此，如果可能的话，最好将电容器放置在靠近中心的位置。 由于图 11(b) 中靠近中心的一些条目被虚拟单元电容器占据，因此图 11(b) 中布局的总体相关系数小于图 11(a) 中的相关系数。
2. 如果将一个小电容器（例如 C1 或 C2）放置在远离矩阵中心的位置，它通常与其理想电容值有较大的差异 [11]。 图 11© 中的布局失配比图 11(a) 中的大，因为中心附近的入口被虚拟单元电容器占据。

根据上述观察，虚拟单元电容应放置在靠近矩阵边界的位置，而小电容应放置在靠近矩阵中心的位置。

任意电容比就是需要两个电容放在一起！，图 12© 中放置的失配比图 12(b) 中的大，因为 C1 是相对于 C2 较小的电容器，放置在离矩阵中心更远的位置。

SA 算法 [21]
冗余消除：程序在扰动期间忽略冗余操作。 例如，如果选择属于 Cunit 的两个电容器进行位置交换，则交换前后的结果放置在几何上是相同的，因为如果忽略它们的索引号，这两个电容器本质上是相同的。 这种扰动被认为是冗余操作。

数据集

1）任意比例的电容器阵列； 2）整数比电容阵列； 3) 带有虚拟电容器的电容器阵列。 为了保持比较公平，实验设置与 [10] 和 [11] 中的相同：氧化物厚度 t0 为 40 nm，氧化物梯度 γ 为 10 ppm，单位电容器之间的相关系数ρu 为0.9，单位电容器的几何形状如图16（a）所示。【没有确定Sx Sy 】

SCF−1，SCF−2，和SCF−3，它们来自[3]和[11] ，这些电容器阵列是为SC滤波器设计的，它们包含非整数比电容器。

实验指标

实验离线指标

氧化物梯度引起的失配值（用 M 表示）、总体相关系数的值（用 L 表示）和运行时间。

对于 SCF-1 和 SCF-3，使用所提出的方法获得的布局比 [11] 获得的布局具有更小的氧化物梯度引起的失配。 在所有测试用例中，使用所提出的方法获得的布局的总体相关系数都大于 [11] 获得的相关系数。 图 16（b）和（c）分别显示了基于 [11] 和提出的方法的 SCF-1 的结果放置。 尽管这两个布局具有共同的质心结构并且都满足邻接约束，但使用所提出的方法获得的布局实现了更小的氧化物梯度引起的失配和更大的整体相关系数（即更高的分散度）。

实验结果表明，与[10] 在所有测试用例中获得的布局相比，使用所提出的方法获得的布局同时实现了更小的氧化物梯度引起的失配和更大的整体相关系数。 尽管对于较小的电容器阵列，所提出的方法比 [10] 慢，但对于较大的阵列，它的运行速度比 [10] 快得多。 由于 [10] 部分详尽地搜索可能的组合并计算每个组合的相关系数以获得最佳组合，因此其计算时间随着可用条目的数量而显着增加。 因此，[10] 无法在可接受的时间内获得最大电容器阵列（SAR-10bit）的结果。 相比之下，所提出的方法应用 SA 来增强结果并使用多种技术来提高效率。 因此，它的结果和运行时间比 [10] 的要好。

基于实验结果，进行了以下观察。 1）如果矩形矩阵的形状非常接近正方形，可以认为是紧凑的放置。 因此，无需将布局更改为方阵。 2）如果原始矩阵的形状远非正方形，通过插入一些虚拟单元电容将其变为正方形矩阵，将使其放置更紧凑，并获得更好的匹配。

具体方法

和Link 相比只是支持了 任意电容比 以及 dummy 的内容，并且给出了一些实验性结果，一个是dummy 放在靠近外圈，另一个是关于电容阵列形状的结论。

值得跟进

1. 如果将一个小电容器（例如 C1 或 C2）放置在远离矩阵中心的位置，它通常与其理想电容值有较大的差异 [11]